上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用

時(shí)間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：14

半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導(dǎo)纖維、電子工業(yè)的重要部件、光學(xué)儀器、工藝品和耐火材料的原料，是科學(xué)研究的重要材料。

 

本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料SiO2中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用。

 

SiO2預(yù)清洗的原因:

SiO2在刻蝕前需要將其表面的物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層等去除，且不破壞晶體的表面特性。

 

KRI離子源在SiO2基片預(yù)清洗方法：

客戶自己搭建真空系統(tǒng)，集成離子源，具體做法如下。
1.將SiO2基片放進(jìn)真空系統(tǒng)，調(diào)整離子源；
2.抽取真空到某真空度后，啟動(dòng)離子源；
3.利用離子源釋放的能量對(duì)SiO2基片進(jìn)行轟擊；

 

KRI離子源在SiO2材料預(yù)清洗客戶案例：

成都某工藝研究所，通過伯東購(gòu)買離子源KDC40

KRI離子源優(yōu)勢(shì)：

1.考夫曼離子源通過控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使拋光刻蝕速率快準(zhǔn)確, 拋光後的基材上獲得平坦, 均勻性高的薄膜表面。

2.KDC 考夫曼離子源內(nèi)置型的設(shè)計(jì)符合離子源於離子拋光機(jī)內(nèi)部的移動(dòng)運(yùn)行。

3.不僅廣泛應(yīng)用於生產(chǎn)單位, 且因離子抨擊能量強(qiáng), 蝕刻效率快。

4.可因應(yīng)多種基材特性,單次使用長(zhǎng)久, 耗材成本極低, 操作簡(jiǎn)易, 安裝簡(jiǎn)易。

 

伯東公司是美國(guó) KRI 考夫曼離子源中國(guó)總代理。

 

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