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詞條
詞條說明
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
1)柵電壓IGBT工作時,必須有正向柵電壓,常用的柵驅(qū)動電壓值為15~187,較高用到20V, 而棚電壓與柵較電阻Rg有很大關系,在設計IGBT驅(qū)動電路時, 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設計合適驅(qū)動參數(shù),保證合理正向柵電壓。因為IGBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關系,正向柵電壓越高,開通損耗越小,正向壓降也越小。2)Miller效應為了降低Miller效應的影響,在IGBT柵
本公司長期回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT,回收功率模塊,回收個人剩余IGBT模塊,回收項目多余IGBT,回收全新IGBT,收購全部型號在電力電子里面,重要的一個元件就是IGBT。沒有IGBT就不會有高鐵的便捷生活。一說起IGBT,半導體制造的人都以為不就是一個分立器件(Power Disceret)嘛,都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路制造一樣,是國家“02專
富士IGBT在電子設備中有多種應用,包括但不限于以下幾個方面:變頻器和驅(qū)動器:富士IGBT廣泛應用于變頻器和驅(qū)動器中,用于控制電機的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩。通過調(diào)節(jié)富士IGBT的導通和截止狀態(tài),可以實現(xiàn)對變頻器輸出電壓和頻率的精確控制,從而實現(xiàn)電機的調(diào)速、啟動和制動等功能。電力系統(tǒng)和供電設備:富士IGBT在電力系統(tǒng)和供電設備中的應用包括交流/直流電源、UPS(不間斷電源)、電網(wǎng)穩(wěn)壓器和電動車充電器等。富士IG
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
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