3D已經(jīng)成為半導(dǎo)體微細(xì)加工技術(shù)到達(dá)物理極限之后的必然趨勢,目前正處于3D工藝的探索期。在這一過程中,以及今后在實(shí)現(xiàn)3D工藝的發(fā)展趨勢中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式到底如何演義,會不會成為Fabless+Foundry這種發(fā)展模式的終結(jié)?可能較有發(fā)言權(quán)的還是那些身處產(chǎn)業(yè)*的*公司的高管們。
不過,我們可以從對宏觀數(shù)據(jù)的分析中獲得對大趨勢判斷的一些基本方法。如果在今后的銷售額統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)中,以Intel為代表的IDM陣營銷售額增長快于以臺積電為代表的Foundry陣營,或者IDM陣營的銷售額增長快于以高通、ARM為代表的Febless陣營,則表明IDM模式暫時(shí)勝出。
即使IDM模式勝出也只能算是暫時(shí)的,因?yàn)?D工藝終將會走向成熟,過了目前的探索發(fā)展期后,還會是Fabless+Foundry模式勝出的。那時(shí),F(xiàn)oundry廠家將能夠向Fabless公司提供較加穩(wěn)定的工藝參數(shù)。
這次的3D工藝探索期,在時(shí)間跨度上可能比上世紀(jì)70年代平面半導(dǎo)體工藝的探索期要短很多,畢竟今天的計(jì)算機(jī)和軟件科技水平已經(jīng)達(dá)到了一個(gè)新高度,這有助于縮短3D工藝的探索期和過渡期。
產(chǎn)業(yè)實(shí)際發(fā)展很可能出現(xiàn)這種情況:在這次3D技術(shù)跨越中,平面工藝也同時(shí)并行向前發(fā)展,兩者并存一段很長的時(shí)期。因此,有可能出現(xiàn)即使在3D探索期,IDM模式也難于勝出的可能性,因?yàn)镕abless公司完全可以憑借現(xiàn)有的平面工藝來進(jìn)行新應(yīng)用設(shè)計(jì),在3D工藝不成熟前繼續(xù)進(jìn)行平面工藝Foundry委托加工,一旦Foundry工廠有了成熟的3D工藝,則可以及時(shí)地用“零時(shí)間跨度”的方式轉(zhuǎn)到3D工藝委托加工方面。這樣在宏觀銷售統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)中,將很有可能看不到IDM陣營明顯高出Fabless陣營和Foundry陣營的情況。當(dāng)然,后續(xù)如何演義,只有用兩大陣營的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)來說話了。
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2012年晶圓代工廠排名臺積電穩(wěn)居**,格羅方德擠下聯(lián)電成為晶圓代工二哥
市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights公布較新2012年晶圓代工廠排名預(yù)估,臺積電穩(wěn)居**,格羅方德(GlobalFoundries)擠下聯(lián)電成為晶圓代工二哥,與聯(lián)電間的營收差距預(yù)估將拉大到5.1億美元。 至于臺積電眼中「可畏的對手」韓國三星電子,因?yàn)樘O果代工ARM應(yīng)用處理器,今年?duì)I收年成長率以54%居冠,且已快追上聯(lián)電。 IC Insights公布較新2012年晶圓代工廠排名預(yù)估,臺積電仍穩(wěn)居**大廠寶
凱高達(dá)科技新品上市,在國慶之后推出一款大絕緣封裝的產(chǎn)品——ITO-247封裝,內(nèi)部采用**的陶瓷絕緣,同外部散熱底板完全絕緣,絕緣耐壓等級達(dá)4KV以上??商峁?5A、90A、110A、130A的單向可控硅,60A、80A、100A的雙向可控硅。 絕緣型高壓單向可控硅: GSA75-1800,75A/1800V GSA90-1800,90A/1800V GSA110-1800,110A/1800V
據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)IHSiSuppli的報(bào)告顯示,中國微控制器(MCU)市場預(yù)期在2015年達(dá)到47億美元的營收規(guī)模,在之前5年里保持60%的增長率。工業(yè)和消費(fèi)電子市場占據(jù)較大份額,而來自汽車電子領(lǐng)域的需求增長較快,同時(shí),新能源和智能化應(yīng)用也將加快高位MCU的應(yīng)用普及。這與我們從多家MCU廠商得到的信息反饋基本吻合:傳統(tǒng)的工業(yè),消費(fèi)電子領(lǐng)域依然是8/16位MCU的熱土;智能電網(wǎng),物聯(lián)網(wǎng),醫(yī)療電子,電子
三星對OLED投入18億美元擴(kuò)充生產(chǎn)線 預(yù)計(jì)明年上半年上線
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