?高容量的電容量測(cè)時(shí)較易有容值偏低現(xiàn)象,主要原因是電容兩端的實(shí)際施加電壓無(wú)法高到測(cè)試條件需求所致。
?也就是說(shuō)加在電容兩端的電壓因?yàn)閮x器本身內(nèi)部阻抗分壓的原因與儀器顯示的設(shè)定電壓不同導(dǎo)致。
?當(dāng)對(duì)老化的材料施加**材料居里溫度的高溫,當(dāng)環(huán)境溫度回到常溫后,材料的分子構(gòu)造將會(huì)回到原始的狀態(tài)材料將由此開(kāi)始老化的又一個(gè)循環(huán)。
?解決對(duì)策在測(cè)量電容容值時(shí)將儀器調(diào)校并將儀器的設(shè)定電壓與實(shí)際加在產(chǎn)品兩端所測(cè)電壓盡量調(diào)整,使實(shí)際加載在待測(cè)物上的電壓和輸出電壓一樣。
?測(cè)試條件對(duì)量測(cè)成果的影響的對(duì)策:對(duì)于不同容值的電容會(huì)采納不同的測(cè)試電壓和測(cè)試頻率來(lái)量測(cè)其容值。
?通過(guò)以上對(duì)貼片電容容量偏低的原因進(jìn)行研究可知,在測(cè)試時(shí)出現(xiàn)的電容容量偏低可能是內(nèi)在因素即電容材質(zhì)本身特性造成的。
?也可能是外在因素即測(cè)試儀器、測(cè)試環(huán)境、測(cè)試方式等因素造成的,因此在實(shí)際運(yùn)用經(jīng)過(guò)中。
?對(duì)于確保由于以上因素造成的容量偏低的產(chǎn)品,在生產(chǎn)經(jīng)過(guò)中沒(méi)必須在上線前行行容值恢復(fù)動(dòng)作。
?只須要將組件置于板上正常制造作業(yè),產(chǎn)品過(guò)程回流焊或波峰焊后,即可恢復(fù)正常容值。
詞條
詞條說(shuō)明
色環(huán)電阻:在普通的電阻封裝上涂上不一樣的顏色的色環(huán)以此來(lái)區(qū)分電阻的阻值,這樣在安裝的時(shí)候可以再任意角度都可以清楚讀出它的阻值。一般色環(huán)標(biāo)識(shí)是標(biāo)在圓柱形的電阻器上,如熔斷電阻碳膜電阻等,有三環(huán)電阻,四環(huán)電阻,五環(huán)電阻,六環(huán)電阻。在看電阻色環(huán)表時(shí)可以記住一個(gè)口訣:棕一紅二橙是三,四黃五綠六為藍(lán),七紫八灰九對(duì)白,黑是零,金五銀十表誤差。 三環(huán)電阻 一環(huán)是十位數(shù),*二環(huán)是個(gè)位數(shù),*三環(huán)是倍率。**個(gè)色環(huán)
1)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,傳感器無(wú)活動(dòng)電觸點(diǎn),因此工作可靠壽命長(zhǎng)。 (2)靈敏度和分辨力高,能測(cè)出0.01微米的位移變化。傳感器的輸出信號(hào)強(qiáng),電壓靈敏度一般每毫米的位移可達(dá)數(shù)百毫伏的輸出。 (3)線性度和重復(fù)性都比較好,在一定位移范圍(幾十微米至數(shù)毫米)內(nèi),傳感器非線性誤差可達(dá)0.05%~0.1%。同時(shí),這種傳感器能實(shí)現(xiàn)信息的遠(yuǎn)距離傳輸、記錄、顯示和控制,它在工業(yè)自動(dòng)控制系統(tǒng)中廣泛被采用。但不足的是,它有頻
理想的電容器應(yīng)是無(wú)極性電解電容,這樣的電容可以用在任何交流或直流電路中。一般地,只要容量,耐壓都相同,就可以用無(wú)極性電容代替電解電容(反之則不一定行)。實(shí)際應(yīng)用還要考慮體積,價(jià)格以及電容的其他指標(biāo)差別。 常見(jiàn)的電解電容腐蝕抑制方法: 1、提高電容器所用材料純度,減少雜質(zhì)含量; 2、用甩干的方法或開(kāi)口老練的方法減少電容器中多余電解液的含量; 3、減少芯子及電解液中的水分; 4、采用高濃度電解液減少
一體成型電感和普通電感在制造工藝與性能各方面有著很大的區(qū)別具體的是: 在制造工藝上一體成型電感制作工藝有DIP,SMD兩種,且都是壓鑄成型,一體成型電感包括座體和繞組本體,座體需將繞組本體埋入金屬磁性粉末內(nèi)部壓鑄而成,SMD引腳為繞組本體的引出腳直接成形于座體表面的。 普通電感一般都是磁芯和漆包線圈繞制而成。 在性能上面一體成型電感具有結(jié)構(gòu)堅(jiān)實(shí)牢固,產(chǎn)品精準(zhǔn)厚度、持久防銹。高Q值,小型化小體積、
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