鑒于**環(huán)保意識(shí)的提高,碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)這兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受關(guān)注。其中,碳化硅掌握了早期開(kāi)發(fā)的優(yōu)勢(shì),其功率模塊已經(jīng)出現(xiàn)在可再生能源和汽車(chē)電子領(lǐng)域。氮化鎵主要鎖定低功率市場(chǎng),將緩慢進(jìn)入中功率市場(chǎng)。
較近豐田汽車(chē)(Toyota)碳化硅進(jìn)入電動(dòng)汽車(chē)(SiC)該部件的測(cè)試結(jié)果也已公布,以提高能源效率,降低電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果,明顯勝過(guò)硅元件。
臺(tái)達(dá)電力技術(shù)總經(jīng)理張玉明表示,過(guò)去電力電子制造商并不多,但近年來(lái),隨著碳化硅和氮化鎵的半導(dǎo)體元件越來(lái)越多,這部分市場(chǎng)值得期待。此外,功率設(shè)備方面,傳統(tǒng)的火力發(fā)電和核能發(fā)電使用的電力電子較少,但新興的可再生能源不同。風(fēng)力發(fā)電中的電力轉(zhuǎn)換器起著非常重要的作用,而太陽(yáng)能光伏逆變器(PV Inverter),比例也很重。
說(shuō)到這里,一定要說(shuō)什么是碳化硅,有什么特點(diǎn)。
碳化硅(SIC)是半導(dǎo)體行業(yè)公認(rèn)的未來(lái)材料,是新世紀(jì)具有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽?dǎo)體材料,發(fā)展過(guò)程如下。特點(diǎn):碳化硅允許工作溫度和輻射暴露**硅材料,絕緣擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高,高電子速度意味著材料可以高頻使用,散熱導(dǎo)熱性高,為功率設(shè)備提供較大的潛力。
或者較簡(jiǎn)單地說(shuō),它可以保證小型設(shè)計(jì)中高溫下較高的效率和較少的損失。節(jié)能 大功率。
那為什么碳化硅功率器件不能推廣呢?
碳化硅工藝發(fā)展面臨的較大問(wèn)題是如何解決材料優(yōu)良造成的高成本。目前,碳化硅設(shè)備的價(jià)格是原硅設(shè)備的5~6倍。如此高的價(jià)格自然阻礙了碳化硅功率設(shè)備的應(yīng)用和推廣。只有當(dāng)用戶對(duì)性能和可靠性要求較其嚴(yán)格時(shí),他們才會(huì)考慮使用碳化硅產(chǎn)品。
由于碳化硅材料的硬度遠(yuǎn)**傳統(tǒng)硅材料,因此在生成晶體時(shí)容易出現(xiàn)缺陷。此外,優(yōu)秀也會(huì)導(dǎo)致生成晶體的速度非常慢,晶圓的尺寸不大,現(xiàn)在只能達(dá)到6英寸。低合格率和慢生產(chǎn)速度,難怪碳化硅的價(jià)格這么高。
當(dāng)碳化硅設(shè)備的價(jià)格是硅設(shè)備價(jià)格的兩到三倍時(shí),碳化硅市場(chǎng)應(yīng)該達(dá)到爆發(fā)的臨界點(diǎn)。
目前應(yīng)用較廣泛的是4英寸晶圓,6英寸的市場(chǎng)需求越來(lái)越高,但從4英寸到6英寸的轉(zhuǎn)變并不像預(yù)期的那么快。雖然6英寸的價(jià)格成本較有優(yōu)勢(shì),但主要問(wèn)題是6英寸碳化硅的外延材料質(zhì)量不能達(dá)到一定的水平。我認(rèn)為,在2~在三年內(nèi),4英寸的商機(jī)仍然可以期待。除碳化硅元件外,氮化鎵具有中低功率應(yīng)用優(yōu)勢(shì)(GaN)元件也跟在后面
推薦揚(yáng)杰科技,研報(bào)多,摘錄一些。
公司與中國(guó)電子科技集團(tuán)55、凡事投資、吉泰科源、國(guó)宇電子簽訂意向協(xié)議,各方同意通過(guò)增資和股權(quán)轉(zhuǎn)讓獲得國(guó)宇電子38.87%股權(quán)。55所承諾進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)國(guó)宇電子的支持,實(shí)現(xiàn)國(guó)宇電子生產(chǎn)平臺(tái)上55家相關(guān)業(yè)務(wù)的整合。此外,55合作進(jìn)行碳化硅芯片和模塊產(chǎn)品。
中國(guó)電子科技集團(tuán)55所中國(guó)電子科技集團(tuán)45所-6英寸碳化硅延伸生長(zhǎng)、芯片設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈。55臺(tái)碳化硅晶片產(chǎn)能4英寸,碳化硅設(shè)備在中國(guó)良好,主要用于軍事。雙方的合作有利于發(fā)揮協(xié)同作用,有效整合國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的**資源,預(yù)計(jì)*三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化將**突破。同時(shí),通過(guò)這種合作,我們可以嫁接中國(guó)電子技術(shù)豐富的集團(tuán)資源,未來(lái)進(jìn)入更多領(lǐng)域,開(kāi)放增長(zhǎng)空間,國(guó)內(nèi)碳化硅芯片的良好原型已經(jīng)出現(xiàn)。
下一步,我們需要科技的碳化硅產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程和利潤(rùn)。互動(dòng)平臺(tái)上,公司表示目前正在積極推進(jìn)SiC工業(yè)化技術(shù)成熟后,公司將根據(jù)市場(chǎng)需求合理規(guī)劃芯片和設(shè)備的研發(fā)過(guò)程。SiC相實(shí)現(xiàn)*三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局的發(fā)展戰(zhàn)略,產(chǎn)品進(jìn)入新能源汽車(chē)、充電站(樁)等市場(chǎng)。
接下來(lái),只需要跟蹤,等待好的價(jià)格。
詞條
詞條說(shuō)明
碳化硅廢料及其混合物要想能夠廣泛應(yīng)用于各行業(yè)中,就需要經(jīng)過(guò)粉化、粉碎、分級(jí)、除塵、過(guò)濾、沉淀、離心分離、干燥、結(jié)晶、混合、輸送、給料、包裝等過(guò)程,生成材料的基礎(chǔ)——碳化硅廢料。碳化硅廢料粉化技術(shù)是粉粒體過(guò)程處理的較主要分支。隨著環(huán)保儒求和生產(chǎn)過(guò)程自動(dòng)化程度提高,廢料產(chǎn)品粉化化已成為碳化硅廢料處理技術(shù)的必然趨勢(shì)。?從廣義上,人們將碳化硅廢料粉化技術(shù)分為了兩大類(lèi),其一為成型加工法,這種方法的
氮化硅結(jié)合碳化硅耐火材料是一種高硬度非金屬材料,耐磨性好,高溫強(qiáng)度高,抗高溫蠕變能力強(qiáng),耐渣腐蝕性強(qiáng),熱震穩(wěn)定性好,抗氧化性好。氮化硅結(jié)合碳化硅磚氮化硅結(jié)合碳化硅磚氮化硅結(jié)合碳化硅磚結(jié)合碳化硅氮化硅與碳化硅磚的熱膨脹系數(shù)較低,導(dǎo)熱率**碳化硅磚。因此,在高溫下使用時(shí)不易產(chǎn)生熱應(yīng)力,具有良好的抗熱震性能。氮化硅結(jié)合碳化硅產(chǎn)品的應(yīng)用氮化硅結(jié)合碳化硅材料廣泛應(yīng)用于大型煉鐵高爐、有色金屬冶煉、鋁電解槽側(cè)壁
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