微光顯微鏡技術(shù)介紹

時(shí)間：2018-06-26作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：93

儀準(zhǔn)科技*生產(chǎn)的微光顯微鏡，失效分析設(shè)備，失效分析實(shí)驗(yàn)室建設(shè)
就半導(dǎo)體元器件故障失效分析而言，微光顯微鏡EMMI是一種相當(dāng)有用且效率較高的分析工具。主要偵測(cè)IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination會(huì)放出光子(Photon)。 
  
舉例說(shuō)明：在P-N 結(jié)加偏壓，此時(shí)N阱的電子很*擴(kuò)散到P阱，而P的空穴也*擴(kuò)散至N然後與P端的空穴（或N端的電子）做 EHP Recombination。 
故障分析微光顯微鏡，失效分析設(shè)備，失效分析實(shí)驗(yàn)室建設(shè) 
偵測(cè)得到亮點(diǎn)之情況： 
會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷 - 漏電結(jié)（Junction Leakage）; 接觸毛刺（Contact spiking）; （熱電子效應(yīng)）Hot electrons;閂鎖效應(yīng)（ Latch-Up）;氧化層漏電（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶須（Poly-silicon filaments）; 襯底損傷（Substrate damage）; （物理?yè)p傷）Mechanical damage等。 
ADVANCEDYI儀準(zhǔn)科技*的用于實(shí)驗(yàn)室高精度電流異常失效分析，位置確認(rèn)。 
原有的亮點(diǎn) - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。 
 
偵測(cè)不到亮點(diǎn)之情況： 
不會(huì)出現(xiàn)亮點(diǎn)的故障 - 歐姆接觸；金屬互聯(lián)短路；表面反型層；硅導(dǎo)電通路等。 
亮點(diǎn)被遮蔽之情況 - Buried Junctions及Leakage sites under metal，這種情況可以采用backside模式，但是只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。 
 
OBIRCH（光束誘導(dǎo)電阻變化） 
光誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）模式能快速準(zhǔn)確的進(jìn)行IC中元件的短路、布線和通孔互聯(lián)中的空洞、金屬中的硅沉積等缺陷。其工作原理是利用激光束在恒定電壓下的器件表面進(jìn)行掃描，激光束部分能量轉(zhuǎn)化為熱能，如果金屬互聯(lián)線存在缺陷，缺陷處溫度將無(wú)法*通過(guò)金屬線傳導(dǎo)散開(kāi)，這將導(dǎo)致缺陷處溫度累計(jì)升高，并進(jìn)一步引起金屬線電阻以及電流變化，通過(guò)變化區(qū)域與激光束掃描位置的對(duì)應(yīng)，定位缺陷位置。OBIRCH模式具有高分辨能力，其測(cè)試精度可達(dá)nA級(jí)。 
PEM（Photo Emission Microscope) 
光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與光**（EMMI）常見(jiàn)集成在一個(gè)檢測(cè)系統(tǒng)，合稱PEM（Photo Emission Microscope)，兩者互為補(bǔ)充，能夠很好的應(yīng)對(duì)絕大多數(shù)失效模式。 
EMMI (Enhanced Man Machine Interface) 加強(qiáng)版人機(jī)交互界面，可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體元器件精準(zhǔn)測(cè)量。 


儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司專注于手動(dòng)探針臺(tái),probe,station等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 芯片失效分析流程

  典型失效分析流程失效分析 一、失效分析簡(jiǎn)述 失效分析是一門(mén)新興發(fā)展中的學(xué)科，在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)開(kāi)發(fā)、改進(jìn)，產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義。 二、開(kāi)展失效分析的意義 失效分析對(duì)產(chǎn)品的生產(chǎn)和使用都具有重要的意義，失效可能發(fā)生在產(chǎn)品壽命周期的各個(gè)階段，涉及產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)、來(lái)料檢驗(yàn)、加工組裝、測(cè)試篩選、客戶端使用等各個(gè)環(huán)節(jié)，通過(guò)分析工藝廢次品、早期失效、試驗(yàn)失效、中試失效以及現(xiàn)場(chǎng)失效的樣

• 開(kāi)封機(jī)類型 開(kāi)封機(jī)功能介紹

  芯片開(kāi)封機(jī)分用化學(xué)腐蝕和激光開(kāi)封兩種，區(qū)別是激光開(kāi)封比較簡(jiǎn)單，而且開(kāi)封銅線邦定的效果好 開(kāi)封指去除ic封膠，同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。也稱為開(kāi)蓋，開(kāi)帽,去封范圍：普通封裝COB、BGA 陶瓷、金屬等其它特殊封裝。 芯片IC半導(dǎo)體元器件開(kāi)封機(jī)decap酸開(kāi)封機(jī)自動(dòng)開(kāi)封機(jī)激

• 熱插拔帶來(lái)的EOS損壞

  熱插拔帶來(lái)的EOS損壞 \使用USB接口的產(chǎn)品，如果熱插拔設(shè)計(jì)存在問(wèn)題的話，*帶來(lái)EOS破壞。 產(chǎn)品熱插拔的時(shí)候，可能會(huì)帶來(lái)瞬時(shí)的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發(fā)芯片產(chǎn)生大電流的latchup效應(yīng)，最后燒壞芯片或器件。 某產(chǎn)品試用時(shí)，插拔時(shí)頻頻出現(xiàn)損壞，經(jīng)過(guò)比對(duì)電性分析，發(fā)現(xiàn)電性明顯異常，進(jìn)行EMMI測(cè)試，發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點(diǎn)，在顯微鏡下，發(fā)現(xiàn)鋁線燒損，判

• 芯片開(kāi)封技術(shù)介紹decap

  開(kāi)封, 即開(kāi)蓋/開(kāi)帽, 指去除ic封膠, 同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備. 去封范圍：* 普通封裝* COB、BGA * 陶瓷、金屬等其它特殊封裝 芯片開(kāi)封機(jī)介紹： 美國(guó)RKD生產(chǎn)的RKD 酸開(kāi)封機(jī)是一臺(tái)自動(dòng)混酸開(kāi)封機(jī)，通過(guò)整合了***的特點(diǎn)使得它可以獲得較高的產(chǎn)能。新開(kāi)封機(jī)