2022.03.31較新資訊-早知道

    鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司研發(fā)設(shè)計(jì)制造了熱絲CVD金剛石設(shè)備,分為實(shí)驗(yàn)型設(shè)備和生產(chǎn)型設(shè)備兩類。

    設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜、硬質(zhì)合金基金剛石涂層刀具、陶瓷軸承內(nèi)孔鍍金剛石薄膜等。例如可用于生產(chǎn)制造環(huán)保領(lǐng)域污水處理用的耐腐蝕金剛石導(dǎo)電電極。

    可用于平面工件的金剛石薄膜制備,也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。

    平面工作尺寸

    圓形平面工作的尺寸:較大φ650mm。

    矩形工作尺寸的寬度600mm/長度可根據(jù)鍍膜室的長度確定(如:工件長度1200mm)。

    配置冷水樣品臺。

    熱絲電源功率

    可達(dá)300KW,1KW ~300KW可調(diào)(可根據(jù)用戶工藝需求配置功率范圍)

    設(shè)備安全性

    -電力系統(tǒng)的檢測與保護(hù)

    -設(shè)置真空檢測與報(bào)警保護(hù)功能

    -冷卻循環(huán)水系統(tǒng)壓力檢測和流量檢測與報(bào)警保護(hù)

    -設(shè)置水壓檢測與報(bào)警保護(hù)裝置

    -設(shè)置水流檢測報(bào)警裝置

    設(shè)備構(gòu)成

    真空室構(gòu)成

    雙層水冷結(jié)構(gòu),立式圓形、立式D形、立式矩形、臥式矩形,前后開門,真空尺寸,根據(jù)工件尺寸和數(shù)量確定。

    熱絲

    熱絲材料:鉭絲、或鎢絲

    熱絲溫度:1800℃~ 2500℃ 可調(diào)

    樣品臺

    可水冷、可加偏壓、可旋轉(zhuǎn)、可升降 ,由調(diào)速電機(jī)控制,可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)升降,(熱絲與襯底間距在5 ~ 100mm范圍內(nèi)可調(diào)),要求升降平穩(wěn),上下波動(dòng)不大于0.1mm。

    工作氣路(CVD)

    工作氣路根據(jù)用戶工藝要求配置:

    下面氣體配置是某一用戶的配置案例。

    H2(5000sccm,濃度**)

    CH4(200sccm,濃度**)

    B2H6(50sccm,H2濃度99%)

    Ar(1000sccm,濃度**)

    真空獲得及測量系統(tǒng)

    控制系統(tǒng)及軟件

    二、實(shí)驗(yàn)型 熱絲CVD金剛石設(shè)備

    單面熱絲CVD金剛石設(shè)備

    雙面熱絲CVD金剛石設(shè)備

    生產(chǎn)型熱絲CVD金剛石設(shè)備

    可制備金剛石面積-寬650*1200mm

    可制備金剛石φ 650mm

    公司已投放市場的部分半導(dǎo)體設(shè)備

    |物理氣相沉積(PVD)系列

    磁控濺射鍍膜機(jī)、電子束鍍膜機(jī)、熱蒸發(fā)鍍膜機(jī),激光沉積設(shè)備PLD、離子束濺射鍍膜機(jī)、磁控與離子束復(fù)合鍍膜機(jī)

    |化學(xué)氣相沉積(CVD)系列

    MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設(shè)備ALD

    |**高真空系列

    分子束外延系統(tǒng)(MBE)、激光分子束外延系統(tǒng)(LMBE)

    |成套設(shè)備

    團(tuán)簇式太陽能薄膜電池中試線、OLED中試設(shè)備(G1、G2.5)

    |其它

    金剛石薄膜制備設(shè)備、硬質(zhì)涂層設(shè)備、磁性薄膜設(shè)備、電極制備設(shè)備、合金退火爐

    |真空鍍膜機(jī)**電源/真空鍍膜機(jī)控制系統(tǒng)及軟件

    直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源(中頻可調(diào)脈寬)、控制系統(tǒng)及軟件

    團(tuán)隊(duì)部分業(yè)績分布

    完全自主設(shè)計(jì)制造的分子束外延(MBE)設(shè)備,包括自主設(shè)計(jì)制造的MBE**高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀(反射高能電子衍射儀)、直線型電子槍、膜厚儀(可計(jì)量外延生長的分子層數(shù))、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達(dá)到2×10-8Pa。典型用戶:浙江大學(xué)光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。

    采用磁控濺射與等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD技術(shù),設(shè)計(jì)制造了團(tuán)簇式太陽能薄膜電池中試線。典型用戶:中科院電工所。

    采用熱絲法,設(shè)計(jì)制造了金剛石薄膜制備設(shè)備,應(yīng)用于金剛石薄膜材料的研究與生產(chǎn)。典型用戶:中國科學(xué)院金屬研究所。

    設(shè)計(jì)制造了全自動(dòng)磁控濺射設(shè)備,可加水平磁場和垂直磁場,自行設(shè)計(jì)的真空機(jī)械手傳遞基片。應(yīng)用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試。典型用戶:武漢國家光電實(shí)驗(yàn)室。

    設(shè)計(jì)制造了科研型的磁控濺射儀,典型用戶:南方科技、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、南京大學(xué)、浙江大學(xué)、南開大學(xué)、武漢理工大學(xué)。

    設(shè)計(jì)制造了磁控濺射生產(chǎn)型設(shè)備,用于半導(dǎo)體器件的生產(chǎn),典型用戶:武漢光迅科技有限公司、深圳彩煌熱電技術(shù)公司。

    設(shè)計(jì)制造了OLED**半導(dǎo)體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備。典型用戶:中國香港城市大學(xué)**材料實(shí)驗(yàn)室、吉林奧來德光電材料股份有限公司。

    設(shè)計(jì)制造了電子束鍍膜機(jī)。典型用戶:武漢理工大學(xué)、南方科技大學(xué)、中國計(jì)量大學(xué)。

    設(shè)計(jì)制造了高真空電阻熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)、高真空電極制備鍍膜機(jī)。典型用戶:江蘇大學(xué)、北京大學(xué)。

    團(tuán)隊(duì)在*三代半導(dǎo)體裝備及工藝方面的技術(shù)積累

    2019年

    設(shè)計(jì)制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備。

    2017年

    -優(yōu)化Rheed設(shè)計(jì),開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計(jì)。

    -開始研制PVD方法外延GaN的工藝和裝備,目前正在進(jìn)行設(shè)備工藝驗(yàn)證。

    2001年與南昌大學(xué)合作

    設(shè)計(jì)了中試型的全自動(dòng)化監(jiān)控的MOCVD,用于外延GaN和ZnO。

    2015年中科院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家(聯(lián)合)實(shí)驗(yàn)室合作

    制造了金剛石外延設(shè)備,制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜。

    2007年與蘭州大學(xué)物理學(xué)院合作

    設(shè)計(jì)制造了光學(xué)級金剛石生長設(shè)備(采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù))。

    2006年與中國科技大學(xué)合作

    設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)**高溫CVD 和MBE。

    用于4H晶型SiC外延生長。

    2005年與浙江大學(xué)光學(xué)儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作

    設(shè)計(jì)制造了**臺完全自主知識產(chǎn)權(quán)的分子束外延設(shè)備,用于外延光電半導(dǎo)體材料。


    鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司專注于PVD鍍膜設(shè)備,化學(xué)氣相沉積C,金剛石涂層,分子束外延MBE等

  • 詞條

    詞條說明

  • 鵬城半導(dǎo)體邀您參加*四屆**半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(重慶)博覽會

    鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司,由哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)、北京琨騰科技有限公司以及有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)*與市場*的交叉點(diǎn),尋求創(chuàng)新**與可持續(xù)發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國產(chǎn)化難題,爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。公司**業(yè)務(wù)是半導(dǎo)體材料、工藝和裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造。公司人才團(tuán)隊(duì)知識結(jié)構(gòu)完整,有以哈工大教授和博士為**的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì);還有來自工業(yè)界的**裝

  • 新聞快訊-鵬城半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備

    材料的輸運(yùn)采取了**純的氣路系統(tǒng),源的切換和輸入采用了多路組合閥進(jìn)氣技術(shù)。由于組合閥具有較小的死空間,使得源的殘留量非常少,有利于生長具有陡峭界面的材料。采用壓差控制技術(shù)控制組合閥的旁路和主路之間的壓力,大大降低了源的壓力和濃度波動(dòng),有利于材料生長的重復(fù)性和穩(wěn)定性。采用了管道鑲嵌式進(jìn)氣噴頭,使反應(yīng)源在襯底表面均勻混合并反應(yīng),大大降低了預(yù)反應(yīng)的發(fā)生。采用電阻式快速升降溫加熱爐。

  • 為您提供高性價(jià)比真空鍍膜設(shè)備解決方案《520愛情風(fēng)暴來襲》

    真空鍍膜設(shè)備的薄膜制作過程,簡單來說就是將一種材料(薄膜材料)轉(zhuǎn)移到另一種材料(基底)的表面,形成和基底牢固結(jié)合的薄膜的過程。所以,任何的真空鍍膜薄膜制作方法都包括:源蒸發(fā)、遷移和凝聚三個(gè)重要環(huán)節(jié)。多功能磁控濺射儀一、鍍膜蒸發(fā)源“源"的作用是提供鍍膜的材料(或被鍍材料中的某種組分)。通過物理或化學(xué)的方法使鍍膜材料成為氣態(tài)物質(zhì)。熱絲CVD金剛石設(shè)備二、遷移過程遷移過程都是在氣相中進(jìn)行的,在氣態(tài)物質(zhì)遷

  • 熱烈祝賀鵬城半導(dǎo)體獲得*六屆中國·湖州**高層次人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽一等獎(jiǎng)

    4月16日,“才聚西塞山 青創(chuàng)南太湖”*六屆中國·湖州**高層次人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽暨深圳城市賽正式開賽,前期共征集20多個(gè)高層次人才創(chuàng)業(yè)項(xiàng)目,經(jīng)過層層篩選,共有9個(gè)項(xiàng)目進(jìn)入本次城市賽,涉及新能源、新材料、生命健康、AI智能等多個(gè)領(lǐng)域。鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司-副總經(jīng)理孔博士經(jīng)過激烈的角逐,鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司(簡稱:鵬城半導(dǎo)體)-“大尺寸金剛石晶圓片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”“斬獲了本次城市賽的一

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