肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測(cè)試記錄 測(cè)試器件 MUR3040PT(ON) 測(cè)試項(xiàng)目 1.二極管反向擊穿電壓 2.二極管正向壓降 測(cè)試方法 1.測(cè)試二極管反向擊穿電壓 用20KV高精度測(cè)試**穩(wěn)壓可調(diào)電源反向連接二極管,測(cè)試二極管的反向擊穿電壓。測(cè)試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示,紅線所示連接1,黑線連接二極管2,撥動(dòng)一下20KV穩(wěn)壓電源的測(cè)試按鈕,即可在顯示屏上顯示二極管的反向電壓。然后紅線連接二極管3腳,測(cè)試另一端的二極管的反向電壓。 圖1.二極管反向擊穿電壓測(cè)試連接圖 2.測(cè)試二極管正向壓降 用二極管正向壓降測(cè)試儀DF-80A正向連接二極管,參照MUR3040PT芯片手冊(cè)的數(shù)據(jù),在正向平均電流15A情況下測(cè)試二極管正向?qū)ǖ墓軌航?。測(cè)試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示,紅線和黑線連接好二極管后,按下測(cè)試按鈕,即可在顯示器上顯示二極管導(dǎo)通的正向壓降。 圖2.二極管正向壓降測(cè)試連接圖 測(cè)試數(shù)據(jù) 測(cè)試二極管MUR3040PT的數(shù)量為40個(gè)。測(cè)試表格如下 序號(hào) 反向擊穿1(V) 反向擊穿2(V) 正向壓降1(V) 正向壓降2(V) 1 543 547 1.17 1.167 2 530 526 1.133 1.131 3 531 535 1.137 1.15 4 532 538 1.15 1.158 5 521 525 1.17 1.168 6 531 531 1.175 1.187 7 542 540 1.167 1.168 8 536 531 1.165 1.165 9 535 538 1.147 1.152 10 535 542 1.151 1.15 11 552 558 1.159 1.162 12 528 541 1.162 1.162 13 535 537 1.152 1.152 14 534 534 1.166 1.156 15 520 531 1.185 1.182 16 534 534 1.159 1.158 17 531 547 1.166 1.155 18 534 537 1.154 1.17 19 534 537 1.155 1.158 20 529 524 1.149 1.152 21 533 537 1.174 1.171 22 542 534 1.155 1.151 23 526 535 1.167 1.167 24 525 539 1.13 1.139 25 529 529 1.134 1.165 26 540 533 1.151 1.142 27 527 517 1.169 1.169 28 528 523 1.151 1.154 29 538 538 1.158 1.149 30 529 533 1.179 1.182 31 519 539 1.164 1.167 32 537 533 1.178 1.171 33 533 533 1.163 1.17 34 530 533 1.16 1.159 35 542 542 1.163 1.15 36 529 523 1.177 1.181 37 528 591 1.16 1.162 38 540 530 1.151 1.144 39 550 543 1.163 1.163 40 82 2 0 0 反向擊穿電壓較大值VRWM為550V。 工作在15A下的較大壓降為1.187V,較小壓降為1.13V。 測(cè)試分析 測(cè)量數(shù)量為40個(gè)的二極管MUR3040PT,合格率為97.5%。在實(shí)際設(shè)計(jì)電路過(guò)程中,有本實(shí)驗(yàn)儀器測(cè)試出二極管的結(jié)果能減少設(shè)計(jì)過(guò)程中理論計(jì)算的誤差。
詞條
詞條說(shuō)明
AIKS較新隆重推出0-80V高精度可調(diào)高壓電源
AIKS較新隆重推出0-80V高精度可調(diào)高壓電源 AIKS研究人員經(jīng)過(guò)反復(fù)的研發(fā)和測(cè)試,成功的開(kāi)發(fā)出適用靜電紡絲,高壓靜電除塵,高壓X射線**器等的高精度可調(diào)高壓電源。 ? 該電源采用了全橋軟開(kāi)關(guān)技術(shù),使得電源效率大大提高;公司成功克服高功率密度下的絕緣散熱問(wèn)題,將電源體積大大減小,同時(shí)電源允許在**滿負(fù)荷的情況下24小時(shí)工作。該產(chǎn)品輸出的較大電壓可達(dá)80kv,電壓80kv時(shí)電流可達(dá)到6.67
**:5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能!
**:5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能! 電光調(diào)Q開(kāi)關(guān)是利用晶體的電光效應(yīng)制成的Q開(kāi)關(guān)。電光調(diào)Q開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)速度快、器件的效率高等優(yōu)點(diǎn)!但是正是由于較高的開(kāi)關(guān)速度,在調(diào)Q器件兩端都會(huì)形成壓電振鈴效應(yīng),這一效應(yīng)增大了調(diào)Q開(kāi)關(guān)的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應(yīng):調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器通過(guò)導(dǎo)線和晶體連接,連接導(dǎo)線等效為一個(gè)諧振電感L,晶體等效為一個(gè)諧振電容C,如圖1所示;電光調(diào)Q過(guò)程是一個(gè)高壓窄脈沖過(guò)程,高壓脈
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問(wèn)題。并聯(lián)mos管的兩大問(wèn)題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買(mǎi)的IRF4
一、應(yīng)用范圍 1、高壓實(shí)驗(yàn) 2、電器設(shè)備的絕緣耐壓測(cè)試 3、 高壓電容耐壓測(cè)試 4、電子加速實(shí)驗(yàn) 5、 電離空氣產(chǎn)生等離子體 6、半導(dǎo)體器件測(cè)試 7、IGBT測(cè)試 8、二極管測(cè)試 二、電源參數(shù) 類(lèi)型 數(shù)值 單位 備注 輸出電壓 0-20.00 kV 電壓控制 0-5 V 電源自帶的多圈電位器可通過(guò)0-5V調(diào)節(jié)輸出的0-20kv 過(guò)流保護(hù) 5 W 當(dāng)輸出功率大于5W時(shí),電源自動(dòng)啟動(dòng)保護(hù) 輸出功率 0
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