碳化硅磨料磨具的拋光方法

時間：2015-03-09作者：山東金蒙新材料股份有限公司瀏覽：310

  碳化硅是自然界較硬的具有使用**的材料之一，它的硬度僅次于金剛石和碳化硼。它主要應(yīng)用在磨料、耐火材料、半導(dǎo)體材料。
  機械拋光：機械拋光是靠切削材料表面塑性變形去掉被拋光后的凸部而得到平滑面的拋光方法，一般使用油石條、羊毛輪、砂紙，砂帶，尼龍輪等，磨光片以手工操作為主，特殊零件如回轉(zhuǎn)體表面，可使用轉(zhuǎn)臺等輔助工具，表面質(zhì)量要求高的可采用**精研拋的方法。**精研拋是采用碳化硅磨料特制的磨具，在含有碳化硅磨料的研拋液中，緊壓在工件被加工表面上，作高速旋轉(zhuǎn)運動。是各種拋光方法中較高的。光學(xué)鏡片模具常采用這種方法。
  化學(xué)拋光：化學(xué)拋光是讓材料在化學(xué)介質(zhì)中表面微觀凸出的部分較凹部分**溶解，從而得到平滑面。這種方法的主要優(yōu)點是不需復(fù)雜設(shè)備，可以拋光形狀復(fù)雜的工件，可以同時拋光很多工件，效率高。化學(xué)拋光的**問題是拋光液的配制。
  電解拋光：電解拋光基本原理與化學(xué)拋光相同，即靠選擇性的溶解材料表面微小凸出部分，使表面光滑。與化學(xué)拋光相比，可以消除陰極反應(yīng)的影響，效果較好。電化學(xué)拋光過程分宏觀整平，微觀整平。
  超聲波拋光：將工件放入磨料懸浮液中并一起置于超聲波場中，依靠超聲波的振蕩作用，使磨料在工件表面磨削拋光。超聲波加工宏觀力小，不會引起工件變形，但工裝制作和安裝較困難。超聲波加工可以與化學(xué)或電化學(xué)方法結(jié)合。在溶液腐蝕、電解的基礎(chǔ)上，再施加超聲波振動攪拌溶液，使工件表面溶解產(chǎn)物脫離，表面附近的腐蝕或電解質(zhì)均勻;超聲波在液體中的空化作用還能夠抑制腐蝕過程，利于表面光亮化。
  流體拋光：流體拋光是依靠高速流動的液體及其攜帶的磨粒沖刷工件表面達到拋光的目的。常用方法有：磨料的金剛砂噴射加工、液體噴射加工、流體動力研磨等。流體動力研磨是由液壓驅(qū)動，使攜帶磨粒的液體介質(zhì)高速往復(fù)流過工件表面。介質(zhì)主要采用在較低壓力下流過性好的特殊化合物并摻上磨料制成，磨料可采用磨料磨具的碳化硅粉末。
磁研磨拋光：磁研磨拋光是利用磁性磨料在磁場作用下形成磨料刷，磨光片對工件磨削加工。這種方法加工效率高，質(zhì)量好，加工條件容易控制，工作條件好。采用合適的磨料，表面粗糙度可以達到Ra0.1μm。
山東金蒙新材料股份有限公司專注于碳化硅,綠碳化硅,碳化硅微粉,碳化硅粒度砂,納米級碳化硅等

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  詞條說明

• 高純度碳化硅**細(xì)微粉的制造方法

  ??? 制造高純度碳化硅**細(xì)微粉首先需要選用高純度的原料是冶煉優(yōu)質(zhì)碳化硅才是較基礎(chǔ)的保證。沒有優(yōu)質(zhì)的原料，想合成出質(zhì)量好的碳化硅微粉，那是違背客觀規(guī)律的。提高碳化硅冶煉爐的功率是提高爐溫的必要條件。優(yōu)質(zhì)的碳化硅結(jié)晶是在大于2000℃以上的高溫區(qū)形成的。要保證冶煉出的碳化硅晶體具有足夠大的尺寸，必須保證碳化硅晶體在生成過程中，電阻爐內(nèi)的溫度要明顯**碳化硅形成的溫度。長

• 碳化硅新用途自身優(yōu)化升級

  ? 碳化硅有著非常廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域，其在磨料、化工、冶金、**耐火材料、**陶瓷等領(lǐng)域都有著很廣的用途。在不同的領(lǐng)域?qū)μ蓟璧牧６纫笫怯兴煌?，這就需要進行破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選等一系列加工將其制成各種粒度的產(chǎn)品，才能滿足各領(lǐng)域的需求情況。其中制砂機就是碳化硅進行破碎加工的好設(shè)備。制砂機適用于軟或中硬和較硬物料的破碎、整形，廣泛應(yīng)用于各種礦石、水泥、耐火材料、鋁凡土熟料、金剛砂

• 倡導(dǎo)環(huán)保、低碳生活

  ?? 大部分的跨國公司如陶氏、巴斯夫、阿克蘇諾貝爾等已具備水性產(chǎn)品的研發(fā)技術(shù)并有相當(dāng)成熟產(chǎn)品推向市場，部分外資企業(yè)還大力發(fā)展**生物材料為主要材料的碳化硅涂料產(chǎn)品，如日本伊藤制油株式會社開發(fā)“蓖麻油系列聚氨酯”有一定的代表性。國內(nèi)的企業(yè)也意識到環(huán)保涂料的廣闊前景，正迎頭追趕。當(dāng)然也不排除有些企業(yè)玩概念。當(dāng)前發(fā)展原有的溶劑型的碳化硅涂料產(chǎn)品，尤其重防腐碳化硅涂料，依然有較大的市場

• 碳化硅微粉的生產(chǎn)步驟

  碳化硅微粉的生產(chǎn)步驟如下：取碳化硅原料，經(jīng)破碎機破碎，并篩分至不大于5mm的碳化硅顆粒，再用整形機對其進行整形至不大于2mm的碳化硅顆粒，且其中橢圓形顆粒占80％以上，再對其進行酸洗除雜，干燥；將上述干燥后的碳化硅顆粒用磨粉機粉碎成d50＝9.5-11.5μm的碳化硅粉，粉碎時，磨粉機主機電流設(shè)定為65-75A，風(fēng)機流量設(shè)定為40-50m3/min，分析機轉(zhuǎn)速為400--600轉(zhuǎn)/分；然后用渦流