1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制較G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有**陽(yáng)極A1(T1),*二陽(yáng)極A2(T2)、控制較G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制較G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。
此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過(guò)零)時(shí),單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制較G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。
單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。 雙向可控硅**陽(yáng)極A1與*二陽(yáng)極A2間,無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制較G和**陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,即使失去觸發(fā)電壓,也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)**陽(yáng)極A1、*二陽(yáng)極A2電流減小,小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí),雙向可控硅才截?cái)?,此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。
2. 單向可控硅的檢測(cè)。 萬(wàn)用表選電阻R*1Ω擋,用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳,此時(shí)黑表筆的引腳為控制較G,紅表筆的引腳為陰極K,另一空腳為陽(yáng)極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽(yáng)極A,紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。用短線瞬間短接陽(yáng)極A和控制較G,此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極A接黑表筆,陰極K接紅表筆時(shí),萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。
3. 雙向可控硅的檢測(cè)。 用萬(wàn)用表電阻R*1Ω擋,用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻,結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無(wú)窮大。若一組為數(shù)十歐姆時(shí),該組紅、黑表所接的兩引腳為**陽(yáng)極A1和控制較G,另一空腳即為*二陽(yáng)極A2。確定A1、G較后,再仔細(xì)測(cè)量A1、G較間正、反向電阻,讀數(shù)相對(duì)較小的那次測(cè)量的黑表筆所接的引腳為**陽(yáng)極A1,紅表筆所接引腳為控制較G。將黑表筆接已確定的*二陽(yáng)極A2,紅表筆接**陽(yáng)極A1,此時(shí)萬(wàn)用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無(wú)窮大。
再用短接線將A2、G較瞬間短接,給G較加上正向觸發(fā)電壓,A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線,萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右?;Q紅、黑表筆接線,紅表筆接*二陽(yáng)極A2,黑表筆接**陽(yáng)極A1。同樣萬(wàn)用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無(wú)窮大。用短接線將A2、G較間再次瞬間短接,給G較加上負(fù)的觸發(fā)電壓,A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G較間短接線,萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)不變,保持在10歐姆左右。
符合以上規(guī)律,說(shuō)明被測(cè)雙向可控硅未損壞且三個(gè)引腳極性判斷正確。 檢測(cè)較大功率可控硅時(shí),需要在萬(wàn)用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池,以提高觸發(fā)電壓。 晶閘管(可控硅)的管腳判別 晶閘管管腳的判別可用下述方法: 先用萬(wàn)用表R*1K擋測(cè)量三腳之間的阻值,阻值小的兩腳分別為控制較和陰極,所剩的一腳為陽(yáng)極。再將萬(wàn)用表置于R*10K擋,用手指捏住陽(yáng)極和另一腳,且不讓兩腳接觸,黑表筆接陽(yáng)極,紅表筆接剩下的一腳,如表針向右擺動(dòng),說(shuō)明紅表筆所接為陰極,不擺動(dòng)則為控制較。
可控硅,英文名稱為Silicon Controlled RecTIfier,簡(jiǎn)寫為SCR,是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,有時(shí)也將其稱為晶閘管。可控硅是一個(gè)具有三個(gè)PN結(jié)、四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)、抗高壓的特點(diǎn),現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于電視機(jī)、電冰箱、無(wú)線電遙控、攝像機(jī)、定時(shí)控制器等設(shè)備中。
可控硅的作用一:可控整流作用
可控硅的作用之一就是可控整流,這也是可控硅較基本也較重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能,并沒(méi)有實(shí)現(xiàn)可控,而一旦把二極管換做可控硅,便構(gòu)成了一個(gè)可控整流電路。
在一個(gè)較基本的單相半波可控整流電路中,當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時(shí),只有在控制較外加觸發(fā)脈沖時(shí),可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通,負(fù)載上才會(huì)有電壓輸出,因此可以通過(guò)改變控制較上觸發(fā)脈沖到來(lái)的時(shí)間,來(lái)進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值,達(dá)到可控整流的作用。
可控硅的作用二:用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)
可控硅的作用之二就是用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān),經(jīng)常用于自動(dòng)化設(shè)備中,代替通用繼電器,具有無(wú)噪音、壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)。
可控硅的作用三:開關(guān)和調(diào)壓作用
可控硅的作用之三就是起到開關(guān)和調(diào)壓的作用,經(jīng)常應(yīng)用于交流電路中,由于其被觸發(fā)時(shí)間不同,因此通過(guò)它的電流只有其交流周期的一部分,通過(guò)它的電壓只有全電壓的一部分,因而起到調(diào)節(jié)輸出電壓的作用。
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詞條
詞條說(shuō)明
什么是可控硅可控硅在自動(dòng)控制控制,機(jī)電領(lǐng)域,工業(yè)電氣及家電等方面都有廣泛的應(yīng)用??煽毓枋且环N有源開關(guān)元件,平時(shí)它保持在非道通狀態(tài),直到由一個(gè)較少的控制信號(hào)對(duì)其觸發(fā)或稱“點(diǎn)火”使其道通,一旦被點(diǎn)火就算撤離觸發(fā)信號(hào)它也保持道通狀態(tài),要使其截止可在其陽(yáng)極與陰極間加上反向電壓或?qū)⒘鬟^(guò)可控硅二極管的電流減少到某一個(gè)值以下??煽毓瓒O管可用兩個(gè)不同極性(P-N-P和N-P-N)晶體管來(lái)模擬,如圖G1所示。當(dāng)可
靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí),漏較電流與柵較電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做
萬(wàn)用表檢測(cè)普通二極管的襲極性與好壞。檢測(cè)原理:根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦赃@一特點(diǎn)性能良好的二極管,其正向電阻小,反向電阻大;這兩個(gè)數(shù)值相差越大越好。若相差不多說(shuō)明二極管的性能不好或已經(jīng)損壞。測(cè)量時(shí),選用萬(wàn)用表的“歐姆”擋。一般用R x100或R xlk擋,而不用Rx1或R x10k擋。因?yàn)镽xl擋的電流太大,容易燒壞二極管,R xlok擋的內(nèi)電源電壓太大,易擊穿二極管.測(cè)量方法:將兩表棒分別接在二極管
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