KRi 離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用

時間：2024-01-12

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強(qiáng)設(shè)計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現(xiàn)輔助鍍膜 IBAD.

e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)加裝 KRi 離子源作用
通過向生長的薄膜中添加能量來增強(qiáng)分子動力學(xué), 以增加表面和原子/分子的流動性, 從而導(dǎo)致薄膜的致密化.
通過向生長薄膜中添加活性離子來增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到化學(xué)計量完整材料.

使用美國 KRi 考夫曼離子源可以實現(xiàn)
增強(qiáng)和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改進(jìn), 控制薄膜化學(xué)計量, 提高折射率, 降低薄膜應(yīng)力, 控制薄膜微觀結(jié)構(gòu)和方向, 提高薄膜溫度和環(huán)境穩(wěn)定性, 增加薄膜附著力, 表面, 薄膜界面和表面平滑, 降低薄膜吸收和散射, 增加硬度和性.

KRi KDC 考夫曼離子源典型案例:
設(shè)備: e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
離子源型號: KDC 75
應(yīng)用: IBAD 輔助鍍膜, 在玻璃上鍍上高反射率膜 (光柵的鍍膜)
離子源對工藝過程的優(yōu)化: 加熱襯底, 對溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡化反應(yīng)沉積

上海伯東美國 KRi 離子源適用于各類沉積系統(tǒng) (電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā), 離子束濺射, 分子束外延, 脈沖激光沉積), 實現(xiàn) IBAD 輔助鍍膜

上海伯東美國 KRi 離子源 KDC 系列適用于標(biāo)準(zhǔn)和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設(shè)計具有納米精度的薄膜和表面. 無論是密度壓實, 應(yīng)力控制, 光學(xué)傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側(cè)壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產(chǎn)生有益的材料性能. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.

上海伯東同時提供 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的設(shè)備.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

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詞條說明
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