可控硅元件—可控硅元件的結(jié)構(gòu) l 一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以**上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管較初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。 l 在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)較為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。 l 可控硅能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果**過此頻率,因元件開關(guān)損耗顯著增加,允許通過的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用。 l 可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)較快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。 l 可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。 l 可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。
詞條
詞條說明
??? 雪崩二極管是利用半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中載流子的碰撞電離和渡越時(shí)間兩種物理效應(yīng)而產(chǎn)生負(fù)阻的固體微波器件。 ??? 雪崩擊穿是在電場作用下,載流子能量增大,不斷與晶體原子相碰,使共價(jià)鍵中的電子激發(fā)形成自由電子-空穴對。新產(chǎn)生的載流子又通過碰撞產(chǎn)生自由電子-空穴對,這就是倍增效應(yīng)。1生2,2生4,像雪崩一樣增加載流子。 齊納擊穿完全不同,在高的反
? ? ? ?1、在長期工作電流≥5A時(shí),必須加裝與之配套的散熱器,工作中散熱器底板溫度不得**過80℃。若環(huán)境溫度過高必須采取風(fēng)冷以加速空氣流動以獲得較好的散熱效果。 ? ? ? ?2、為確保安裝過程中固態(tài)繼電器與散熱器表面緊密接觸而達(dá)到較理想的散熱效果,在安裝時(shí)請將導(dǎo)熱膜平行置于固態(tài)繼電器底板與散熱器接觸面之間并緊固
三相固態(tài)繼電器與三只單項(xiàng)固態(tài)繼電器選擇?
????? 固態(tài)繼電器(SSR)均為過零型,即三相SSR只能作“開關(guān)”,不能作“調(diào)壓”。實(shí)際上三相SSR是把三個(gè)單相SSR做在一起,并用一個(gè)輸入端控制。對實(shí)際負(fù)載電流不大的場合,三相SSR使用起來比較方便,但電流大時(shí)發(fā)熱亦大,這時(shí)使用三只單相SSR較為可靠(因三只單獨(dú)分開比集中在一起散熱效果好,控制方法:三個(gè)輸入端可串聯(lián)或并聯(lián)),另外如負(fù)載短路造
??? 硅的作用一:可控整流作用 ??? 硅的作用之一就是可控整流,這也是可控硅較基本也較重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能,并沒有實(shí)現(xiàn)可控,而一旦把二極管換做可控硅,便構(gòu)成了一個(gè)可控整流電路。 ??? 個(gè)較基本的單相半波可控整流電路中,當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時(shí),只有在控制較外加觸發(fā)
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