DPA電子元器件失效分析案例

時(shí)間：2023-06-15作者：英格爾檢測(cè)技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司瀏覽：69

在電子元器件使用過程中，企業(yè)會(huì)面臨情況不一的失效狀況，主要包括器件本身缺陷：封裝工藝缺陷與芯片微納缺陷及其他、靜電放電損傷、污染腐蝕以及爆米花效應(yīng)等。近日英格爾檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室，受到某**企業(yè)的電子元器件DPA失效分析技術(shù)委托。英格爾檢測(cè)擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)與**儀器，可為企業(yè)提供專業(yè)高效且完善的檢測(cè)分析服務(wù)。



英格爾檢測(cè)DPA失效分析-----案例分享

英格爾實(shí)驗(yàn)室在某塑料封裝的放大器在裝機(jī)后進(jìn)行了溫沖、溫循、電老煉、振動(dòng)等環(huán)境試驗(yàn)，均未出現(xiàn)異常，但是在終端客戶累積使用60小時(shí)后，該放大器發(fā)生失效。

經(jīng)英格爾分析*檢查發(fā)現(xiàn)：放大芯片上VDD端口的濾波電容、電阻和金屬化均存在嚴(yán)重的過流燒毀形貌，電容燒毀點(diǎn)附近的金屬電極、電容介質(zhì)層、金屬互連線均存在明顯的機(jī)械損傷形貌。因此，可以確定電源端濾波電容受到機(jī)械損傷，導(dǎo)致電容耐壓能力下降，在電應(yīng)力的作用下，出現(xiàn)擊穿燒毀而失效。

英格爾檢測(cè)：放大器化學(xué)開封后芯片整體形貌：

英格爾檢測(cè)：放大器芯片VDD端口附近燒毀形貌： 

英格爾檢測(cè)：放大器芯片A位置電容燒毀SEM形貌：

英格爾檢測(cè)：電容介質(zhì)層機(jī)械損傷放大SEM形貌:

英格爾案例啟示：某些器件缺陷由于較為隱蔽，前期的一些通用可靠性試驗(yàn)并不能完全篩選出來，還是需要針對(duì)特定的芯片缺陷或失效模式，制定**的可靠性試驗(yàn)方案。本案中，關(guān)鍵失效點(diǎn)是電容介質(zhì)層受到機(jī)械損傷導(dǎo)致的耐壓能力下降，因此在可靠性試驗(yàn)設(shè)計(jì)中可以適當(dāng)增加電源電壓、溫度或者時(shí)間等應(yīng)力。

針對(duì)企業(yè)對(duì)于電子元器件DPA失效分析需求，英格爾檢測(cè)制定了可靠的分析方案，避免企業(yè)損失、提高生產(chǎn)效率、**產(chǎn)品質(zhì)量。英格爾檢測(cè)*將對(duì)整個(gè)案例進(jìn)行梳理，當(dāng)前較有效的方法就是進(jìn)行器件DPA-內(nèi)部目檢，對(duì)策就是不接收有脫皮、空洞、劃痕等金屬化層。英格爾檢測(cè)*建議，企業(yè)若想保證產(chǎn)品的可靠性，需要從元器件質(zhì)量檢測(cè)開始著手，反之缺陷藏得越深則損失越大。


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