石墨烯+氮化硼，電子遷移率大幅提高

時間：2015-09-28

	石墨烯憑借其優(yōu)異的電學(xué)表現(xiàn)成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望替代硅基器件的前景材料，近年來在科學(xué)界引起了研究熱潮。如何將金屬性的石墨烯轉(zhuǎn)變?yōu)檎嬲饬x具有帶隙的半導(dǎo)體，是石墨烯走向半導(dǎo)體市場的關(guān)鍵難題。


	研究中，科學(xué)家發(fā)現(xiàn)自然界存在著一種白石墨，即氮化硼B(yǎng)N。它有許多和石墨類似的性質(zhì)，與石墨烯截然不同，六方氮化硼HBN是優(yōu)良的絕緣體，研究人員發(fā)現(xiàn)，將大尺寸六方氮化硼HBN二維材料作為石墨烯的襯底可大幅提高石墨烯的電子遷移率，通過**操控晶層堆疊方向的方式，較大地改變GBN異質(zhì)結(jié)中的電子運轉(zhuǎn)方式，使這種材料真正具備了投入應(yīng)用的實際**。


	巨納集團聯(lián)合荷蘭HQGraphene公司生產(chǎn)的氮化硼晶體，純度高達99.995%，目前還在研發(fā)純度較高、尺寸較大的氮化硼晶體，目前在市場中也**了積極的響應(yīng)，*大學(xué)、南京大學(xué)等高校都已和巨納集團展開合作，部分結(jié)果發(fā)布在了Nature上。


	據(jù)樂觀估計，在經(jīng)過進一步的設(shè)計改進后，該材料將會應(yīng)用于高頻電子設(shè)備的制造?；蛟S，推動這種多層復(fù)合材料系統(tǒng)在電子材料領(lǐng)域大展身手的時機即將成熟，電子材料領(lǐng)域迎來較新?lián)Q代的時刻可能已經(jīng)不再遙遠了。

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石墨烯+氮化硼，電子遷移率大幅提高
石墨烯憑借其優(yōu)異的電學(xué)表現(xiàn)成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望替代硅基器件的前景材料，近年來在科學(xué)界引起了研究熱潮。如何將金屬性的石墨烯轉(zhuǎn)變?yōu)檎嬲饬x具有帶隙的半導(dǎo)體，是石墨烯走向半導(dǎo)體市場的關(guān)鍵難題。研究中，科學(xué)家發(fā)現(xiàn)自然界存在著一種白石墨，即氮化硼B(yǎng)N。它有許多和石墨類似的性質(zhì)，與石墨烯截然不同，六方氮化硼HBN是優(yōu)良的絕緣體，研究人員發(fā)現(xiàn)，將大尺寸六方氮化硼HBN二維材料作為石墨烯的襯底可大幅提高石墨烯的