晶柱成長制程

時間：2020-05-11

  《晶柱成長制程》
　　硅晶柱的長成，首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中，并加入預先設定好的金屬物質，使產生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質，接著需要將所有物質融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹。  
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長晶主要程序︰ 
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融化（MeltDown） 
　　此過程是將置放于石英坩鍋內的塊狀復晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來融化復晶硅，石英坩鍋的壽命會降低，反之功率太低則融化的過程費時太久，影響整體的產能。 
  
頸部成長（Neck Growth） 
　　當硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將<1.0.0>方向的晶種漸漸注入液中，接著將晶種往上拉升，并使直徑縮小到一定（約6mm），維持此直徑并拉長10-20cm，以消除晶種內的排差（dislocation），此種零排差（dislocation-free）的控制主要為將排差局限在頸部的成長。 
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晶冠成長（Crown Growth） 
　　長完頸部后，慢慢地降低拉速與溫度，使頸部的直徑逐漸增加到所需的大小。  
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晶體成長（Body Growth） 
    利用拉速與溫度變化的調整來遲維持固定的晶棒直徑，所以坩鍋必須不斷的上升來維持固定的液面高度，于是由坩鍋傳到晶棒及液面的輻射熱會逐漸增加，此輻射熱源將致使固業(yè)界面的溫度梯度逐漸變小，所以在晶棒成長階段的拉速必須逐漸地降低，以避免晶棒扭曲的現(xiàn)象產生。 
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尾部成長（Tail Growth） 
　　當晶體成長到固定（需要）的長度后，晶棒的直徑必須逐漸地縮小，直到與液面分開，此乃避免因熱應力造成排差與滑移面現(xiàn)象。

詞條
詞條說明
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