日本三菱可控硅模塊分類使用分析

時間：2023-06-17作者：沛易電子科技（蘇州）有限公司瀏覽：96

日本三菱可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；

    從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。
    日本三菱可控硅模塊體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長足發(fā)展。
    由于日本三菱可控硅模塊的擊穿電壓接近工作電壓；線路中產(chǎn)生的過電壓容易造成器件電壓擊穿；正常工作時凡發(fā)生**過晶閘管能承受的較高峰值電壓的尖脈沖等統(tǒng)稱為過電壓。產(chǎn)生過電壓的外部原因主要是雷擊、電網(wǎng)電壓激烈波動或干擾，內(nèi)部原因主要是電路狀態(tài)發(fā)生變化時積累的電磁能量不能及時消散。過電壓較易造成模塊損壞，因此必須采取必要的限壓保護(hù)措施，把晶閘管承受的過電壓限制在正反向不重復(fù)峰值電壓VRSM、V*值以內(nèi)。

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