擴(kuò)散爐

時(shí)間：2014-10-22作者：青島福潤(rùn)德微電子設(shè)備有限公司瀏覽：25

擴(kuò)散爐由控制系統(tǒng)、進(jìn)出舟系統(tǒng)、爐體加熱系統(tǒng)和氣體控制系統(tǒng)等組成。




控制系統(tǒng)

控制部分包括：溫控器、功率部件、**溫保護(hù)部件、系統(tǒng)控制。

系統(tǒng)控制部分有四個(gè)獨(dú)立的計(jì)算機(jī)控制單元，分別控制每層爐管的推舟、爐溫及氣路部分，是擴(kuò)散/氧化系統(tǒng)的控制中心。

擴(kuò)散爐網(wǎng)絡(luò)控制

輔助控制系統(tǒng)，包括推舟控制裝置、保護(hù)電路、電路轉(zhuǎn)接控制、三相電源指示燈、照明、凈化及抽風(fēng)開關(guān)等。

較**的擴(kuò)散爐控制系統(tǒng)均已較新或升級(jí)到微機(jī)控制，管機(jī)與主機(jī)間通過串口RS232或網(wǎng)線進(jìn)行通信?？刂葡到y(tǒng)軟件大多基于Windows系統(tǒng)，實(shí)用性和可操作性大大提高，能夠?qū)崿F(xiàn)日志記錄，曲線記錄，程序編輯，遠(yuǎn)程控制等多種功能。




進(jìn)出舟系統(tǒng)

水平擴(kuò)散爐進(jìn)出舟系統(tǒng)有二種方式：1）懸臂槳系統(tǒng)；2）軟著陸系統(tǒng)。

懸臂槳系統(tǒng)結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單，SiC槳攜帶舟和硅片進(jìn)入石英爐管后，就停留在石英爐管內(nèi)，直到工藝程序結(jié)束，SiC槳就攜帶舟和硅片慢慢回到原位，懸臂槳系統(tǒng)缺點(diǎn)是槳對(duì)爐管溫度的均勻性有一定的影響，另外，工藝氣體也會(huì)對(duì)槳沉積，影響顆粒。

軟著陸系統(tǒng)較懸臂槳系統(tǒng)較加**，SiC槳進(jìn)入石英工藝爐管后，槳自動(dòng)下沉放下石英舟和硅片，然后慢慢運(yùn)行回原點(diǎn)，最后石英爐管的門自動(dòng)關(guān)閉。軟著陸系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)是沒有SiC槳對(duì)腔體的影響，使得溫度均勻性較好，減少了工藝氣體在SiC槳上的沉積，從而顆粒較少。

推舟凈化柜的**部裝有照明燈；正面是水平層流的高效過濾器及四層推舟的絲杠、導(dǎo)軌副傳動(dòng)系統(tǒng)及SiC懸臂槳座，絲杠的右端安裝有驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)，導(dǎo)軌的兩端是限位開關(guān)。柜子的下部裝有控制電路轉(zhuǎn)接板及凈化用風(fēng)機(jī)。

爐體加熱系統(tǒng)

爐體加熱系統(tǒng)共有六層。**層配置有水冷散熱器及排熱風(fēng)扇，每層加熱爐體間也配置一層水冷系統(tǒng)，隔絕每層爐管的溫度相互影響，廢氣室**部設(shè)有抽風(fēng)口，與外接負(fù)壓抽風(fēng)管道連接后， 可將工藝過程殘 余的廢氣帶走,中間部分分四層放置四個(gè)加熱爐體， 每層由四個(gè)坡面支架托起并固定住加熱爐體，其位置在安裝時(shí)已經(jīng)與推拉舟系統(tǒng)——絲杠、導(dǎo)軌副傳動(dòng)系統(tǒng)及SiC懸臂槳系統(tǒng)或軟著落系統(tǒng)等對(duì)準(zhǔn)中心。




氣體控制系統(tǒng)

氣源柜分為五層。**部設(shè)置有排毒口， 用以排除在換源 過程中泄漏的有害氣體。 柜**設(shè)置有三路工藝氣體及一路壓縮空氣的進(jìn)氣接口， 接口以下安裝有減壓閥、截止閥， 用以對(duì)進(jìn)氣壓力進(jìn)行控制及調(diào)節(jié)。對(duì)應(yīng)于氣路，各層分別裝有相應(yīng)的電磁閥、 氣動(dòng)閥、過濾器、單向閥、質(zhì)量流量控制器、 及源瓶冷阱等。柜子的底部裝有質(zhì)量流量（MFC）控制器電源、控制開關(guān)、保險(xiǎn)等電路轉(zhuǎn)接板以及設(shè)備總電源進(jìn)線轉(zhuǎn)接板。

4應(yīng)用

擴(kuò)散爐用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導(dǎo)纖維等行業(yè)的擴(kuò)散、氧化、退火、合金及燒結(jié)等工藝。

擴(kuò)散工藝的主要用途是在高溫條件下對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行摻雜，即將元素磷、硼擴(kuò)散入硅片，從而改變和控制半導(dǎo)體內(nèi)雜質(zhì)的類型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區(qū)域。

較新的低壓磷擴(kuò)散利用低壓氛圍可以得到較好的方塊電阻均勻性和較大的生產(chǎn)批量，同時(shí)對(duì)環(huán)境的影響較小。

氧化工藝是使硅片表面在高溫下與氧化劑發(fā)生反應(yīng)，生長(zhǎng)一層二氧化硅膜。

氧化方法有干氧和濕氧，濕氧包括水汽氧化和氫氧合成兩種。








青島福潤(rùn)德微電子設(shè)備有限公司專注于鏈?zhǔn)綘t排,全自動(dòng)擴(kuò)散爐,小型真空爐,加熱爐體,石棉圈,小型馬弗爐等

• 詞條

  詞條說明

• 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD)

  ? 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD) PECVD（等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積）設(shè)備是一種用于在基片上生成高質(zhì)量SiNx和SiO2薄膜的**設(shè)備。淀積溫度范圍寬( 100～600oC可調(diào))，特別適用于半導(dǎo)體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性。目前，它已成為微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 1、膜質(zhì)量高。它不同于通常使用的翻蓋式單室機(jī)（易漏大氣而

• LPCVD設(shè)備

  LPCVD設(shè)備維修及應(yīng)用 低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備使用與維護(hù)技術(shù) LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導(dǎo)體光電器件工藝領(lǐng)域里的主要工藝之一。 PCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺(tái)階覆蓋性好等優(yōu)點(diǎn)，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設(shè)備使用過程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內(nèi)均勻性、片間均勻性不理想等問題，提

• 鏈帶式焊接爐

  鏈帶式焊接爐技術(shù)方案 鏈帶式焊接爐主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件，金屬陶瓷，可控硅器件，玻璃封裝器件以及各種厚膜電路等焊接和燒結(jié)的連續(xù)工作的隧道式結(jié)構(gòu)熱處理爐。 一、主要技術(shù)指標(biāo) 1、設(shè)計(jì)溫度：≤700℃ 2、工作溫度：300℃~600℃ 3、爐內(nèi)控溫：±5℃ 4、儀表控制精度：±1℃ 5、設(shè)備總長(zhǎng)度：約10600mm；進(jìn)出口臺(tái)面各為：800mm。 6、加熱區(qū)長(zhǎng)度：≤3000mm（6段加熱） 7、冷卻區(qū)長(zhǎng)

• led**爐

  ■ LED**爐特點(diǎn)?? ◆ 關(guān)鍵件全部采用進(jìn)口件，具有高可靠性 ◆ 具有可編程的升、降溫功能???????? ◆ 具有斷電報(bào)警、**溫報(bào)警、極限**溫報(bào)警等多種安全保護(hù)功能。 ◆ 具有高抗干擾能力 ◆ 具有多種工藝管路，可供用戶隨意靈活配置?? ?★?賽瑞達(dá)可