1) 這種命名法被歐洲許多國(guó)家采用。因而,凡類型以兩個(gè)字母開(kāi)頭,并且**個(gè)字母是A,B,C,D或R的晶體管,大都是歐洲制作的商品,或是按歐洲某一廠家**生產(chǎn)的商品。
2) **個(gè)字母表明資料(A表明鍺管,B表明硅管),但不表明極性(NPN型或PNP型)。
3) *二個(gè)字母表明器件的類別和首要特點(diǎn)。如C表明低頻小功率管,D表明低頻大功率管,F表明高頻小功率管,L表明高頻大功率管等等。若記住了這些字母的含義,不查手冊(cè)也可以判斷出類別。例如,BL49型,一見(jiàn)便知是硅大功率**三極管。
4) *三部分表明掛號(hào)順序號(hào)。三位數(shù)字者為通用品;一個(gè)字母加兩位數(shù)字者為**品,順序號(hào)相鄰的兩個(gè)類型的特性可能相差很大。例如,AC184為PNP型,而C185則為NPN型。
5) *四部分字母表明同一類型的某一參數(shù)(如hFE或NF)進(jìn)行分檔。
6) 類型中的符號(hào)均不反映器件的極性(指NPN或PNP)。極性的確定需查閱手冊(cè)或測(cè)量。
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詞條
詞條說(shuō)明
? 1、輸入特性 三極管的輸入特性曲線,它表示Ib隨Ube的變化關(guān)系,其特點(diǎn)是: (1)當(dāng)Ube<UbeR時(shí),Ib≈O稱(0~UbeR)的區(qū)段為“死區(qū)”當(dāng)Ube>UbeR時(shí),Ib隨Ube增加而增加,放大時(shí),三極管工作在較直線的區(qū)段。 ?? (2)當(dāng)Uce在0-2伏范圍內(nèi),曲線位置和形狀與Uce 有關(guān),但當(dāng)Uce**2伏后,曲線Uce基本無(wú)關(guān)通常輸入特性由兩條曲線表示即
詳解芯片封裝技術(shù)簡(jiǎn)介 我們經(jīng)常聽(tīng)說(shuō)某某芯片采用什么什么的封裝方式,在我們的電腦中,存在著各種各樣不同處理芯片,那么,它們又是是采用何種封裝形式呢?并且這些封裝形式又有什么樣的技術(shù)特點(diǎn)以及優(yōu)越性呢?那么就請(qǐng)看看下面的這篇文章,將為你介紹個(gè)中芯片封裝形式的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。 一 DIP雙列直插式封裝 DIP(DualIn-line Package)是指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片,絕大多數(shù)中小規(guī)模集成
[常識(shí)學(xué)堂] 電感和磁珠的型號(hào)、規(guī)格以及命名
一、片狀電感 電感量:10NH~1MH 材料:鐵氧體繞線型陶瓷疊層 精度:J=±5%K=±10%M=±20% 尺度:04020603080510081206121018121008=2.5mm*2.0mm1210=3.2mm*2.5mm ?二、功率電感 電感量:1NH~20MH帶屏蔽、不帶屏蔽 尺度:SMD43、SMD54、SMD73、SMD75、SMD104、SMD105;RH73/
半導(dǎo)體三極管又稱“晶體三極管”或“晶體管”。 半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù)介紹: 電流擴(kuò)大系數(shù):關(guān)于三極管的電流分配規(guī)則Ie=Ib+Ic,因?yàn)榛^電流Ib的改變,使集電極電流Ic發(fā)作較大的改變,即基較電流Ib的細(xì)小改變操控了集電極電流較大,這就是三極管的電流擴(kuò)大原理。即β=ΔIc/ΔIb。 較間反向電流,集電極與基較的反向飽滿電流 極限參數(shù):反向擊穿電壓,集電極答應(yīng)電流、集電極答應(yīng)功率損耗。 半導(dǎo)體三較
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