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TLP184 和TLP185晶體管耦合器比**代產(chǎn)品要輕薄,而且能在高溫下正常工作(Ta = 110度 較大值)。
TLP184 和TLP185分別是TLP180 and TLP181的較新產(chǎn)品。 能輕易用這些產(chǎn)品代替現(xiàn)在的這些型號(hào),因?yàn)檫@些產(chǎn)品的參考衰減器尺寸與現(xiàn)在的MFSOP6封裝型號(hào)的尺寸是一樣的。 而且,由于較輕薄,這些產(chǎn)品能將安裝高度從先前的2.8毫米,降低到2.3毫米。
因?yàn)镾O6封裝能確保較小的間隙和爬電距離為5毫米,而不是現(xiàn)有型號(hào)MFSOP6封裝中的4毫米。所以這些產(chǎn)品的較大允許操作隔離電壓為 707 Vpk,E**0747-5-2中已明確規(guī)定過(guò)。 所以,TLP184 和 TLP185能更換DIP封裝區(qū)域的零件(TLP781,TLP785等)。 而且,這種產(chǎn)品能確保內(nèi)部絕緣厚度為0.4毫米,而且屬于加強(qiáng)絕緣種類,符合國(guó)外安全標(biāo)準(zhǔn)
TLP701是可直接驅(qū)動(dòng)小容量 IGBT 和功率MOSFET的SDIP6封裝
的IC 耦合器。雖然 SDIP6 封裝的安裝面積
約為 DIP8 封裝(TLP351)的一半,TLP701 符合**安全標(biāo)準(zhǔn)
的強(qiáng)化絕緣等級(jí)。它可用于大範(fàn)圍產(chǎn)品,包括工業(yè)設(shè)備、數(shù)位
家用電器、測(cè)量設(shè)備和控制裝置,并且可使封裝較小并降低成本。
特徵
保證的工作溫度範(fàn)圍較寬: Topr = -40°C至100°C
圖騰柱式輸出
峰值輸出電流: IOP=±0.6A
低輸入電流: IFLH=5mA(較大值)
絕緣電壓: BVs=5000Vrms
傳輸延遲時(shí)間: tpLH,tpHL=700ns(較大值)
應(yīng)用
PDP
通用變頻器 MOSFET/IGBT 柵較驅(qū)動(dòng)器
IH(電磁爐)
詞條
詞條說(shuō)明
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