臺積電宣布10nm工藝完工 下一目標是7nm/5nm

時間：2016-07-18作者：深圳芯易科技有限公司瀏覽：60

雖然臺積電在16nm FinFET工藝量產上略遜于英特爾、三星等成員，但在10nm的工藝上卻處于暫時良好的位置；日前，臺積電宣布10nmFinFET工藝已投入量產。
在不久前的股東會議上，臺積電高調公布了2016年二季度運營及技術發(fā)展情況，并將資本支出提高至105億美元（比英特爾高出近5億美元），顯示出股東對公司未來的發(fā)展非?？春谩?
會議上，臺積電CEO劉德音公布了工藝進展：已經有三個客戶使用10nm工藝完成流片。雖然劉德音沒有公布這三位電子元器件和IC客戶的具體信息，但能用得起10mn工藝芯片的也就是蘋果（A10）、聯發(fā)科（X30）和海思（新一代麒麟處理器）。劉德音還表示，年底前將會收到更多客戶的10nm芯片流片訂單。
此外，臺積電還計劃在2020年完成5nm工藝的研發(fā)，預計在量產（7nm/5nm工藝）的時候使用EUV光刻工藝。以提高密度、簡化工藝并降低成本。EUV是新一代半導體工藝突破的關鍵，利用遠紫外光的EUV曝光技術作為可使電子元器件和IC等半導體進一步微細化，因此備受期待。早期臺積電和三星還為了首先使用EUV工藝打過嘴仗。
目前臺積電公司已經在7nm節(jié)點研發(fā)上使用了EUV工藝，實現了EUV掃描機、光罩及印刷的工藝集成。 臺積電表示目前他們有4臺ASML公司的NX:3400光刻機在運行，2017年**季度還會再購買2臺。
之前有報道稱三星也購買了ASML公司的量產型EUV光刻機，目的是在2017年加速7nm工藝量產（芯易網注）。
在7nm工藝方面也進展順利，臺積電宣稱已經提前56Mb SRAM芯片。劉德音稱臺積電的7nm工藝無論在功耗、性能以及PPA密度等方面，都比對手（英特爾、三星）出色，預計2017年**片、2018年正式量產。


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