? 溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252) | |||||||||||||||||||
Part No. | TYPE | VDSS | VGS | VTH | IDS | RDS(Max) | PD | Package | Data Sheet | ||||||||||
Min | Max | 25°C | 10V | 4.5V | 2.5V | 1.8V | 5.0V | 25°C | |||||||||||
V | V | V | V | A | m Ω | m Ω | m Ω | m Ω | m Ω | W | |||||||||
STN454D | N | 40 | 20 | 1 | 3 | 10 | 25 | 30 | - | - | - | 50 | TO-252 | Bitmap |
ST9435A替代Si9435、Si4431、AO4405、FDS9435、UT9435H、AO4459 |
STC4606替代Si4532CDY、AO4606、NCE4606、AO4616、AO4624、FDS8958、WSP4620、SM9435PSK、GF6706A、AO4627、AO4629、UD4606、UP2790,MT4607 |
STC4614替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、 |
STN1810替代Si4102DY、Si4100DY、SM1A54NHK、AO4886、AO4286、AO4292E |
STN4402替代AP4800AGM 、XZN4420、IRF7413、FDS6630A、Si4420、APM4820、AO4468、AO4566、AO4702、Si4882、SM4832NSK、SM4838NSK、SN4839NSK、Si4820、Si4128DY、AO4404B、UT4410、Si4894、AO4404、SM4850NSK、UT4422、AO4466、FDS6614A、FDS6680、FDS6924 |
STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK |
STN4488L替代AO4410、SI7898DP、AO4302、IRF7832、AO4728L、UT4430、Si4162DY、AO4498E、AO4494、AO4576、SM4831NAK、AO4430、AO4488、AO4498、AO4444 |
STP4441替代AO4421、AO4441、Si9407BDY、SM6105PSK、SM6106PSK、SM6107PSK |
STN4526替代AO4450、AO4484、UT4450、 |
STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY |
STN4826替代Si9945BDY、Si4946CDY |
STP6625替代Si4948BEY |
STP9527替代AO4443、AO4485、Si4447ADY |
STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK |
STP4925替代AO4803、AO4803A、AO4807、AO4813、UT4957、Si4925DDY、 |
STN4260替代AO4264E、AO4262E、SM6128NSK |
STN4480替代AO4306、AO4492、SM4029NSK、SM4037NHK、 |
STN4920替代Si4920、AO4812、UT4812Z、Si4936CDY、SM4805DSK、AO4862、 |
STN4130替代AOD4130 |
STN8882D替代AOD4132、SUD50N024、AOD452、FDD7030BL、LR3103、IRFR3707、AOD528、AOD558 |
STP4407替代APM4315K、AO4407、AO4335、Si4435DDY、 |
STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459 |
STP4953替代Si4953、AO4803、FDS8958、APM4953 |
ST18ADN替代TDM3458、SIS612EDNT-T1-GE3、 |
ST16N10替代APM1110NUB、IRLR/U120NPbF、CEU12N10L、UT12N10、2SK2504 |
ST13P10替代SFR9120、AM1A16PSU、IRF9530、 |
STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442、 |
STC4301D替代AOD606、AO609,FKD4903 |
STC6301D替代AOD603D、AOD603A、SM6042CSU4 |
STN410D替代AOD400、AOD410、AOD420 |
STN2610D替代AOD2610E、AO442G、50N06、NCE6050K |
STN454D替代AOD454D、UTD454 |
STN484D替代AOD480、UTD484、UTD20N03 |
ST36N10D替代AOD2910、AOD482、25N10、AOD482 |
STN4186替代AOD488、UT40N04 |
STP413D替代AOD413A、UT5504、UTD413 |
詞條
詞條說明
閩臺STANSON 專注MOS 13年STC4614 STP413D 原廠交貨快
STC4614可替代其它:STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產(chǎn)品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程,特別是量身定制,以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本
STANSON 貼片MOS STN442D 規(guī)格書**0V 37A 應(yīng)用于按摩椅主板 原廠直銷交貨快
STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442描述STN442D使用溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)和柵較電荷。這些設(shè)備是適合作為負載開關(guān)或在應(yīng)用程序使用。特征60V / 20.0a,RDS(上)= 24mΩ(典型值@ VGS = 10V60V / 20.0a,RDS(上)= 31mΩ@ VGS = 4.5V**高密度電池設(shè)計較低的RDS(on)特殊的阻力和較大直流電流能力TO-2
STC6301D 替代AOD603D、AOD603A、SM6042CSU
STANSON 閩臺司坦森原廠直銷 長期庫存充足,價格優(yōu)美,質(zhì)量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說明STC6301d是采用高電池密度的n&p通道增強模式電場效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到較低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理,其
一、什么是MOS管?MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,英文名metal oxide semiconductor,屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型,因此,MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應(yīng)管。二、MOS管的構(gòu)造。MOS管這個器件有兩個電極,分別是漏較D和源較S,無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴散工藝制作兩個
公司名: 司坦森集成電路(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 唐二林
電 話: 13168017351
手 機: 13168017351
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地 址: 廣東深圳福田區(qū)福田區(qū)福明路雷圳大廈2605
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2SK2504用ST16N10替換,N100V 16A TO-252
AO3442 Si2328DS 用ST1004SRG替換,N100V ,2A SOT-23
ST2341A P30V 6A SOT-23-3L STANSON 原廠 免費試樣
STP605D P60V 15A TO-252 STANSON 原廠當(dāng)天出貨
STN4828 雙**0V SOP-8 司坦森原廠當(dāng)天出貨
司坦森原廠ST3422A N 60V 6A SOT-23-3L,免費試樣
STC4614 N+P 40V STANSON原廠當(dāng)天出貨
VS6018AS用STN4260替換,**0V 18A SOP-8
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