等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD)

時間：2014-10-22作者：青島福潤德微電子設(shè)備有限公司瀏覽：59

等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD)

PECVD（等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積）設(shè)備是一種用于在基片上生成高質(zhì)量SiNx和SiO2薄膜的**設(shè)備。淀積溫度范圍寬( 100～600oC可調(diào))，特別適用于半導(dǎo)體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性。目前，它已成為微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 1、膜質(zhì)量高。它不同于通常使用的翻蓋式單室機(jī)（易漏大氣而使淀積的薄膜質(zhì)量不高），而是一種操作方便的雙室系統(tǒng)。由于采用了特殊的反應(yīng)室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在薄膜生長過程中反應(yīng)室不存在漏大氣的問題，因此生成的膜質(zhì)量很高。例如，生長的SiNx薄膜抗氫氟酸和氫氧化鉀腐蝕的能力強(qiáng)。折射系數(shù)大于2。 2、粉塵少。特殊腔室結(jié)構(gòu)克服了以往常規(guī)方法淀積時粉塵多的缺點(diǎn)。 3、均勻性好。反應(yīng)室內(nèi)采用了多級勻氣系統(tǒng)，故薄膜的均勻性好。 4、淀積溫度范圍寬（100～600℃可調(diào)），工作控溫精度在± 1℃。 除淀積SiN、SiO2、非晶硅、多晶硅外，還可用于探索特殊新材料的研究。 特別適合科研和小規(guī)模生產(chǎn)！升級后的HQ-08型PECVD增加了自動程序控制和射頻自動匹配，使操作較加簡單、重復(fù)。 配置及指標(biāo)： 1、特別的平板式雙反應(yīng)室系統(tǒng)1套。帶加溫和勻氣系統(tǒng)。 2、機(jī)械泵2個；分子泵1套，帶控制電源。 3、射頻電源一套，帶正向功率和反射功率計(jì)指示，帶匹配器。 4、數(shù)字定時器1只，精度1秒。 5、數(shù)字溫度控制系統(tǒng)1套，控制精度±1度。 6、自動恒(氣)壓系統(tǒng)1套(自選件)。 7、質(zhì)量流量計(jì)4個；氣路4路(可增選)。 8、PECVD淀積：二氧化硅，氮化硅，類金剛石等 9、均勻性誤差：≤ ± 4％( 4英寸內(nèi)) 10、4英寸，兼容3英寸，2英寸及小碎片。 11、工作溫度：100～600℃ 控溫精度：≤ ±1℃


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