KRI 離子源應(yīng)用于車載AR-HUD 鍍膜

時(shí)間：2024-01-10

HUD 已經(jīng)成為一種常見的汽車配置與功能, 通過它來直觀顯示速度、發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速或其他懸停在駕駛員視野中的信息, 減少因低頭查看儀表盤而造成的分心, 提升駕駛. 目前量產(chǎn)的車用抬頭顯示 HUD 正在從風(fēng)擋型 W-HUD 逐漸向增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)型的 AR-HUD 發(fā)展：從單純的信息展示屏幕, 變成了具有在實(shí)際路況位置產(chǎn)生警示符號(hào)的增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR) 效果.

W-HUD/AR-HUD 一直都依賴光學(xué)凹面鏡成像原理實(shí)現(xiàn)距離與視覺尺寸的放大, AR-HUD大的技術(shù)挑戰(zhàn)在于:高放大倍率所衍生的高倍率畸變差暈眩問題與太陽光倒灌燒毀光機(jī)的問題. 要使用越小的體積產(chǎn)生同樣的長虛像距離 (VID) 距離, 放大倍率就得越大. 放大倍率越大, 陽光倒灌與暈畸變差眩就越嚴(yán)重. 防陽光倒灌濾光片可通過 RGB 窄帶濾光片來實(shí)現(xiàn). 濾光片可實(shí)現(xiàn)可見光波段的高透過率, 同時(shí)截止近紅外和紫外波段, 獲得高的亮度測量靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍.

KRi 離子源應(yīng)用于車載AR-HUD 鍍膜

上海伯東某客戶使用的鍍膜設(shè)備, 配備美國 KRI 射頻離子源輔助鍍膜通過測驗(yàn), 得到具有高透過率、高匹配精度、膜層致密度和牢固度, 高低溫變化波長不漂移, 惡劣環(huán)境下耐久性良好的 RGB 窄帶濾光片, 上海伯東為車載AR-HUD TFT 防陽光倒灌提供了鍍膜解決方案.

上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間長! 射頻源 RF 系列提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動(dòng)控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.

射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

型號(hào)	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	22 cm Φ	38 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 羅小姐

詞條
詞條說明
HVA 真空閥門應(yīng)用于E-Beam 鍍膜機(jī)
某品牌?Sputtering + E-Beam PVD?鍍膜機(jī)系統(tǒng)采用?HVA?真空閥門?11000, HVA?真空閥門安裝在分子泵口便于泵的檢修,同時(shí)外系統(tǒng)停機(jī)時(shí)不破壞系統(tǒng)真空,?只要對(duì)泵內(nèi)部進(jìn)行破真空即可.E-Beam?鍍膜機(jī)設(shè)備組成:?系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室,?電子,?進(jìn)樣室
上海伯東美國 HVA 真空閥門在真空退火爐中的應(yīng)用
真空退火爐主要適用于不銹鋼拉深件如水暖器材/ 水脹件/ 醫(yī)療器械/ 不銹鋼釘/ 不銹鋼鏍絲/ 壓鉚件/ 不銹鋼軸承/ 表殼/ 表帶/ / 微型軸/ 自攻自鉆/ 餐具等不銹鋼制品在保護(hù)氣氛控制下進(jìn)行連續(xù)光亮退火/ 固溶/ 退磁及不銹鋼淬火處理的多用爐.??處理后產(chǎn)品表面光潔, 不氧化, 不脫碳. 具有生產(chǎn)效, 能耗低, 污染少, 操作使用方便, 勞動(dòng)強(qiáng)度低等優(yōu)點(diǎn).也可供金屬材料釬
分子泵組應(yīng)用于低溫真空探針臺(tái)
Pfeiffer?分子泵組應(yīng)用于低溫真空探針臺(tái)真空探針臺(tái)一般用于復(fù)雜, 高速精密器件進(jìn)行表面觀測以及各種性能測試的儀器, 通過測試可以產(chǎn)品的質(zhì)量和性并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本. 探針臺(tái)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè), 光電行業(yè), 集成電路以及封裝的測試為什么需要真空環(huán)境?1. 真空探針臺(tái)通過搭配分子泵組, 配合真空吸附卡盤及真空吸附探針座的使用, 通過空氣壓縮, 固定樣品及探針座.2. 由
KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜
硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過