鍋爐水處理復(fù)習(xí)題(中)

    64、固定床反洗膨脹高度,通常為(A)。
        A、樹脂層高的40%-50%   B、石英砂墊層高的30%-40%  C、設(shè)備總高40%-50% D、設(shè)備總高50%-80%
    65、對(duì)于逆流再生交換器,有關(guān)壓脂層和中排的作用下列敘述錯(cuò)誤的是(B)。
    A、濾去進(jìn)水中的懸浮物,可通過小反洗洗去表層雜質(zhì),避免頻繁大反洗使樹脂亂層
    B、避免再生或反洗時(shí)因操作不當(dāng)而損壞中排裝置
    C、再生時(shí)使再生廢液均勻地進(jìn)人中排裝置排走,防止樹脂亂層
    D、再生時(shí)壓住中排下的樹脂;防止樹脂擾動(dòng),避免樹脂亂層
    66、用噴射器稀釋并輸送再生液,在(D)情況下,再生液濃度偏低。
        A、噴射器出口無背壓 B、噴射器進(jìn)再生液閥門過大C、噴射器進(jìn)水壓力過高D、計(jì)量箱中再生液濃度低
    67、下例除鹽處理系統(tǒng)中,不能直接作為電站鍋爐補(bǔ)給水的是(C)。
    A、一級(jí)或者二級(jí)陰陽離子交換;B、一級(jí)或者二級(jí)陰陽離子交換再加混床
    C、一級(jí)或者二級(jí)反滲透;D、一級(jí)或者二級(jí)反滲透再加混床
    68、反滲透膜是一種用特定的高分子材料制成具有半透性能的薄膜。反滲透裝置能夠在外加壓力作用下,使(C)透過膜,從而達(dá)到除鹽的目的。
    A、鹽類物質(zhì)     B、**物質(zhì)    C、水分子    D、懸浮物
    69、反滲透裝置的脫鹽率是表明設(shè)備除鹽效率的指標(biāo)、用(B)與原水含鹽量之比來計(jì)算。
        A、產(chǎn)水含鹽量與原水含鹽量之差、B、原水含鹽量與產(chǎn)水含鹽量之差
    C、產(chǎn)水含鹽量                  D、產(chǎn)水含鹽量與原水含鹽量之和
    7O、反滲透裝置的回收率是反映設(shè)備對(duì)原水利用率的一項(xiàng)指標(biāo),用(C)來計(jì)算。
    A、產(chǎn)水流量與進(jìn)水流量之差。B、產(chǎn)水流量與淡水流量之差
    C、產(chǎn)水流量與進(jìn)水流量之比  D、產(chǎn)水流量與濃水流量之比
    71、反滲透裝置的濃水是指反滲透處理后(A)的水。
        A、含鹽量被濃縮   B、懸浮物含量較高   C、含鹽量不變    D、含鹽量較低
    72、一般保安過濾器是由過濾精度小于或等于(B)的微濾濾芯構(gòu)成的過濾器,裝在反滲透膜元件前,以確保進(jìn)入反滲透膜的進(jìn)水水質(zhì)滿足規(guī)定的要求。
    A、0.5um     B、5um      C、10um    D、20um
    73、反滲透膜元件淡水側(cè)壓力一般不得**濃水側(cè)壓(A)。
        A、0.03MPa     B、0.3MPa    C、0.03Kg/cm2    D、3Kg/cm2
    74、滲透設(shè)備關(guān)機(jī)時(shí),應(yīng)將膜內(nèi)的(D)排掉并沖洗干凈。
          A、保護(hù)液   B、滲透水C、清洗液 D、濃水
    75、反滲透設(shè)備停機(jī)時(shí)間**過一個(gè)月以上時(shí),應(yīng)注入(A)進(jìn)行保護(hù)。
        A、保護(hù)液     B、防凍液   C、清洗液     D、滲透水
    76、反滲透設(shè)備進(jìn)水淤塞指數(shù)SDI15應(yīng)(B)。
        A、>4  B、<4  C、>6  D、<6
    77、聚酰胺復(fù)合膜反滲透設(shè)備的進(jìn)水游離余氯應(yīng)(B)。
        A、>0.lmg/L         B、<0.lmg/L    C、>0.2mg/L    D、<0.2mg/L
    78、反滲透設(shè)備的進(jìn)水濁度應(yīng)(B)。
        A、<1NTU     B、<2NTU     C、<3NTU      D、<5NTU
    79、反滲透設(shè)備膜表面結(jié)生碳酸鈣水垢后,一般用(A)進(jìn)行清洗。
        A、檸檬酸  B、硫酸   C、三聚磷酸鈉       D、氨基磺酸
    80、反滲透設(shè)備膜表面陳基金屬氧化物后,一般用(B)進(jìn)行清洗。
    A、檸檬酸  B、EDTU    C、三聚磷酸鈉       D、氨基磺酸
    8l、反滲透設(shè)備膜表面易生成的沉積物是(C)。
    A、碳酸鈉、硫酸鈉、膠體硅、**物等        B、氫氧化鎂、氯化鈣、硫酸鈣、肢體硅、**物等
    C、碳酸鈣、硫酸鈣、金屬氧化物、膠體硅、**物等
    D金屬氧化物、氯化鈣、硫酸鈣、膠體硅、**物等
    82、反滲透設(shè)備進(jìn)水游離余氯**過規(guī)定的要求時(shí),可采用(B)將其除去。
        A、混凝、沉淀、過濾  B、加亞硫酸鈉或經(jīng)活性炭過濾器C、投加殺菌劑D、加阻垢劑或進(jìn)行軟化處理
    83、反滲透系統(tǒng)的高壓泵出口壓力升高的可能原因是(A)。
    A、高壓泵出口閥調(diào)節(jié)不當(dāng)或濃水調(diào)節(jié)閥關(guān)得太小
    B、高壓泵出口閥調(diào)節(jié)不當(dāng)或濃水調(diào)節(jié)閥開得太大;
    C、反滲透設(shè)備內(nèi)有空氣所產(chǎn)生的“水錘”現(xiàn)象引起的D、反滲透設(shè)備存在背壓所引起的
    84、反滲透系統(tǒng)的高壓泵作低壓保護(hù)動(dòng)作,高壓泵無法啟動(dòng)的可能原因是(D)。
    A、反滲透設(shè)備內(nèi)有空氣所產(chǎn)生的“水錘”現(xiàn)象引起的B、反滲透設(shè)備存在背壓所引起的
    C、反滲透設(shè)備濃水排放量過大所引起的   D、保安過濾器濾芯被雜質(zhì)污堵所引起的
    85、設(shè)備出水量降低、滲透水電導(dǎo)率高、膜殼兩端壓差增大的可能原因是(C)。
    A、進(jìn)水壓力過高  B、進(jìn)水壓力過低C、膜元件被污染   D、回收率過高
    86、在進(jìn)水水質(zhì)不變情況下,反滲透系統(tǒng)回收率偏低的可能原因是(B)。
    A、進(jìn)水壓力高或濃水調(diào)節(jié)閥關(guān)得大小    B、進(jìn)水壓力低或濃水調(diào)節(jié)閥開得太大
    C、進(jìn)水流量不足及濃水調(diào)節(jié)閥開得太小  D、進(jìn)水溫度高或濃水調(diào)節(jié)閥關(guān)得太小
    87、反滲透膜的保護(hù)系統(tǒng)應(yīng)安全可靠,必要時(shí)應(yīng)有(C)的保護(hù)措施。
        A、防止**壓   B、防止?jié)馑y關(guān)閉  C、防止水錘沖擊  D、防止斷電
    88、在一對(duì)陰陽離子交換膜之間充填(D)交換樹脂,形成一個(gè)EDI單元。
        A、陽離子B、陰離子C、弱型離子D、陽離子和陰離子
    89、如果EDI組件的進(jìn)水含鹽量很低,運(yùn)行電流也將(B)這時(shí)需采取加鹽措施。
        A、較高  B、較低  C、波動(dòng)  D、不變
    90、EDI進(jìn)水電導(dǎo)率宜控制在(C)。
        A、≤5us/cm         B、≤10us/cm         C、≤50us/cm        D、≤100us/cm
    91、為避免EDI結(jié)垢,給水硬度應(yīng)控制為(A)。
        A、<0.04mmol/L     B、<0.4 mmol/L    C、<0.2mmol/L     D、<0.5mmol/L
    92、硬度物質(zhì)易引起EDI裝置內(nèi)結(jié)垢,一般結(jié)垢易發(fā)生在(A)膜的表面。
        A、濃水室     B、較水室       C、淡水室        D、給水室
    93、EDI組件運(yùn)行時(shí),濃水循環(huán)可以增加濃水室導(dǎo)電性,同時(shí)提高濃水的循環(huán)流速有助于(A)。
        A、避免水垢的沉積    B、降低進(jìn)水電導(dǎo)率。     C、降低產(chǎn)品水電導(dǎo)率    D、降低模塊的電流
    94、為避免EDI組件濃水中離子濃度過度積累,需要將部分濃水排放。排放量為純水流量10~20%,排放掉的濃水由EDI(D)補(bǔ)充。
        A、濃水        B、較水      C、淡水       D、進(jìn)水
    95、由于樹脂對(duì)(A)的選擇性較弱,因此進(jìn)水硅含量較高時(shí),容易從EDI泄漏出來。
        A、HSiO3       B、HCO3       C、Na+       D、**物
    96、EDI的產(chǎn)品水與進(jìn)水壓差增加的主要原因是(B)。
        A、產(chǎn)品水出口有異物堵塞      B、運(yùn)行流量增加    C、離子交換膜結(jié)垢        D、運(yùn)行溫度升高
    97、EDI濃水出口與入口壓差增加的主要原因是(C)。
        A、產(chǎn)品水出口有異物堵塞      B、運(yùn)行流量增加    C、離子交換膜結(jié)垢或污堵  D、運(yùn)行溫度升高
    98、過熱蒸汽含鹽量比飽和蒸汽含鹽量高的可能原因(D)。
        A、過熱蒸汽溶解鹽類高   B、過熱蒸汽機(jī)械攜帶鹽類高
    C、飽和蒸汽帶水         D、表面式減溫器泄漏或混合式減溫水質(zhì)不良
    99、當(dāng)過熱蒸汽減溫器運(yùn)行正常時(shí),過熱蒸汽質(zhì)量取決于(B)。
          A、減溫水質(zhì)        B、飽和蒸汽質(zhì)量   C、減溫器是否泄漏    D、過熱蒸汽機(jī)械攜帶量
    100、鍋爐蒸汽的機(jī)械攜帶是指從汽包送出的飽和蒸汽夾帶有一些(A)。
         A、鍋水水滴       B、溶解雜質(zhì)       C、減溫水滴        D、鍋水水滴與溶解雜質(zhì)之和
     
    101、中壓鍋爐飽和蒸汽受鈉鹽污染的主要原因是(B)。
         A、溶解攜帶      B、機(jī)械攜帶       C、鈉鹽在蒸汽溶解能力大   D、溶解攜帶與機(jī)械攜帶之和
    102、中壓鍋爐飽和蒸汽受硅污染的主要原因是(D)。
         A、溶解攜帶      B、機(jī)械攜帶       C、機(jī)械攜帶大于溶解攜帶   D、溶解攜帶與機(jī)械攜帶之和
    103、高壓鍋爐飽和蒸汽受鈉鹽污染的主要原因是(B)。
         A、溶解攜帶      B、機(jī)械攜帶       C、機(jī)械攜帶小于溶解攜帶   D、溶解攜帶與機(jī)械攜帶之和
    104、高壓和**高壓鍋爐飽和蒸汽受硅污染的主要原因(A)。
         A、溶解攜帶      B、機(jī)械攜帶       C、機(jī)械攜帶大于溶解攜帶   D、溶解攜帶與機(jī)械攜帶之和
    105、**高壓鍋爐飽和蒸汽受NaCl和Na0H污染的主要原因是(D)。
         A、溶解攜帶      B、機(jī)械攜帶       C、機(jī)械攜帶小于溶解攜帶   D、溶解攜帶與機(jī)械攜帶之和
    106、**高壓鍋爐飽和蒸汽受Na2S04、Na3P04和Na2SiO3污染的主要原因是(B)。
         A、溶解攜帶      B、機(jī)械攜帶       C、機(jī)械攜帶小于溶解攜帶   D、溶解攜帶與機(jī)械攜帶之和
    107、當(dāng)飽和蒸汽在過熱器中被加熱成過熱蒸汽時(shí),所含的小水滴會(huì)被(A)至蒸干,水滴中的某些物質(zhì)將以結(jié)晶析出,當(dāng)結(jié)晶量較多時(shí)形成積鹽。
         A、蒸發(fā)          B、濃縮           C、揮發(fā)                   D、蒸發(fā)、濃縮
    108、帶有各種雜質(zhì)的過熱蒸汽進(jìn)入汽輪機(jī)后,由于壓力和溫度降低,雜質(zhì)在蒸汽中的(A)隨之降低,當(dāng)下降到**它在蒸汽中的含量時(shí),就會(huì)析出沉淀,并沉積在蒸汽流通部位。
         A、溶解度       B、水滴            C、機(jī)械攜帶              D、含量
    109、正常情況下,過熱器中的沉積物主要是鈉鹽,一般可采用(D)方法清除。
         A、酸洗         B、堿洗            C、堿煮                  D、水沖洗
    11O、過熱器進(jìn)行水沖洗時(shí),一般用(B)進(jìn)行沖洗,也可用除鹽水進(jìn)行沖洗。
         A、給水         B、凝結(jié)水          C、疏水                  D、軟化水
    111、為了提高過熱器水沖洗效果,減少?zèng)_洗水耗,沖洗水的水溫應(yīng)不**(C)。
         A、露點(diǎn)溫度     B、35℃            C、70℃                  D、100℃
    112、當(dāng)過熱器沉積物為(D)時(shí),應(yīng)在鍋爐化學(xué)清洗時(shí),將過熱器一并進(jìn)行清洗。
         A、金屬腐蝕產(chǎn)物  B、磷酸鈉鹽       C、難溶物質(zhì)              D、金屬腐蝕產(chǎn)物或難溶物質(zhì)
    113、當(dāng)汽包水位**旋風(fēng)分離器下緣,蒸汽可能會(huì)(A),使蒸汽質(zhì)量發(fā)生劣化。
    A、從旋風(fēng)分離器下部竄出    B、倒流     C、停留在鍋水中      D、滯留在汽水混合分配室
    l14、當(dāng)汽包內(nèi)旋風(fēng)分離器與汽水混合分配室連接不嚴(yán)時(shí),蒸汽可能(C),影響蒸汽質(zhì)量。
         A、從旋風(fēng)分離器下部竄出    B、倒流     C、直接進(jìn)入汽室      D、滯留在汽水混合分配室
    115、汽包內(nèi)的旋風(fēng)分離器、波形板百葉窗如果(D),會(huì)導(dǎo)致汽水分離效果變差,蒸汽質(zhì)量發(fā)生劣化。
         A、配水不均勻      B、配汽不均勻        C、混合不均勻       D、傾斜或松脫
    116、高壓及高壓以上的鍋爐為了減少蒸汽的溶解攜帶,一般在汽包內(nèi)設(shè)置(D)裝置。
    A、旋風(fēng)分離器      B、波形板百葉窗      C、多孔板           D、蒸汽清洗
    117、電站鍋爐酸洗時(shí),金屬腐蝕速度應(yīng)控制在(C)。
         A、<12g/(m2·h)     B、<10g/(m2·h)    C、<8g/(m2·h)   D、<6g/(m2·h)
    118、額定工作壓力為9.8MPa的汽包鍋爐,當(dāng)達(dá)到(D)時(shí),應(yīng)安排化學(xué)清洗。
         A、鍋爐化學(xué)清洗間隔4年,沉積物量為300g/m2     B、鍋爐化學(xué)清洗間隔6年,沉積物量為200g/m2
     C、鍋爐化學(xué)清洗間隔8年,沉積物量為300g/m2     D、鍋爐化學(xué)清洗間隔10年,沉積物量為400g/m2
    119、由于試劑中含有干擾雜質(zhì)所產(chǎn)生的系統(tǒng)誤差,應(yīng)通過(B)來消除。
         A、對(duì)照分析         B、空白試驗(yàn)        C、增加平行試驗(yàn)        D、校正儀器
    120、通過比較溶液顏色深淺,測(cè)定被測(cè)物質(zhì)濃度的分析方法,稱為(C)法。
         A、分光光度         B、容量分析        C、比色分析            D、電化學(xué)分析
    121、根據(jù)物質(zhì)對(duì)光的吸收程度,確定被測(cè)物質(zhì)的含量,稱為(A)法。
         A、分光光度         B、容量分析        C、比色分析             D、電化學(xué)分析
    122、溶液的消光度與溶液的消光系數(shù)、溶液的厚度以及溶液的濃度成(B)。
         A、反比        B、正比          C、對(duì)數(shù)關(guān)系              D、負(fù)對(duì)數(shù)關(guān)系
    123、在測(cè)定鍋水PO4-的含量時(shí),顯色反應(yīng)應(yīng)控制在(A),條件進(jìn)行。
         A、酸性        B、中性          C、中性或弱堿性          D、強(qiáng)堿性
    124、用硅鉬蘭比色法測(cè)定微量硅時(shí),加入正丁醇的作用是(B)。
         A、氧化硅鉬蘭   B、萃取硅鉬蘭   C、還原硅鉬蘭            D、顯色
    125、采用分光光度法測(cè)定時(shí)。應(yīng)將儀器的波長調(diào)節(jié)至被測(cè)物質(zhì)溶液的(D)波長。
         A、可見光       B、紫外光       C、紅外光                D、較大吸收
    126、電化學(xué)分析法是基于被測(cè)溶液的各種(C)性質(zhì),來確定其組成和含量的方法。
         A、物理         B、化學(xué)         C、電化學(xué)                D、不穩(wěn)定
    127、甘汞電極的電極電位主要決定于(B)。
         A、被測(cè)離子的濃度       B、被測(cè)離子的活度       
    C、氯離子的活度         D、溶液的PH

    安徽元通水處理設(shè)備有限公司專注于重慶工業(yè)水處理設(shè)備,宿州水處理設(shè)備,南京**純水設(shè)備,蕪湖水處理設(shè)備,湖北工業(yè)水處理設(shè)備,湖南工業(yè)水處理設(shè)備等

  • 詞條

    詞條說明

  • EDI技術(shù)在水處理系統(tǒng)中的應(yīng)用

    1、前言 目前在發(fā)電廠水處理工藝中有三種方式: **種方式為傳統(tǒng)的除鹽方式,水中的鹽全部依靠離子交換的方式除去,需要大量酸堿溶液對(duì)離子交換樹脂再生,因此運(yùn)行費(fèi)用增加,并且再生后的排水對(duì)環(huán)境也有一定的污染。 *二種方式為改良的除鹽方式,水中的大部分鹽類用反滲透方式除去,但混床中交換樹脂的再生仍需要酸堿。因此此種方式只是改良后的除鹽方式,運(yùn)行費(fèi)用稍有降低,對(duì)環(huán)境也有污染。 *三種方式為綠色的除鹽方式,

  • 常見的超濾相關(guān)名詞解釋,你知道多少?

    超濾 超濾是以壓力為推動(dòng)力的膜分離技術(shù)之一。以大分子與小分子分離為目的,截留顆粒直徑0.002-0.1μm的顆粒的過程。 A nisotropic membrane 不對(duì)稱膜 指膜的化學(xué)結(jié)構(gòu)或物理結(jié)構(gòu)隨膜的部位而異,即各向異性的膜。用高分子溶液鑄膜時(shí),膜是由很薄的致密皮層和比皮層厚得多的由海綿狀或指狀微孔層構(gòu)成的支撐底層共同形成具有分離功能的高分子膜,在膜的厚度方向上呈現(xiàn)出不對(duì)稱性。 M olec

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