內(nèi)置mos同步整流芯片方案

時間：2020-01-05作者：深圳市驪微電子科技有限公司瀏覽：176

PN8306M/H同步整流電源芯片，與PN8370、PN8386配合使用，輕松實現(xiàn)5V2A、5V2.4A、5V3.4A六級能效電源方案。

 

PN8306M 5v同步整流降壓芯片特性：

1、適用于DCM/QR工作模式的反激變換器，效率提高3%以上；

2、內(nèi)置6/14mΩ 55V Trench MOSFET，典型應(yīng)用5V2.4A/3.4A；/3、Smart控制算法實現(xiàn)零直通炸機風(fēng)險；

4、VIN耐壓高達24V，抗沖擊能力強；

5、內(nèi)置高壓供電模塊，同步控制不受輸出電壓波動影響，較可靠；

6、高精度次級電流檢測，同步整流關(guān)斷點精準(zhǔn)，提高轉(zhuǎn)換效率，避免倒灌電流；

7、**強HBM ESD設(shè)計， VIN、VDET*外串電阻，可滿足15kV空氣/8kV接觸ESD標(biāo)準(zhǔn)；

8、較小導(dǎo)通時間可通過RT電阻調(diào)整以匹配變壓器設(shè)計，避免同步整流干擾PSR采樣；

9、ESOP8裸銅散熱封裝，溫升較低；

10、VIN欠壓保護/過壓鉗位。

 

PN8370M+PN8306M 內(nèi)置mos同步整流芯片六級能效方案亮點 :  

外圍簡潔（節(jié)省8顆元件）：PN8370M節(jié)省2顆啟動電阻；PN8306M*特控制技術(shù)可實現(xiàn)零外圍工作，節(jié)省傳統(tǒng)SR方案的供電RC濾波，SW偵測電阻，RT電阻，RC吸收等6顆元件。

高可靠性：a.方案三道防線，實現(xiàn)SR與PSR零直通風(fēng)險；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup電流大于400mA，顯著提高系統(tǒng)安規(guī)能力，接觸靜電高達15kV； c.PSR與SR匹配工作，徹底避免小載采樣沖突，異常工況下，SR做好配角，PSR主導(dǎo)所有異常保護。

低待機功耗：PN8370M內(nèi)置高壓啟動，可輕松實現(xiàn)50mW待機功耗。

 

PN8306內(nèi)置mos同步整流芯片因外圍精簡、EMC性能**、支持任意工作模式、貼片封裝并*散熱片，驪微電子廣泛于5V2A、5V2.4A、5V3.4A六級能效電源方案。


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