三氧化二鎵的在半導體行業(yè)的作用，你知道多少？

時間：2021-12-06作者：湖南稀能新材料有限公司瀏覽：136

三氧化二鎵（Ga2O3）是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。
Singisetti教授和他的學生（Ke Zang和Abhishek Vaidya）制造了一個由5微米的、由氧化鎵制成的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），而一張紙的厚度約為100微米。
其他研究人員也正在研究氧化鎵。在AIP出版社發(fā)表在應用物理快報上的一篇文章中，作者Higashiwaki和Jessen概述了使用氧化鎵生產微電子的案例。作者專注于場效應晶體管（FET），這些器件可以從氧化鎵的大臨界電場強度中獲益。Jessen所說的質量可以實現(xiàn)具有較小幾何結構的FET的設計以及可以破壞任何其他FET材料的侵蝕性摻雜分布。
“微電子世界較大的缺點之一就是充分利用電源：設計人員總是希望減少過多的電力消耗和不必要的熱量產生，”空軍研究實驗室的**電子工程師Gregg Jessen說?！巴ǔ?，您可以通過縮小設備來實現(xiàn)此目的。但是，目前使用的技術已經接近其許多應用所需的工作電壓極限。它們受到了臨界電場強度的限制。”
該材料在各種應用中的靈活性源于其廣泛的可能導電性，由于其電場強度，從高導電性到非常絕緣性和高擊穿電壓能力。因此，氧化鎵可以達到較端程度。大面積的氧化鎵晶圓也可以從熔體中生長，從而降低了制造成本。


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