電熱材料和熱電材料的研究現(xiàn)狀與發(fā)展(Ⅰ)

    磐巖()的小編今天帶來的是電熱材料和熱電材料的研究現(xiàn)狀與發(fā)展。
    一、熱電材料的研究現(xiàn)狀與發(fā)展
    1、傳統(tǒng)熱電材料的研究現(xiàn)狀
    從實(shí)用的角度來看,只有那些無量綱優(yōu)值接近1的材料才被視為熱電材料。目前已被廣泛應(yīng)用的主要有3種:適用于普冷溫區(qū)制冷的BiZTea類材料,適用于中溫區(qū)溫差發(fā)電的PbTe類材料,適用于高溫區(qū)溫差發(fā)電的SiGe合金。
    
     
    
    1.1 Bi-Te系列
    BiZTea化學(xué)穩(wěn)定性較好,是目前ZT值較高的半導(dǎo)體熱電體材料。一般而言,Pb,Cd,Sn等雜質(zhì)的摻雜可形成P型材料,而過剩的Te或摻人I,Br,Al,Se,Li等元素以及鹵化物掩I,CuI,CuBr,BiI3,SbI3則使材料成為n型。在室溫下,P型BiZTea晶體的Seebeck系數(shù)較大值約為260PV/K,n型BiZTea晶體的a值隨電導(dǎo)率的增加而降低,并達(dá)到較小值-270t,V/K161,BI2Te。材料具有多能谷結(jié)構(gòu),通常情況下,其能帶形狀隨溫度變化很小,但當(dāng)載流子濃度很高時(shí),等能面的形狀將隨載流子的濃度而發(fā)生變化。室溫下它的禁帶寬度為0.13eV,并隨溫度的升高而減少。
    1.2 P1rTe系列
    PbTe的化學(xué)鍵屬于金屬鍵類型,具有NaCl型晶體結(jié)構(gòu),屬面心立方點(diǎn)陣,其熔點(diǎn)較高(1095K),禁帶寬度較大(約0.3eV),是化學(xué)穩(wěn)定性較好的大分子量化合物。通常被用作300-900K范圍內(nèi)的溫差發(fā)電材料,其SeeBeck系數(shù)的較大值處于600-800K范圍內(nèi)。PbTe材料的熱電優(yōu)值的較大值隨摻雜濃度的增高向高溫區(qū)偏移。PbTe的固溶體合金,如PbTe和PbSe形成的固溶體合金使熱電性能有很大提高,這可能是由于合金中的晶格存在短程無序,增加了短波聲子的散射,使晶格熱導(dǎo)率明顯下降,故使其低溫區(qū)的優(yōu)值增加。但在高溫區(qū),其ZT值沒有得到很好的提高,這是由于形成PbTe-PbSe合金后,材料的禁帶明顯變窄,導(dǎo)致少數(shù)載流子的影響增加,結(jié)果沒能引起高溫區(qū)ZT值的提高。
    
     
    
    1.3 Si-Ge系列
    SiGe合金的a值在Sio.ISGeo.a(chǎn)S達(dá)到較大值,其原因是在該組分處合金系統(tǒng)中的狀態(tài)密度和有效質(zhì)量達(dá)到較大值。但實(shí)際常用Si含量高的合金來得到較高的優(yōu)值,Si含量高有以下好處:降低了晶格熱導(dǎo)率;增加了摻雜原子的固溶度;使SiGe合金有較大的禁帶寬度和較高的熔點(diǎn),適合于高溫下工作;比重小,抗氧化性好,適應(yīng)于空間應(yīng)用;同時(shí)降低了造價(jià)。SiGe合金是目前較為成熟的一種高溫?zé)犭姴牧希m用于制造由放射線同位素供熱的溫差發(fā)電器,并已得到實(shí)際應(yīng)用,1977年旅行者號(hào)太空探測器**采用SiGe合金作為溫差發(fā)電材料,在此后美國NASA的空間計(jì)劃中,SiGe差不多完全取代PbTe材料。
    

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