創(chuàng)芯未來鵬城半導體亮相*二屆碳基半導體材料與器件產業(yè)發(fā)展論壇

時間：2022-07-22

半導體行業(yè)技術高、進步快，一代產品需要一代工藝，而一代工藝需要一代設備。**半導體設備市場集中度高，主要有美日荷廠商壟斷，國內自給率僅有 5%左右，國產替代空間巨大。尤其是隨著摩爾定律趨近極限，半導體行業(yè)技術進步放緩，國內廠商與****技術差距正在逐漸縮短，未來 3-5 年將是半導體設備國產替代黃金戰(zhàn)略機遇期。

鵬城半導體技術（深圳）有限公司作為一家半導體材料、工藝和裝備的研發(fā)設計、生產制造集一體的公司，由哈爾濱工業(yè)大學（深圳）與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。依托于哈爾濱工業(yè)大學（深圳），具備**的半導體研發(fā)設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司人才團隊知識結構完整，有以哈工大教授和博士為**的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業(yè)界的**裝備設計師團隊，他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。公司立足于技術*與市場*的交叉點，尋求創(chuàng)新**與可持續(xù)發(fā)展，解決產業(yè)的痛點和國產化難題，爭取產業(yè)鏈的自主可控。

總部位于深圳市光明區(qū)，設有中試基地，并在沈陽市設有全資子公司，具備半導體裝備的研發(fā)、生產、調試以及半導體材料與器件的中試、生產、銷售的能力，未來將充分發(fā)揮在信息化領域的技術優(yōu)勢，以創(chuàng)新技術和產品持續(xù)為行業(yè)落地應用賦能，助力半導體產業(yè)協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展。

2022年8月3-5日，鵬城半導體技術（深圳）有限公司亮相由DT新材料主辦的*二屆碳基半導體材料與器件產業(yè)發(fā)展論壇（CarbonSemi 2022）展位號A20，相約浙江寧波東港喜來登酒店，歡迎大家蒞臨展位參觀交流！

參展展品-高真空磁控濺射儀

薄膜沉積是集成電路制造過程中**的環(huán)節(jié)，尤其是作為一種非熱式鍍膜技術應用在微電子領域占據(jù)重要地位。傳統(tǒng)的薄膜沉積工藝主要有物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）等氣相沉積工藝。

高真空磁控濺射儀（磁控濺射鍍膜機）是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質復合膜及其它化學反應膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。

設備關鍵技術特點

秉承設備為工藝實現(xiàn)提供實現(xiàn)手段的理念，我們做了如下設計和工程實現(xiàn)，實際運行效果良好，為用戶的**工藝實現(xiàn)提供了精準的工藝設備方案。

靶材背面和濺射靶表面的結合處理

靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導致離化電場的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場分壓增大），導致鍍膜效果不好；電阻增大導致靶材發(fā)熱升溫，降低鍍膜質量。靶材和靶面接觸不良，導致水冷效果不好，降低鍍膜質量。增加一層特殊導電導熱的軟薄的物質，保證面接觸。

距離可調整：基片和靶材之間的距離可調整，以適應不同靶材的成膜工藝的距離要求。

角度可調：磁控濺射靶頭可調角度，以便針對不同尺寸基片的均勻性，做精準調控。

集成一體化柜式結構

一體化柜式結構優(yōu)點：安全性好（操作者不會觸碰到高壓部件和旋轉部件）；占地面積小，尺寸約為：長1100mm×寬780mm（標準辦公室門是800 mm寬）（傳統(tǒng)設備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場地，可以放兩臺設備。

控制系統(tǒng)：采用計算機＋PLC兩級控制系統(tǒng)

安全性

-電力系統(tǒng)的檢測與保護

-設置真空檢測與報警保護功能

-溫度檢測與報警保護

-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量

-檢測與報警保護

勻氣技術：工藝氣體采用勻氣技術，氣場較均勻，鍍膜較均勻。

基片加熱技術：采用鎧裝加熱絲，由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內，所以高溫加熱過程中不釋放雜質物質，保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里，保證溫常的均勻，然后再對基片加熱。

真空度較高、抽速較快

真空室內外，全部電化學拋光，完全去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見），沒有微觀藏污納垢的地方，腔體內表面積減少一倍以上，鍍膜較純凈，真空度較高，抽速較快。

設備詳情

（一）設備結構及性能

1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進樣室、鍍膜室+手套箱

2、磁控濺射靶數(shù)量及類型：1 ～ 6 靶，圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側向安裝

3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側向安裝

4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容

5、基片可旋轉、可加熱

6、通入反應氣體，可進行反應濺射鍍膜7、操作方式：手動、半自動、全自動

（二）工作條件

供電：～ 380V 三相五線制

功率：根據(jù)設備規(guī)模配置

冷卻水循環(huán)：根據(jù)設備規(guī)模配置

水壓：1.5 ～ 2.5×10^5Pa

制冷量：根據(jù)扇熱量配置

水溫：18～25℃

氣動部件供氣壓力：0.5～0.7MPa

質量流量控制器供氣壓力：0.05～0.2MPa

工作環(huán)境溫度：10℃～40℃

工作濕度：≤50%

（三）設備主要技術指標

-基片托架：根據(jù)供件大小配置。

-基片加熱器溫度：根據(jù)用戶供應要求配置，溫度可用電腦編程控制，可控可調。

-基片架公轉速度：2 ～100 轉 / 分鐘，可控可調；基片自轉速度：2 ～20 轉 / 分鐘。

-基片架可加熱、可旋轉、可升降。

-靶面到基片距離：30 ～ 140mm 可調。

-Φ2 ～Φ3 英寸平面圓形靶 2 ～ 3 支，配氣動靶控板，靶可擺頭調角度。

-鍍膜室的極限真空：6X10-5Pa，恢復工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分鐘左右（新設備充干燥氮氣）。

-設備總體漏放率：關機 12 小時真空度≤10Pa。

LPCVD設備

LPCVD設備是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）?？捎糜诳茖W研究、實踐教學、小型器件制造。

設備結構及特點

1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本

兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。

基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。

基片形狀類型：不規(guī)則形狀的散片、φ2～4英寸標準基片。

2、設備為水平管臥式結構

由石英管反應室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。

反應室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設備電控部分采用了**的檢測和控制系統(tǒng)，量值準確，性能穩(wěn)定、可靠。

LPCVD設備主要技術指標

成膜類型：Si3N4、Poly-Si、SiO2等

較高溫度：1200℃

恒溫區(qū)長度：根據(jù)用戶需要配置

恒溫區(qū)控溫精度：≤±0.5℃

工作壓強范圍：13～1330Pa

膜層不均勻性：≤±5％

基片每次裝載數(shù)量：標準基片:1～3片;不規(guī)則尺寸散片:若干

壓力控制：閉環(huán)充氣式控制

裝片方式：手動進出樣品

生產型LPCVD設備簡介

設備功能

該設備是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。

可提供相關鍍膜工藝。

設備結構及特點：

設備為水平管臥式結構，由石英管反應室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。

整個工藝過程由計算機對全部工藝流程進行管理，實現(xiàn)爐溫、氣體流量、壓力、閥門動作、泵的啟閉等工藝參數(shù)進行監(jiān)測和自動控制。也可以手動控制。

設備主要技術指標

成膜類型：Si3N4、Poly-Si、SiO2等

較高溫度：1200℃

恒溫區(qū)長度：根據(jù)用戶需要配置

恒溫區(qū)控溫精度：≤±0.5℃

工作壓強范圍：13～1330Pa

膜層不均勻性：≤±5％

基片每次裝載數(shù)量：100片

設備總功率：16kW

冷卻水用量：2m3/h

壓力控制：閉環(huán)充氣式控制

裝片方式：懸臂舟自動送樣

LPCVD軟件控制界面

熱絲CVD金剛石設備

研發(fā)設計制造了熱絲CVD金剛石設備，分為實驗型設備和生產型設備兩類。

設備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜、硬質合金基金剛石涂層刀具、陶瓷軸承內孔鍍金剛石薄膜等。例如可用于生產制造環(huán)保領域污水處理用的耐腐蝕金剛石導電電極。

可用于平面工件的金剛石薄膜制備，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質涂層制備。

平面工作尺寸

圓形平面工作的尺寸：較大φ650mm。

矩形工作尺寸的寬度600mm/長度可根據(jù)鍍膜室的長度確定（如：工件長度1200mm）。

配置冷水樣品臺

熱絲電源功率

可達300KW，1KW ～300KW可調（可根據(jù)用戶工藝需求配置功率范圍）

設備安全性

-電力系統(tǒng)的檢測與保護

-設置真空檢測與報警保護功能

-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)壓力檢測和流量檢測與報警保護

-設置水壓檢測與報警保護裝置

-設置水流檢測報警裝置

設備構成

真空室構成

雙層水冷結構，立式圓形、立式D形、立式矩形、臥式矩形,前后開門，真空尺寸,根據(jù)工件尺寸和數(shù)量確定。

熱絲

熱絲材料：鉭絲、或鎢絲

熱絲溫度：1800℃～ 2500℃ 可調

樣品臺

可水冷、可加偏壓、可旋轉、可升降，由調速電機控制，可實現(xiàn)自動升降，（熱絲與襯底間距在5 ～ 100mm范圍內可調），要求升降平穩(wěn),上下波動不大于0.1mm。

工作氣路（CVD）

工作氣路根據(jù)用戶工藝要求配置：

下面氣體配置是某一用戶的配置案例。

H2(5000sccm，濃度**)

CH4(200sccm，濃度**)

B2H6（50sccm，H2濃度99%）

Ar(1000sccm，濃度**)

真空獲得及測量系統(tǒng)

控制系統(tǒng)及軟件

實驗型熱絲CVD金剛石設備

單面熱絲CVD金剛石設備

雙面熱絲CVD金剛石設備

生產型熱絲CVD金剛石設備

可制備金剛石面積-寬650*1200mm

可制備金剛石φ 650mm

在此小編就不一一介紹了，咱們8月3日-8月5日相約寧波東港喜來登酒店了解更多。

詞條
詞條說明
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