方法一:測(cè)量較間電阻法
將萬用表置于皮R×1k檔,如果測(cè)得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬用表置于R×10檔測(cè)得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆 時(shí),就說明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:
1、若測(cè)得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí).就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;
2、如果測(cè)得T1-G之間的正反向電阻很大(接近∞)時(shí),說明控制較G與主電極T1之間內(nèi)部接觸不良或開路損壞,也不能使用。
方法二:檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力A
萬用表置于R×10檔:①如圖,1(a)所示,用黑表筆接主電極T2,紅表筆接T1,即給T2加正向電壓,再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開,如果表頭指針發(fā)生了較大偏轉(zhuǎn)并停留在一固定位置,說明雙向可控硅中的一部分(其中一個(gè)單向可控硅)是好的,如圖1(b)所示,改黑表筆接主電極T1,紅表筆接T2,即給T1加正向電壓,再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開,如果結(jié)果同上,也證明雙向可控硅中的另一部分(其中的一個(gè)單向可控硅是好的。測(cè)試到止說明雙向可控硅整個(gè)都是好的,即在兩個(gè)方向(在不同極性的觸發(fā)電壓證)均能觸發(fā)導(dǎo)通。
方法三:檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力B
如圖2所示.取一只10uF左右的電解電容器,將萬用表置于R×10k檔(V電壓),對(duì)電解電容器充電3~5s后用來代替圖1中的短路線,即利用電容器上所充的電壓作為觸發(fā)信號(hào),然后再將萬用表置于R×10檔,照?qǐng)D2(b)連接好后進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試時(shí),電容C的極性可任意連接,同樣是碰觸一下后離開,觀察表頭指針偏轉(zhuǎn)情況,如果測(cè)試結(jié)果與“方法二’相同,就證明雙向可控硅是好的。
詞條
詞條說明
常用的熔斷器(1)插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級(jí)的線路末端,作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護(hù)用。(2)螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機(jī)床電氣控制設(shè)備中。螺旋式熔斷器。分?jǐn)嚯娏鬏^大,可用于電壓等級(jí)500V及其以下、電流等級(jí)200A以下的電路中,作短路保護(hù)。(3)封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器和無填料熔斷
igbt功率模塊是以絕緣柵雙較型晶體管(igbt)構(gòu)成的功率模塊
由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu),igbt的柵較通過一層氧化膜與**較實(shí)現(xiàn)電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī),變頻器,變頻家電等領(lǐng)域。?igbt是**的*三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、伺服控制器、ups、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎己替代一切其它功率器件,例s
方法一:測(cè)量較間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔,如果測(cè)得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬用表置于R×10檔測(cè)得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時(shí),就說明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測(cè)得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí).就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如果測(cè)得T1
可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來改變電機(jī)端電壓的波形,從而改變電機(jī)端電壓的有效值,達(dá)到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角=180時(shí),電機(jī)端電壓波形為正弦波,即全導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)可控硅導(dǎo)通角<180時(shí),即非全導(dǎo)通狀態(tài),電壓有效值減小;導(dǎo)通角越小,導(dǎo)通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產(chǎn)生的磁場越小,則電機(jī)的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機(jī)的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)Q5放
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