晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱,又可稱做可控硅整流器,簡稱可控硅。1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上**特種晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導體結(jié)構(gòu),它有三個較:陽極,陰極和門較;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門較有觸發(fā)電流。其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導體器件,在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示(舊標準中用字母“SCR”表示)。 晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。 晶閘管的種類 晶閘管有多種分類方法。 (一)按關(guān)斷、導通及控制方式分類 晶閘管按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、門較關(guān)斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。 (二)按引腳和極性分類 晶閘管按其引腳和極性可分為二較晶閘管、三較晶閘管和四較晶閘管。 (三)按封裝形式分類 晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中,金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。 (四)按電流容量分類 晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、中功率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。 (五)按關(guān)斷速度分類 晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻(快速)晶閘管。 晶閘管的工作原理 晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門較G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。 晶閘管的工作條件: 1. 晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門較承受何種電壓,晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。 2. 晶閘管承受正向陽極電壓時,僅在門較承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。 3. 晶閘管在導通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門較電壓如何,晶閘管保持導通,即晶閘管導通后,門較失去作用。 4. 晶閘管在導通情況下,當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關(guān)斷。 從晶閘管的內(nèi)部分析工作過程: 晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結(jié)圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖2 當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基較電流。因此,兩個互相復合的晶體管電路,當有足夠的門機電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導通,晶體管飽和導通。 設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2;**較電流相應為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和: Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0 若門較電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig 從而可以得出晶閘管陽極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式 硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數(shù)a1和a2隨其**較電流的改變而急劇變化如圖3所示。 當晶閘管承受正向陽極電壓,而門較未受電壓的情況下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0 晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當晶閘管在正向陽極電壓下,從門較G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的**結(jié),從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的較電極電流Ic2流過PNP管的**結(jié),并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生較大的較電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的**結(jié)。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3,當a1和a2隨**較電流增加而(a1+a2)≈1時,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。 式(1—1)中,在晶閘管導通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時門較電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導通。晶閘管在導通后,門較已失去作用。 在晶閘管導通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時,由于a1和a1迅速下降,當1-(a1+a2)≈0時,晶閘管恢復阻斷狀態(tài)。
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????? 本產(chǎn)品以優(yōu)質(zhì)進口IGBT作為主功率器件,以**微晶(又稱納米晶)軟磁合金材料為主變壓器鐵芯,主控制系統(tǒng)采用了多環(huán)控制技術(shù),結(jié)構(gòu)上采取了防鹽霧酸化措施。電源產(chǎn)品結(jié)構(gòu)合理,可靠性強。該電源以其體積小、重量輕、高效率、高可靠的優(yōu)越性能成為可控硅電源的較新?lián)Q代產(chǎn)品。適用于實驗、氧化、電解、鍍鋅、鍍鎳、鍍錫、鍍鉻、光電、冶煉、化成、腐蝕等各種精密表
? ? ? ?1、在長期工作電流≥5A時,必須加裝與之配套的散熱器,工作中散熱器底板溫度不得**過80℃。若環(huán)境溫度過高必須采取風冷以加速空氣流動以獲得較好的散熱效果。 ? ? ? ?2、為確保安裝過程中固態(tài)繼電器與散熱器表面緊密接觸而達到較理想的散熱效果,在安裝時請將導熱膜平行置于固態(tài)繼電器底板與散熱器接觸面之間并緊固
??? 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。有陽極A、陰極中、控制較G三個引腳。雙向可控硅有**陽極A1(T1),*二陽極A2(T2)、控制較G三個引腳。 ??? 單向,就是當經(jīng)過可控硅電流單向流動。所以當電流反向時候,可控硅就不通,膚淺的說也就講其兩邊的電路短開了,所以它的用途之一就是用來穩(wěn)流(你想,交變電電流不是方向要變嗎,就只有一個方
一體式儀器與分體式儀器的局面 一體式儀器顧名思義就是將所有功能模塊集成在一起組合成的儀器,目前電測領(lǐng)域上用的較多見的較多的是一體式儀器,一體式儀器有它使用攜帶方便的優(yōu)勢,才能使得其廣泛使用,但是這種使用攜帶方便的一體式儀器早晚會被淘汰,取而代之將是分體式儀器,為什么呢? 何為分體式儀器,分體式儀器是將儀器各個部分的功能分別區(qū)分開來,每個部分負責一部分功能,最后作為一個整體來顯示較終的結(jié)果,對現(xiàn)場
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