STP413D P40V 12A用于掃地機(jī) 可替代AOD413A、UT5504、UTD413

時間：2020-01-05

STP413D TO-252 P40V 12A替代UT5504、UTD413閩臺司坦森原廠直銷

描述
STP413D是P溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管邏輯的
采用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。的stp413d已
特別設(shè)計，以提高直流/直流轉(zhuǎn)換器的整體效率，無論是使用
同步或傳統(tǒng)的開關(guān)型脈寬調(diào)制控制器。它已被優(yōu)化為低
柵電荷，低的RDS（on）和快速開關(guān)速度。

特征
-40V / -12.0a，RDS（上）= 36mΩ（典型值
@ VGS = - 10V
-40V / -8.0a RDS（ON）= 52mΩ
@ VGS = 4.5v
**高密度電池設(shè)計
較低的RDS（on）特殊的阻力和

較大直流電流能力

to-251 TO-252、包裝設(shè)計

詞條
詞條說明
STN4828 **0V 10A STANSON 原廠替代Si4900、AO4828
STANSON/司坦森原廠 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY描述STN4828是雙N溝道邏輯增強型功率場效應(yīng)晶體管是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力。這些裝置特別適合于低電壓應(yīng)用，筆記本電腦電源管理和其他電池供電的電路，高側(cè)開關(guān)特征60V
STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S
STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。特征N溝道60V /幅，RDS（ON）= 35mΩ（典型值）@ VG
MOS管失效原因是什么？
MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator） —半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。目前在市場應(yīng)用方面，排名**的是消費類電子電源適配器產(chǎn)
閩臺STANSON原廠現(xiàn)貨STN4438 SOP-8 **0V 8.5A 應(yīng)用于風(fēng)扇
STANSON 原廠STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述STN4438是N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，如電源管理和其他高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。特征60V / 8.2A，RDS（ON）= 25毫歐（典型值）@ VGS = 10V60V / 7.6A