AIKS較新隆重推出0-80V高精度可調高壓電源 AIKS研究人員經過反復的研發(fā)和測試,成功的開發(fā)出適用靜電紡絲,高壓靜電除塵,高壓X射線**器等的高精度可調高壓電源。 ? 該電源采用了全橋軟開關技術,使得電源效率大大提高;公司成功克服高功率密度下的絕緣散熱問題,將電源體積大大減小,同時電源允許在**滿負荷的情況下24小時工作。該產品輸出的較大電壓可達80kv,電壓80kv時電流可達到6.67mA,通過手動和紅外遙控方式調節(jié),采取過壓,過流,溫度,短路的保護方式,**設備的安全。 ?
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毫歐電阻的溫度影響精度測試分析 取樣電阻的溫度影響精度測試分析 分流器的精確測試分析 ? 分流器是測量直流電流用的,根據直流電流通過阻值很小的電阻時在電阻兩端產生電壓的原理制成。 在實際應用中,要測量一個很大的電流值,沒有大量程的電流表測量其電流,分流器就可以產生作用了。分流器兩端產生毫伏級直流電壓信號,使并接在該分流器兩端的計量表顯示電壓值,分流器的電阻時定值,通過計算得到實際測量的
正負干擾抵消電光調Q干擾消除方法分析 高壓窄脈沖干擾消除方法分析*二版 電光調Q是一種高壓窄脈沖,具有高電壓、大電流、寬頻帶范圍強干擾的特性,電子設備在如此干擾的環(huán)境中,往往出現(xiàn)死機、誤動作、花屏、甚至燒損等故障,這類故障的形成原因復雜,使用傳統(tǒng)的處理故障手段力所不及。一般情況下,電光調Q形成單向高壓脈沖,雖然采用濾波,屏蔽等手段,能夠降低干擾到原來的10%;但是任然不能滿足精密測試的要求;較高等
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MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析
MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析 BJT?管并聯(lián)均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內阻低、耐壓高、電流大、驅動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數的篩選。 首先我們測試從某網店購買的IRF4
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