艾克思50kHz 脈沖“調(diào)Q電源”

時(shí)間：2020-01-05

艾克思50kHz 脈沖“調(diào)Q電源”
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應(yīng)用案例
A：LD泵浦的高頻電光調(diào)Q激光器
B：連續(xù)燈泵固體激光器（代替聲光調(diào)Q）
C：快速光開關(guān)
D：激光調(diào)Q實(shí)驗(yàn)教學(xué)儀器
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圖片簡要說明

詞條
詞條說明
可編程高壓電源
一、應(yīng)用范圍 1、高壓實(shí)驗(yàn) 2、電器設(shè)備的絕緣耐壓測(cè)試 3、高壓電容耐壓測(cè)試 4、電子加速實(shí)驗(yàn) 5、電離空氣產(chǎn)生等離子體 6、半導(dǎo)體器件測(cè)試 7、IGBT測(cè)試 8、二極管測(cè)試二、電源參數(shù) 類型數(shù)值單位備注輸出電壓 0-20.00 kV 電壓控制 0-5 V 電源自帶的多圈電位器可通過0-5V調(diào)節(jié)輸出的0-20kv 過流保護(hù) 5 W 當(dāng)輸出功率大于5W時(shí)，電源自動(dòng)啟動(dòng)保護(hù) 輸出功率 0
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購買的IRF4
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購買的IRF4
AIKS推出2kHz電光調(diào)Q模塊，主要應(yīng)用于激光打標(biāo)機(jī)領(lǐng)域！
AIKS推出2kHz電光調(diào)Q模塊，主要應(yīng)用于激光打標(biāo)機(jī)領(lǐng)域！該模塊在原有基礎(chǔ)上，將工作頻率提高到2kHz，自身消耗功率小于5W，體積小巧，很容易和激光器集成在一起。同時(shí)模塊增加了和激光打標(biāo)卡的接口，直接用于現(xiàn)有各種打標(biāo)軟件系統(tǒng)。