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    化學(xué)氣相沉積技術(shù)的使用

    生產(chǎn)晶須:

    晶須屬于一種以為發(fā)育的單晶體,它在符合材料范疇中有著很大的作用,能夠用于生產(chǎn)一些新型復(fù)合材料。 化學(xué)氣相沉積法在生產(chǎn)晶須時使用的是金屬鹵化物的氫還原性質(zhì)。化學(xué)氣相沉積法不但能制備出各類金屬晶須,同時也能生產(chǎn)出化合物晶須,比如氧化鋁、金剛砂、碳化鈦晶須等等。

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    物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積的區(qū)別

    化學(xué)氣相沉積過程中有化學(xué)反應(yīng),多種材料相互反應(yīng),生成新的的材料。

    物理氣相沉積中沒有化學(xué)反應(yīng),材料只是形態(tài)有改變。

    物理氣相沉積技術(shù)工藝過程簡單,對環(huán)境改善,無污染,耗材少,成膜均勻致密,與基體的結(jié)合力強。

    化學(xué)雜質(zhì)難以去除。優(yōu)點可造金屬膜、非金屬膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的繞射性好

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    PCVD工藝的具體流程

    PCVD工藝的具體流程如下:

    (1)沉積。沉積過程借助低壓等離子體使流進高純度石英玻璃沉積管內(nèi)的氣態(tài)鹵化物和氧氣在1000℃以上的高溫條件下直接沉積成設(shè)計要求的光纖芯中玻璃的組成成分。

    (2)熔縮。沿管子方向往返移動的石墨電阻爐對小斷旋轉(zhuǎn)的管子加熱到大約2200℃,在表面張力的作用下,分階段將沉積好的石英管熔縮成一根實心棒(預(yù)制棒)。

    (3)套棒。為獲得光纖芯層與包層材料的適當比例,將熔縮后的石英棒套入一根截面積經(jīng)過精心挑選的管子中,這樣裝配后即可進行拉絲。

    (4)拉絲。套棒被安裝在拉絲塔的**部,下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中,此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125 cm),并進行雙層涂覆和紫外固化。

    (5)光纖測試。拉出的光纖要經(jīng)過各種試,以確定光纖的幾何、光學(xué)和機械性能。

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