熔斷器的選擇

時間：2024-12-27作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：1833

1. 熔斷器類型的選擇

應(yīng)根據(jù)使用場合選擇熔斷器的類型。電網(wǎng)配電一般用刀型觸頭熔斷器；電動機保護一般用螺旋式熔斷器；照明電路一般用圓筒帽形熔斷器；保護可控硅元件則應(yīng)選擇半導(dǎo)體保護用快速式熔斷器。

2. 熔斷器規(guī)格的選擇

1) 熔體額定電流的選擇

(1) 對于變壓器、電爐和照明等負載，熔體的額定電流應(yīng)略大于或等于負載電流。

(2) 對于輸配電線路，熔體的額定電流應(yīng)略大于或等于線路的安全電流。

(3) 在電動機回路中用作短路保護時，應(yīng)考慮電動機的啟動條件，按電動機啟動時間的長短來選擇熔體的額定電流。
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  詞條說明

• 可控硅的作用介紹及檢測方法

  1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制較G三個引出腳。雙向可控硅有**陽極A1（T1），*二陽極A2（T2）、控制較G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制較G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A

• 【英飛凌IGBT銷售】IGBT結(jié)構(gòu)

  一個N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)

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  廣泛用于電鍍、氧化、電泳、電解、電化學(xué)、冶練、化成、腐蝕、通迅、加熱、污水處理等行業(yè)。氧化行業(yè)：鋁氧化，鋁型材氧化、氧化著色、陽極氧化、硬質(zhì)氧化、鋁合金氧化電解行業(yè)：電解銅、錳、銻、銀等有色金屬，電解拋光、電解污水、電解稀土冶煉；電泳行業(yè)：電泳涂裝、電泳涂漆、陰極電泳電鍍行業(yè)：電鍍硬鉻、鍍銀、鍍錫、等等；電化學(xué)：電化學(xué)腐蝕、電化學(xué)水處理水處理：污水處理、工業(yè)污水處理、水處理工程其它：加熱，管道加熱

• 【二極管模塊】快恢復(fù)二極管和快恢復(fù)二極管模塊有什么區(qū)別？

  二者都是反向恢復(fù)很快的二極管，主要區(qū)別是功率、速度和封裝不同快恢復(fù)二極管一般指電流、電壓、功率比較小的單管，一般電流幾個安培以內(nèi)，電壓較高1000多V，但是反向恢復(fù)素的很快，只有幾個ns至幾十個ns，用在小功率開關(guān)電源做輸出整流，或需要頻繁開關(guān)的場合，器封裝一般是塑封、玻璃封裝、陶瓷封裝等，很小，例如UF4007快恢復(fù)二極管模塊指封裝成模塊的二極管，功率較大，幾十、幾百安培，主要用于整流，在大功率