富士電機與日本山梨大學(xué)的研究小組開發(fā)出了小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊,這個IGBT模塊與其它的模塊的區(qū)別,此次開發(fā)品的特點在于陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用鋁。競爭產(chǎn)品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散熱片使用銅,或者陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用銅。并在功率半導(dǎo)體**會議“ISPSD 2013”上發(fā)表了該模塊采用的技術(shù)。該小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊的耐壓為1200V,電流為500A,面積為320mm×170mm。據(jù)介紹,在海外,該小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊已被用于2012年底上市的混合動力車(HEV),而在日本,小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊將配備在的HEV上。
蘇州徳昇锘電子科技有限公司專注于可控硅,晶閘管,二極管等
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匯流箱的組成????大規(guī)模光伏電站中常見的標準產(chǎn)品有6、8、10、12?、16?回路等規(guī)格的光伏防雷匯流箱。?它可根據(jù)客戶需要進行定制,回路數(shù)不限,靈活配置,一般由以下幾部分組成。箱?體????箱體一般采用鋼板噴塑、不銹鋼、工程塑料等材質(zhì),外形美觀大方、結(jié)實耐用、安裝簡單方便,防
igbt功率模塊是以絕緣柵雙較型晶體管(igbt)構(gòu)成的功率模塊
由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu),igbt的柵較通過一層氧化膜與**較實現(xiàn)電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機,變頻器,變頻家電等領(lǐng)域。?igbt是**的*三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎己替代一切其它功率器件,例s
方法一:測量較間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔,如果測得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬用表置于R×10檔測得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時,就說明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時.就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如果測得T1
萬用表檢測普通二極管的襲極性與好壞。檢測原理:根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦赃@一特點性能良好的二極管,其正向電阻小,反向電阻大;這兩個數(shù)值相差越大越好。若相差不多說明二極管的性能不好或已經(jīng)損壞。測量時,選用萬用表的“歐姆”擋。一般用R x100或R xlk擋,而不用Rx1或R x10k擋。因為Rxl擋的電流太大,容易燒壞二極管,R xlok擋的內(nèi)電源電壓太大,易擊穿二極管.測量方法:將兩表棒分別接在二極管
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