LED倒裝技術(shù)及工藝流程分析

    	1、引言
    
    
    	發(fā)光二極管(LED)作為新型的綠色照明光源,具有節(jié)能、*、低碳、體積小、反應(yīng)快、抗震性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),可以為用戶(hù)提供環(huán)保、穩(wěn)定、*和安全的全新照明體驗(yàn),已經(jīng)逐步發(fā)展成為成熟的半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)。
    
    
    	近年來(lái),**各個(gè)地區(qū)紛紛開(kāi)始禁用白熾燈泡,LED將會(huì)迎來(lái)一個(gè)黃金的增長(zhǎng)期。此外,近年來(lái)LED在電視機(jī)背光、手機(jī)、和平板電腦等方面的應(yīng)用也迎來(lái)了爆發(fā)式的增長(zhǎng),LED具有廣闊的應(yīng)用發(fā)展前景。
    
    
    	2、倒裝LED技術(shù)的發(fā)展及現(xiàn)狀
    
    
    	倒裝技術(shù)在LED領(lǐng)域上還是一個(gè)比較新的技術(shù)概念,但在傳統(tǒng)IC行業(yè)中已經(jīng)被廣泛應(yīng)用且比較成熟,如各種球柵陣列封裝(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、晶片級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP)等技術(shù),全部采用倒裝芯片技術(shù),其優(yōu)點(diǎn)是生產(chǎn)**、器件成本低和**性高。
    
    
    	倒裝芯片技術(shù)應(yīng)用于LED器件,主要區(qū)別于IC在于,在LED芯片制造和封裝過(guò)程中,除了要處理好穩(wěn)定**的電連接以外,還需要處理光的問(wèn)題,包括如何讓更多的光引出來(lái),提高出光效率,以及光空間的分布等。
    
    
    	針對(duì)傳統(tǒng)正裝LED存在的散熱差、透明電極電流分布不均勻、表面電極焊盤(pán)和引線(xiàn)擋光以及金線(xiàn)導(dǎo)致的**性問(wèn)題,1998年,J.J.Wierer等人制備出了1W倒裝焊接結(jié)構(gòu)的大功率AlGaInN-LED藍(lán)光芯片,他們將金屬化凸點(diǎn)的AIGalnN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護(hù)二極管(ESD)的硅載體上。
    
    
    	圖1是他們制備得到的LED芯片的圖片和截面示意圖。他們的測(cè)試結(jié)果表明,在相同的芯片面積下,倒裝LED芯片(FCLED)比正裝芯片有著較大的發(fā)光面積和非常好的電學(xué)特性,在200-1000mA的電流范圍,正向電壓(VF)相對(duì)較低,從而導(dǎo)致了較高的功率轉(zhuǎn)化效率。
    
    
    	
    
    
    	圖1 倒裝結(jié)構(gòu)的LED芯片圖片和截面示意圖
    
    
    	2006年,O.B.Shchekin等人又報(bào)道了一種新的薄膜倒裝焊接的多**阱結(jié)構(gòu)的LED(TFFC-LED)。所謂薄膜倒裝LED,就是將薄膜LED與倒裝LED的概念結(jié)合起來(lái)。
    
    
    	在將LED倒裝在基板上后,采用激光剝離(Laser lift-off)技術(shù)將藍(lán)寶石襯底剝離掉,然后在暴露的N型GaN層上用光刻技術(shù)做表面粗化。
    
    
    	如圖2所示,這種薄膜結(jié)構(gòu)的LED可以有效地增加出光效率。但相對(duì)來(lái)說(shuō),這種結(jié)構(gòu)工藝比較復(fù)雜,成本會(huì)相對(duì)較高。
    
    
    	
    
    
    	圖2 薄膜倒裝LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖
    
    
    	隨著硅基倒裝芯片在市場(chǎng)上銷(xiāo)售,逐漸發(fā)現(xiàn)這種倒裝LED芯片在與正裝芯片競(jìng)爭(zhēng)時(shí),其成本上處于明顯的劣勢(shì)。
    
    
    	由于LED發(fā)展初期,所有封裝支架和形式都是根據(jù)其正裝或垂直結(jié)構(gòu)LED芯片進(jìn)行設(shè)計(jì)的,所以倒裝LED芯片不得不先倒裝在硅基板上,然后將芯片固定在傳統(tǒng)的支架上,再用金線(xiàn)將硅基板上的電極與支架上的電極進(jìn)行連接。
    
    
    	使得封裝器件內(nèi)還是有金線(xiàn)的存在,沒(méi)有利用上倒裝無(wú)金線(xiàn)封裝的優(yōu)勢(shì);而且還增加了基板的成本,使得價(jià)格較高,*沒(méi)有發(fā)揮出倒裝LED芯片的優(yōu)勢(shì)。
    
    
    	為此,較早于2007年有公司推出了陶瓷基倒裝LED封裝產(chǎn)品。這一類(lèi)型的產(chǎn)品,陶瓷既作為倒裝芯片的支撐基板,也作為整體封裝支架,實(shí)現(xiàn)整封裝光源的小型化。
    
    
    	這一封裝形式是先將倒裝芯片焊接(Bonding)在陶瓷基板上,再進(jìn)行熒光粉的涂覆,最后用鑄模(Molding)的方法制作一次透鏡,這一方法將LED芯片和封裝工藝結(jié)合起來(lái),降低了成本。
    
    
    	這種結(jié)構(gòu)*消除了金線(xiàn),同時(shí)散熱效果明顯改善,典型熱阻<10℃/W,明顯**傳統(tǒng)的K2形式的封裝(典型10-20℃/W)。
    
    
    	隨著倒裝技術(shù)的進(jìn)一步應(yīng)用和發(fā)展,2012年開(kāi)始,出現(xiàn)了可直接貼裝(Direct Attach,DA)倒裝芯片;隨后幾年,各個(gè)公司都開(kāi)始研發(fā)和推出這一類(lèi)型的倒裝芯片。
    
    
    	該芯片在結(jié)構(gòu)上的變化是,將LED芯片表面的P、N兩個(gè)金屬焊盤(pán)幾何尺寸做大,同時(shí)**兩個(gè)焊盤(pán)之間的間距足夠,這樣使得倒裝的LED芯片能夠在陶瓷基板上甚至是PCB板上直接貼片了,使40mil左右的倒裝芯片焊盤(pán)尺寸能夠到達(dá)貼片機(jī)的貼片精度要求,簡(jiǎn)化了芯片倒裝焊接工藝,降低了整體成本。
    
    
    	至目前為止(2014年中)倒裝DA芯片已基本成熟,市場(chǎng)銷(xiāo)售量逐步增加,未來(lái)將會(huì)成為大功率LED芯片的主流。
    
    
    	在直接貼裝DA芯片基礎(chǔ)上,2013年開(kāi)始發(fā)展出了白光芯片(部分公司稱(chēng)為免封裝或無(wú)封裝)產(chǎn)品,如圖6所示。它是在倒裝DA芯片制造過(guò)程中同時(shí)完成了熒光粉的涂敷,應(yīng)用時(shí)可在PCB上直接進(jìn)行貼片,*可以當(dāng)作封裝光源直接應(yīng)用。
    
    
    	其優(yōu)勢(shì)是LED器件體積小,芯片直接貼片可以減少散熱的界面,進(jìn)一步降低了熱阻,散熱性能進(jìn)一步提高。到目前為止,白光芯片仍然處于研發(fā)階段,市場(chǎng)的應(yīng)用還不成熟,需要大家共同努力,推動(dòng)白光芯片技術(shù)和應(yīng)用的發(fā)展。
    
    
    	
    
    
    	圖3 白光芯片與封裝示意圖
    
    
    	3、倒裝LED芯片的制作工藝
    
    
    	倒裝LED芯片的制作工藝流程,如圖4所示,總體上可以分為L(zhǎng)ED芯片制作和基板制造兩條線(xiàn),芯片和基板制造完成后,將LED芯片倒裝焊接在基板表面上,形成倒裝LED芯片。
    
    
    	
    
    
    	圖4 倒裝LED芯片工藝流程框圖
    
    
    	3.1、藍(lán)寶石襯底和GaN外延工藝技術(shù)
    
    
    	對(duì)于倒裝芯片來(lái)說(shuō),出光面在藍(lán)寶石的一側(cè),因此在外延之前,制作圖形化的襯底(PSS),將有利于藍(lán)光的出光,減少光在GaN和藍(lán)寶石界面的反射。因此PSS的圖形尺寸大小、形狀和深度等都對(duì)出光效率有直接的影響。在實(shí)際開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)中需要針對(duì)倒裝芯片的特點(diǎn),對(duì)襯底圖形進(jìn)行優(yōu)化,使出光效率較高。
    
    
    	在GaN外延方面,由于倒裝芯片出光在藍(lán)寶石一側(cè),其各層的吸光情況與正裝芯片有差異,因此需要對(duì)外延的緩沖層(Buffer)、N-GaN層、多層**阱(MQW)和P型GaN層的厚度和摻雜濃度進(jìn)行調(diào)整,使之適合倒裝芯片的出光要求,提高出光效率,同時(shí)適合倒裝芯片制造工藝的歐姆接觸的需要。
    
    
    	3.2、倒裝LED圓片制程工藝
    
    
    	倒裝芯片與正裝芯片的圓片制作過(guò)程大致相同,都需要在外延層上進(jìn)行刻蝕,露出下層的N型GaN;然后在P和N較上分別制作出歐姆接觸電極,再在芯片表面制作鈍化保護(hù)層,最后制作焊接用的金屬焊盤(pán),其制作流程如圖5所示。
    
    
    	
    
    
    	圖5 倒裝LED圓片制作流程
    
    
    	與正裝芯片相比,倒裝芯片需要制作成電極朝下的結(jié)構(gòu)。這種特殊的結(jié)構(gòu),使得倒裝芯片在一些工藝步驟上有特殊的需求,如歐姆接觸層**具有高反射率,使得射向芯片電極表面的光能夠盡量多的反射回藍(lán)寶石的一面,以**良好的出光效率。
    
    
    	倒裝芯片的版圖也需要根據(jù)電流的均勻分布,做較優(yōu)化的設(shè)計(jì)。由于圓片制作工藝中,GaN刻蝕(Mesa刻蝕)、N型接觸層制作、鈍化層制作、焊接金屬PAD制作都與正裝芯片基本相同,這里就不詳細(xì)講述了,下面**針對(duì)倒裝芯片特殊工藝進(jìn)行簡(jiǎn)單的說(shuō)明。
    
    
    	在LED芯片的制作過(guò)程中,歐姆接觸層的工藝是芯片生產(chǎn)的**,對(duì)倒裝芯片來(lái)說(shuō)尤為重要。歐姆接觸層既有傳統(tǒng)的肩負(fù)起電性連接的功能,也作為反光層的作用,如圖9所示。
    
    
    	在P型歐姆接觸層的制作工藝中,要選擇合適的歐姆接觸材料,既要**與P型GaN接觸電阻要小,又要****高的反射率。此外,金屬層厚度和退火工藝對(duì)歐姆接觸特性和反射率的影響非常大,此工藝至關(guān)重要,其關(guān)系到整個(gè)LED的光效、電壓等重要技術(shù)參數(shù),是倒裝LED芯片工藝中較重要的一環(huán)。
    
    
    	目前這層歐姆接觸層一般都是用銀(Ag)或者銀的合金材料來(lái)制作,在合適的工藝條件下,可以獲得穩(wěn)定的**的歐姆接觸,同時(shí)能夠**歐姆接觸層的反射率**過(guò)95%。
    
    
    	
    
    
    	圖6 倒裝芯片出光方向、散熱通道、歐姆接觸、反光層位置示意圖
    
    
    	3.3、倒裝LED芯片后段制程
    
    
    	與正裝LED芯片一樣,圓片工藝制程后,還包括芯片后段的工藝制程,其工藝流程如圖7所示,主要包括研磨、拋光、切割、劈裂、測(cè)試和分類(lèi)等工序。這里工序中,一有不同的是測(cè)試工序,其它工序基本與正裝芯片*相同,這里不再贅述。
    
    
    	
    
    
    	圖7 LED芯片后段工藝制程流程圖
    
    
    	倒裝芯片由于出光面與電極面在不同方向,因此在切割后的芯片點(diǎn)測(cè)時(shí),探針在LED正面電極上扎針測(cè)量時(shí),LED的光是從背面發(fā)出。要測(cè)試LED的光特性(波長(zhǎng)、亮度、半波寬等),**從探針臺(tái)的下面收光。
    
    
    	因此倒裝芯片的點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)與正裝點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)不同,測(cè)光裝置(探頭或積分球)**放在探針和芯片的下面,而且芯片的載臺(tái)**是透光的,才能對(duì)光特性進(jìn)行測(cè)試。
    
    
    	所以,倒裝芯片的點(diǎn)測(cè)機(jī)臺(tái)需要特殊制造或改造。
    

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