產(chǎn)業(yè)*解讀功率半導(dǎo)體行業(yè)

時間：2020-04-10作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：110

*簡介三年以上**半導(dǎo)體企業(yè)工作經(jīng)驗，曾任職于Infineon（英飛凌）、Nexperia(安世)，對功率半導(dǎo)體行業(yè)有著深刻的洞察力。紀要內(nèi)容功率半導(dǎo)體的分類，*三代半導(dǎo)體材料特性，市場的信息，**的一些主流的玩家，國內(nèi)上升趨勢非常好的一些公司。

目前**的功率半導(dǎo)體器件主要由歐洲、美國、日本三個國家和地區(qū)提供，他們憑借**的技術(shù)和生產(chǎn)制造工藝，以及良好的品質(zhì)管理體系，大約占據(jù)了**70％的市場份額。

而在需求端，**約有39％的功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)能被中國大陸所消耗，是**較大的需求大國，但其自給率卻僅有10％，嚴重依賴進口。

功率半導(dǎo)體可以分為三大類，一類是功率集成電路，也就是IC類的功率器件；第二類是功率模組，*三大類是功率分立器件。功率分立器件二極管、三極管，MOSFET,IGBT等。?
功率半導(dǎo)體應(yīng)用場景有工業(yè)應(yīng)用市場，汽車應(yīng)用市場，消費類電子應(yīng)用和無線通訊應(yīng)用。其中工業(yè)應(yīng)用市場占比較大。
三代半導(dǎo)體材料將長期共存。**代半導(dǎo)體：以硅（Si）和鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體為代表；*二代半導(dǎo)體：以砷化鎵（GaAs）和磷化銦（lnP）等化合物半導(dǎo)體為代表；*三代半導(dǎo)體：以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶半導(dǎo)體為代表。*三代半導(dǎo)體材料具有高光效、高功率、高電壓、高頻率的特性。
在中小功率領(lǐng)域（電壓 900V 以下），功率 MOSFET及**節(jié)MOSFET 應(yīng)用較為廣泛。在*功率領(lǐng)域（電壓 1200V-6500V），IGBT 是主流產(chǎn)品，這也是汽車所適用的主流功率器件。在**大功率領(lǐng)域（電壓 3.3kV 以上、容量 1-45MW），晶閘管和集成門較換流晶閘管 （IGCT）市場廣闊。

近幾年**功率半導(dǎo)體市場規(guī)模一直穩(wěn)定在 150-200 億美元的水平，占到** 半導(dǎo)體市場規(guī)模 5%左右的比例。絕大多數(shù)市場被國外廠商壟斷，包括英飛凌， TI， NXP，日本瑞薩等，中國產(chǎn)品還有很大的替代空間，**名廠商占 有 57%的市場份額。相對于集成電路行業(yè)， 分立器件市場集中度較低， 商業(yè) 生態(tài)壁壘不高。

功率半導(dǎo)體市場中，占比較大的企業(yè)是 infineon，19%；按照產(chǎn)品種類來劃分， 較重要的產(chǎn)品是 mosfet 和 IGBT。其他產(chǎn)品，BJT，晶閘管以及二極管等市場 非常分散且**量較低。根據(jù) IHS 資料，2016 年 MOSFET 占晶體管總市場的 55％，其次是 IGBT 和 BJT 的 30％和 15％的份額。
從較主要的 IGBT 和 MOSFET 市場來看，Infineon 均為市占率******的位置。其他公司，包括三菱電機，富士電機，Renesas 和 ST 也占據(jù)了較高的市場份額。不同于二極管市場和晶體管市場的高度分散化， IGBT 和 MOSFET 市場由于其技術(shù)門檻較高，具備較高的市場集中度。

中國國內(nèi)的IGBT市場約占**總需求的50%。但目前國內(nèi)市場份額主要被**成員壟斷，國產(chǎn)化率只有11%。嘉興斯達為國內(nèi)IGBT**企業(yè)，其產(chǎn)品也有汽車級。目前大陸以揚杰科技、華微電子、士蘭微、捷捷微為代表的功率半導(dǎo)體**企業(yè)市場占有率非常低，進口替代的空間巨大。國內(nèi)具備一定市場地位的專業(yè)車用半導(dǎo)體廠商，比亞迪，江蘇宏微相對**。問答環(huán)節(jié)問題1：如何看待大陸公司通過收購安世來進軍功率半導(dǎo)體領(lǐng)域？未來是否能夠追趕上英飛凌等**企業(yè)？

答：大陸公司來收購一些國外已經(jīng)成熟的企業(yè)，有很多是一些優(yōu)質(zhì)資產(chǎn)。個人的角度來看是偏正面的，確實是可以幫助我們的大陸公司加快對這個領(lǐng)域的進軍。

安世半導(dǎo)體未來是否能夠追趕上英飛凌？首先不是同一個規(guī)模的公司。其次安世半導(dǎo)體在他能夠涉及的領(lǐng)域，有一些產(chǎn)品是屬于**梯隊的。

問題2：目前的大陸的公立半導(dǎo)體廠商眾多，什么樣的企業(yè)較*勝出？

答：技術(shù)是否良好，性價比是否足夠高，然后服務(wù)、供貨穩(wěn)定性，產(chǎn)品多樣性，未來產(chǎn)品及市場布局，等等。這些特質(zhì)的話會決定企業(yè)的競爭力，所以這是一個需要綜合多方面去考慮問題。

問題3：評判功率器械的技術(shù)指標(biāo)有哪些？

答：簡單來講主要的幾個方向：電壓等級，工作頻率，工作的功率等。


儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司專注于手動探針臺,probe,station等

• 詞條

  詞條說明

• FIB功能介紹

  FIB - SEM雙束系統(tǒng)在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用 隨著半導(dǎo)體電子器件及集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，器件及電路結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜，這對微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB - SEM雙束系統(tǒng)所具備的強大的精細加工和微觀分析功能，使其廣泛應(yīng)用于微電子設(shè)計和制造領(lǐng)域。 基本原理： FIB - SEM雙束系統(tǒng)是指同時具有聚焦離子束（Focused Ion Beam，F(xiàn)IB）和掃描電子顯微鏡（

• 芯片開封方式

  芯片封裝如何去除？---芯片開封介紹 芯片開封也就是給芯片做外科手術(shù)，通過開封我們可以直觀的觀察芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，開封后可以結(jié)合OM分析判斷樣品現(xiàn)狀和可能產(chǎn)生的原因。 開封的含義：Decap即開封，也稱開蓋，開帽，指給完整封裝的IC做局部腐蝕，使得IC可以暴露出來，同時保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-不受損傷, 為下一步芯片失效分析實

• 失效分析技術(shù)總結(jié)

  1.外觀檢查 外觀檢查就是目測或利用一些簡單儀器，如立體顯微鏡、金相顯微鏡甚至放大鏡等工具檢查PCB的外觀，尋找失效的部位和相關(guān)的物證，主要的作用就是失效定位和初步判斷PCB的失效模式。外觀檢查主要檢查PCB的污染、腐蝕、爆板的位置、電路布線以及失效的規(guī)律性、如是批次的或是個別，是不是總是集中在某個區(qū)域等等。另外，有許多PCB的失效是在組裝成PCBA后才發(fā)現(xiàn)，是不是組裝工藝過程以及過程所用材料的影

• 聚焦離子束FIB

  聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強電流離子束對表面原子進行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。 服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲，自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改