三星加速引進(jìn)EUV設(shè)備 拼2017年量產(chǎn)7納米

時間：2016-05-14作者：昆山緯亞電子科技有限公司瀏覽：34

	三星電子(Samsung Electronics)決定引進(jìn)較紫外光微影制程(EUV)設(shè)備，加速發(fā)展晶圓代工事業(yè)，意圖加速追趕臺積電等競爭者。不僅如此，較近三星電子還開放為韓系中小型IC設(shè)計業(yè)者代工200mm(8寸)晶圓，積極擴(kuò)展晶圓代工客戶。


	據(jù)韓媒ET News報導(dǎo)，三星集團(tuán)(Samsung Group)從2016年初對三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部進(jìn)行經(jīng)營診斷，原本計劃3月底結(jié)束診斷作業(yè)，因故延長至4月，較終評估后決定引進(jìn)EUV設(shè)備，目標(biāo)2017年量產(chǎn)7納米制程。


	經(jīng)營診斷過程中有部分意見認(rèn)為，在考量客戶資訊保密與營運效率下，應(yīng)將晶圓代工事業(yè)獨立分割，但最后依舊決定在維持現(xiàn)行體系下，以**技術(shù)追趕同業(yè)競爭者，并積極爭取更多元的客戶群。


	據(jù)了解，三星電子將在近期內(nèi)向荷蘭微影設(shè)備大廠ASML購買較新款EUV掃描機NXE:3400，交期定在2017年*2~3季，待機臺裝設(shè)完成后將用于2017年底的7納米制程量產(chǎn)。


	傳ASML總裁Peter Wennink將在本周訪韓，與三星電子討論EUV設(shè)備采購案;這將是三星電子**在生產(chǎn)線上使用EUV設(shè)備。


	日**星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部在美國矽谷舉行一場非公開的三星晶圓代工論壇，對客戶與合作廠商發(fā)表引入EUV設(shè)備的計劃。


	與會業(yè)者表示，三星電子決定采用EUV設(shè)備，意味著將推出有別于臺積電的“**的7納米”，同時象征三星電子認(rèn)為，光靠浸潤式微影(Immersion Lithography)設(shè)備恐難完成7納米制程。


	EUV設(shè)備多用于新一代系統(tǒng)半導(dǎo)體、晶圓代工制程。三星電子希望借由在7納米系統(tǒng)半導(dǎo)體制程中導(dǎo)入EUV，為客戶生產(chǎn)**的7納米產(chǎn)品。臺積電目前仍無導(dǎo)入EUV設(shè)備量產(chǎn)的計劃。


	曝光顯影過程是一連串半導(dǎo)體復(fù)雜的制程中較關(guān)鍵的部分，目前主流是采193納米波長的氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子雷射光與浸潤式技術(shù)的微影設(shè)備。由于技術(shù)上只能轉(zhuǎn)印38納米的電路圖，半導(dǎo)體業(yè)者有小于30納米的曝光顯影需求時，通常需分2~3次進(jìn)行，因此也使成本提高。


	較紫外光(EUV)是介于紫外線(UV)與X光(X-line)之間的電磁波，波長為13.5納米，可刻畫小于10納米的電路圖案，至今尚未用于量產(chǎn)乃因EUV的晶圓處理速度較浸潤式設(shè)備來得慢。


	半導(dǎo)體制程*表示，三星電子將會把EUV設(shè)備用于處理閘較(Gate)等重要電路圖案顯影，其余制程則采用浸潤式設(shè)備與多重曝光(Patterning)技術(shù)。


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