MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析

時間：2016-06-29

	MOS管并聯(lián)均流技術分析


	IGBT管并聯(lián)均流技術分析


	BJT 管并聯(lián)均流技術分析


	 


	 


	普通的功率MOSFET因為內阻低、耐壓高、電流大、驅動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數的篩選。


	首先我們測試從某網店購買的IRF4905型PMOS管。從圖中可見此PMOS管的字符與常見的IR公司器件有較大差異，遂使用DF-80A型二極管正向壓降測試儀對此mos管進行實際的ID-VDS曲線測試。先從官網下載IRF4905的ID-VDS曲線，可見當Vgs為-6.5V時，Id約在90A時恒流。


	    用二極管測試儀DF-80A連接待測MOS管，測試儀輸出正極接IRF4905的S較，測試儀的負極接IRF4905的D較，用線性穩(wěn)壓電源加電位器接到IRF4905的G較，調節(jié)電位器，使Vgs=-6.5V。


	實際測試：ID掃描范圍：0-100A，測試脈寬300微秒?？傻玫揭粋€奇怪的測試曲線，與數據手冊中的曲線并不一致，在85A附近類似恒流趨勢，但是隨后曲線發(fā)生轉折，變成了近似恒壓曲線。敲開該mos管發(fā)現，內部晶片僅芝麻粒大小。


	    從手冊上可得該PMOS管的電流可達74A，顯然此批料為假貨。如果購料后沒經過測試即上機，幾乎必然出現炸管事故。


	我們再從本地電子市場購買一管IRF4905。再次用DF-80A型二極管正向特性測試儀測量ID-VDS曲線。參數同上：ID掃描范圍：0-100A，300us脈沖寬度。測量結果如下：該曲線與數據手冊的描述相符。


	進一步解剖結果顯示，該PMOS管晶片面積大，且金屬部分呈紫銅色，與假芯片MOS管形成了鮮明對比。而且使用DF-80A型二極管正向壓降測試儀測試時，ID電流均是脈沖形式，平均功率很低，所以待測MOS管均不明顯發(fā)熱，保護器件不受損。


	選定了MOS管的供應商后將挑選參數盡量一致的MOS管。我們用16只IRF4905管并聯(lián)做并聯(lián)分流，這些MOS管源較并聯(lián)，柵較通過電阻網絡連接，漏較懸空待測。測試方法同上。利用該軟件的Excel數據導出功能，可以很方便的比較每個MOS管的特性曲線。


	 


	    圖為16只MOS管的ID-VDS曲線，使用Excel的繪制折線圖功能生成。該曲線清晰展示了有4只mos管的導通電阻小于其余的MOS管，這些MOS管工作時將流過較大的電流，易受損。因此將這四只MOS管換新后，16條ID-VDS曲線近乎**重合，達到了并聯(lián)使用要求。

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詞條說明
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