其他相關(guān)的IC工藝技術(shù)問(wèn)題

    集成電路芯片偏置和驅(qū)動(dòng)的電源電壓Vcc是選擇IC時(shí)要注意的重要問(wèn)題。從IC電源管腳吸納的電流,主要取決于該電壓值以及該IC芯片輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)的傳輸線(PCB線和地返回路徑)阻抗。5 V電源電壓的IC芯片驅(qū)動(dòng)50Ω?jìng)鬏斁€時(shí),吸納的電流為100mA;3.3 V電源電壓的IC芯片驅(qū)動(dòng)同樣的50Ω?jìng)鬏斁€時(shí),吸納電流將減小到66 mA;1.8 V電壓的IC芯片驅(qū)動(dòng)同樣的50Ω?jìng)鬏斁€時(shí),吸納電流將減小到36 mA.。由此可見(jiàn),在公式V=印刷電路板中的電磁兼容設(shè)計(jì)方法總結(jié),驅(qū)動(dòng)電流從100 mA減少到36 mA可以有效地降低電壓的瞬變電壓,因而也就降低了EMI。低壓差分件(LVDS)的信號(hào)電壓擺幅僅有幾百毫伏,可以想像這樣的器件技術(shù)對(duì)EMI的改善將非常明顯。

    電源系統(tǒng)的去耦也是一個(gè)特別值得關(guān)注的問(wèn)題。IC輸出級(jí)通過(guò)IC的電源管腳吸納的電流都是由電路板上的去耦網(wǎng)絡(luò)提供的。降低電源總線上壓降的一種可行辦法是縮短去耦電容到IC輸出級(jí)之間的分布路徑,這樣將降低公式中的“L”項(xiàng)。一種較直接的解決方法是將所有的電源去耦都放在IC內(nèi)部。較理想的情況是直接放在硅基芯片上,并緊鄰被驅(qū)動(dòng)的輸出級(jí)。目前僅有少數(shù)**微處理器采用了這種技術(shù),但是IC廠商們對(duì)這項(xiàng)技術(shù)的興趣正與日俱增,可以預(yù)見(jiàn)這樣的設(shè)計(jì)技術(shù)必將在未來(lái)大規(guī)模、高功耗的IC設(shè)計(jì)中普遍應(yīng)用。

    在IC封裝內(nèi)部設(shè)計(jì)的電容通常數(shù)值都很小(小于幾百皮法),所以系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師仍然需要在PCB板上安裝數(shù)值在0.001~0.1uF之間的去耦電容,然而IC封裝內(nèi)部的小電容可以抑制輸出波形中的高頻成分,這些高頻成分是EMI的較主要來(lái)源。


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