STC6301D

時間：2021-04-16作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：7907

STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強模式電場效應(yīng)晶體管

mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低

并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用

如電源管理，其中高側(cè)開關(guān)、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。




特征

N溝道

60v/8.00a,rd(上)

=37mr

@vgs=10v

60v/5.0a,rd

=28mω

@vgs=4.5v

P-溝道

-60v/-5.0a,RDS

=46mω

@vgs=-10v

-60v/-3.0a,rds(on)=65mω

@vgs=-4.5v

**高密度電池設(shè)計

較低的rd

異常阻力和大阻力

直流電流能力




封裝252-4L








司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說明

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• 技術(shù)支持

  司坦森已經(jīng)建立了直接的技術(shù)支持團隊，戰(zhàn)略定位在美國、臺北和深圳。 我們提供完整的系統(tǒng)級支持，包括客戶板的設(shè)計和布局，為客戶快速投放市場的生產(chǎn)調(diào)試。我們經(jīng)驗豐富的本地技術(shù)人員包括現(xiàn)場銷售工程師，現(xiàn)場應(yīng)用工程師，具有各種消費和工業(yè)產(chǎn)品設(shè)計的背景。 Stanson可以實時提供系統(tǒng)設(shè)計、具體應(yīng)用建議和系統(tǒng)調(diào)試服務(wù)。我們努力成為我們的客戶，特別是在新產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域的較佳合作伙伴。 Stanson has es