電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品 ??? 我公司研制的電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品,分別為100Hz、1KHz、5KHz、10KHz、50KHz和200KHz。其中200KHz正在測試階段。
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詞條說明
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4
一、應用范圍 1、高壓實驗 2、電器設備的絕緣耐壓測試 3、 高壓電容耐壓測試 4、電子加速實驗 5、 電離空氣產(chǎn)生等離子體 6、半導體器件測試 7、IGBT測試 8、二極管測試 二、電源參數(shù) 類型 數(shù)值 單位 備注 輸出電壓 0-20.00 kV 電壓控制 0-5 V 電源自帶的多圈電位器可通過0-5V調(diào)節(jié)輸出的0-20kv 過流保護 5 W 當輸出功率大于5W時,電源自動啟動保護 輸出功率 0
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4
毫歐電阻的溫度影響精度測試分析 取樣電阻的溫度影響精度測試分析 分流器的精確測試分析 ? 分流器是測量直流電流用的,根據(jù)直流電流通過阻值很小的電阻時在電阻兩端產(chǎn)生電壓的原理制成。 在實際應用中,要測量一個很大的電流值,沒有大量程的電流表測量其電流,分流器就可以產(chǎn)生作用了。分流器兩端產(chǎn)生毫伏級直流電壓信號,使并接在該分流器兩端的計量表顯示電壓值,分流器的電阻時定值,通過計算得到實際測量的
公司名: 長春艾克思科技有限責任公司
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 0431-81672978
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