PN8680M低功耗電源芯片是一款高性能的原邊反饋控制器。PN8680M工作在原邊檢測(cè)和調(diào)整模式,可省略系統(tǒng)的光耦和TL431。PN8680M低功耗電源芯片擁有恒壓恒流控制環(huán)路,可以實(shí)現(xiàn)高精度的恒壓、恒流輸出,以滿足大部分充電器和適配器需求。驪微電子12V開關(guān)控制芯片PN8680M內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路和較低的芯片功耗使得系統(tǒng)能夠滿足較高的待機(jī)功耗標(biāo)準(zhǔn)。
1. 高壓?jiǎn)?dòng)控制:PN8680M低功耗電源芯片在啟動(dòng)階段,采用高壓?jiǎn)?dòng)技術(shù),芯片啟動(dòng)前2.0mA電流源為內(nèi)部偏置電路供電并給外部VDD電容充電,快速啟動(dòng)。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDDon,芯片開始工作的同時(shí)高壓?jiǎn)?dòng)電路關(guān)斷;只要VDD電壓不**VDDoff,芯片維持正常工作。啟動(dòng)后,偏置電路通過輔助源供電,同時(shí)啟動(dòng)電路只有一路較小的電流,實(shí)現(xiàn)低損耗。
2. CC 工作模式:在CC工作狀態(tài),高效率電源芯片PN8680M采樣FB引腳的信號(hào)(由輔助繞組信號(hào)通過電阻分壓),輔助繞組信號(hào)脈寬決定振蕩頻率。輸出電壓越高,脈寬越小,同時(shí)振蕩頻率越高,這樣可獲得恒定的輸出電流。
3. CV 工作模式:在CV工作狀態(tài),高效率電源芯片PN8680M使用脈沖采樣VFB電壓,并保持到下個(gè)采樣點(diǎn)。將采樣的電壓和VREF_CV基準(zhǔn)比較,并放大誤差。這個(gè)誤差值代表負(fù)載情況,通過控制開關(guān)信號(hào),調(diào)節(jié)輸出電壓,使得輸出恒定。
4. 電流檢測(cè)和*消隱:PN8680M低功耗電源芯片提供逐周期電流檢測(cè)功能。芯片通過CS引腳的電阻檢測(cè)功率管電流,CC模式設(shè)置點(diǎn)和輸出功率都通過外部調(diào)整CS引腳上的電阻實(shí)現(xiàn)。功率管開通瞬間會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓,內(nèi)部*消隱電路可防止誤觸發(fā)而不需要額外的RC濾波電路。
5. 可編程線纜補(bǔ)償功能:線纜補(bǔ)償模塊通過FB引腳輸出一路補(bǔ)償電流,流入分壓電阻,如圖3所示,改變電壓反饋值,可以使輸出線損壓降得到補(bǔ)償。當(dāng)負(fù)載從滿載減小到空載時(shí),線損壓降也同樣減小。PN8680M低功耗電源芯片通過設(shè)置FB電阻的阻值可以調(diào)整線補(bǔ)償?shù)姆取?/span>
6. 基準(zhǔn)負(fù)溫度補(bǔ)償:高效率電源芯片PN8680M的VREF_CV電壓基準(zhǔn)采用負(fù)溫度補(bǔ)償技術(shù),常溫下,VREF_CV電壓基準(zhǔn)為2.5V;芯片溫度上升時(shí),VREF_CV電壓基準(zhǔn)值隨著溫度上升而變小,可以使△V隨著溫度上升而變小得到補(bǔ)償,讓輸出電壓Vo在全溫度范圍內(nèi)恒定,提高了恒壓輸出精度。
7. 保護(hù)控制:PN8680M低功耗電源芯片含有豐富的保護(hù)功能,包括:逐周期過流保護(hù)、過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、輸出短路保護(hù)、CS電阻開/短路保護(hù)、VDD欠壓鎖定保護(hù)功能,并且這些保護(hù)具有自恢復(fù)模式。
PN8680M原邊反饋低功耗電源芯片集成**低待機(jī)功耗原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,可省略光耦和TL431,常用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源,如果需要PN8680M高效率低功耗電源芯片PN8680M產(chǎn)品的詳細(xì)手冊(cè)或其他資料,請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
詞條
詞條說(shuō)明
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本期為大家介紹驪微電子熱門方案 PN8370M+PN8305L 5V2A六級(jí)能效充電方案,該5v2a充電器芯片方案擁有低待機(jī)、高效率、小體積、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),備受工程師青睞! ? PN8370M集成**低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源。 ? PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSF
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