KRI 離子源用于離子束拋光機(jī)

     

        離子束拋光適用于大面積、異型、特殊材料等加工對(duì)象的非接觸式修形及拋光, 精度可達(dá)亞納米級(jí), 被譽(yù)為拋光. 離子束拋光機(jī)的部件是可聚焦的高能量離子源. 上海伯東某客戶為精密光學(xué)元器件設(shè)備制造商, 主要產(chǎn)品為離子束拋光機(jī)、磁流變拋光機(jī)等, 提供精密光學(xué)工藝制造研發(fā)服務(wù), 是一家精密光學(xué)元器件解決方案提供商. 經(jīng), 該客戶采用上海伯東美國 KRi 直流電源式考夫曼離子源 KDC 系列成功應(yīng)用于光學(xué)鍍膜離子束拋光機(jī).

     

    KRI 離子源用于離子束拋光機(jī):  

    應(yīng)用方向:非接觸式亞納米離子束表面修形

    應(yīng)用領(lǐng)域:半導(dǎo)體/精密光學(xué)

    產(chǎn)品類別:高精密光學(xué)器件

    加工指標(biāo):

    1. 加工尺寸能力 5-1200mm ;

    2. 采用非接觸式加工, 無邊緣效應(yīng), 不產(chǎn)生亞表面損傷;

    3. 亞納米加工精度, 可實(shí)現(xiàn)面型 RMS<3nm 拋光能力;

    4. 加工光學(xué)元器件形狀有:平面、球面、非球面、自由曲面、離軸非球面等;

    5. 加工光學(xué)元器件材料有:石英玻璃、微晶、低膨脹玻璃、KDP 晶體、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、紅外材料等. 

     

        美國 KRI 考夫曼公司新升級(jí) Gridded KDC 系列離子源, 新的特性包含自對(duì)準(zhǔn)離子光學(xué)和開關(guān)式電源控制. 考夫曼離子源 KDC 系列包含多種不同尺寸的離子源滿足各類應(yīng)用. 考夫曼離子源通過控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使拋光刻蝕速率快準(zhǔn)確, 拋光后的基材上獲得平坦, 均勻性高的薄膜表面. KDC 考夫曼離子源內(nèi)置型的設(shè)計(jì)符合離子源在離子拋光機(jī)內(nèi)部的移動(dòng)運(yùn)行.

     

    上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列根據(jù)客戶離子拋光工藝條件提供如下型號(hào):

     

    型號(hào)

    KDC 10

    KDC 40

    KDC 75

    KDC 100

    KDC 160

    Discharge 陽

    DC 電流

    DC 電流

    DC 電流

    DC 電流

    DC 電流

    離子束流

    >10 mA

    >100 mA

    >250 mA

    >400 mA

    >650 mA

    離子動(dòng)能

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    柵直徑

    1 cm Φ

    4 cm Φ

    7.5 cm Φ

    12 cm Φ

    16 cm Φ

    離子束

    聚焦, 平行, 散射

     

    流量

    1-5 sccm

    2-10 sccm

    2-15 sccm

    2-20 sccm

    2-30 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    長度

    11.5 cm

    17.1 cm

    20.1 cm

    23.5 cm

    25.2 cm

    直徑

    4 cm

    9 cm

    14 cm

    19.4 cm

    23.2 cm

    中和器

    燈絲

     


    上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

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