醫(yī)療應(yīng)用中的Everspin MRAM

時間：2020-04-26作者：深圳市英尚微電子有限公司瀏覽：120

Everspin擁有包括40nm，28nm及較高技術(shù)節(jié)點在內(nèi)的**技術(shù)節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。Everspin生產(chǎn)基于180nm，130nm和90nm工藝技術(shù)節(jié)點的MRAM產(chǎn)品。產(chǎn)品包裝和測試業(yè)務(wù)遍及中國，閩臺和其他亞洲國家。Everspin深圳總代理英尚微電子已交付大量的MRAM芯片供給各行業(yè)領(lǐng)域范圍。
 
日本Nikkiso是工業(yè)，航空航天和醫(yī)療設(shè)備市場的**者，在其血液透析機中使用MRAM作為機器性能參數(shù)以及各個患者參數(shù)的數(shù)據(jù)日志。
 
Nikkiso的工程師選擇EVERSPIN 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因為MRAM固有的非易失性，不需要電池或電容器，無限制的非易失性寫耐久性以及在非易失性寫周期和讀取周期中都具有高速性。這些*特的醫(yī)療MRAM屬性提高了系統(tǒng)的可靠性，這在Nikkiso的高可靠性醫(yī)療設(shè)備市場中至關(guān)重要。
 
醫(yī)療應(yīng)用中的MRAM
Everspin并行I/O MRAM產(chǎn)品的簡單異步SRAM接口使Nikkiso的設(shè)計易于實現(xiàn)，而*其他組件。Everspin MRAM技術(shù)的強大可靠性使Nikkiso工程師能夠使用EVERSPIN的標(biāo)準(zhǔn)商業(yè)級產(chǎn)品滿足患者關(guān)鍵醫(yī)療設(shè)備市場的苛刻要求。


Everspin 16Mb MRAM
Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs)/ T&R
16Mb	1Mx16	MR4A16BMA35R	48-BGA	3.3v	Commercial	2500
16Mb	1Mx16	MR4A16BCMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	2,500
16Mb	1Mx16	MR4A16BCMA35R	48-BGA	3.3v	Industrial	2500
16Mb	1Mx16	MR4A16BYS35	54-TSOP2	3.3V	Commercial	1,000
16Mb	1Mx16	MR4A16BYS35R	54-TSOP2	3.3v	Commercial	1000
16Mb	1Mx16	MR4A16BCYS35	54-TSOP2	3.3V	Industrial	1,000
16Mb	1Mx16	MR4A16BCYS35R	54-TSOP2	3.3v	Industrial	1000
16Mb	1Mx16	MR4A16BUYS45	54-TSOP2	3.3v	Automotive	1000
16Mb	1Mx16	MR4A16BUYS45R	54-TSOP2	3.3v	Automotive	1000
16Mb	2Mx8	MR4A08BMA35	48-BGA	3.3V	Commercial	480
16Mb	2Mx8	MR4A08BMA35R	48-BGA	3.3v	Commercial	2500
16Mb	2Mx8	MR4A08BCMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	480
16Mb	2Mx8	MR4A08BCMA35R	48-BGA	3.3v	Industrial	2500
16Mb	2Mx8	MR4A08BYS35	44-TSOP2	3.3V	Commercial	270
16Mb	2Mx8	MR4A08BYS35R	44-TSOP2	3.3v	Commercial	270
16Mb	2Mx8	MR4A08BCYS35	44-TSOP2	3.3V	Industrial	270
16Mb	2Mx8	MR4A08BCYS35R	44-TSOP2	3.3v	Industrial	270
16Mb	2Mx8	MR4A08BUYS45	44-TSOP2	3.3v	Automotive	270


深圳市英尚微電子有限公司專注于存儲器芯片IC,SRAM,MRAM,pSRAM,FLASH芯片,SDRAM等

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  詞條說明

• VTI一級代理商

  low power sram主要是指低功耗SRAM存儲器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機訪問存儲器（SRAM）作為較重要的半導(dǎo)體存儲器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升，存儲器占據(jù)芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設(shè)計變得越來越重要。 Density Org. P/N Vcc(V) Speed(ns) C/S

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  Everspin在磁存儲器設(shè)計，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是*一**的。擁有**過600多項有效**和申請的知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場良好地位。英尚微電子作為everspin的**代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數(shù)據(jù)存儲.沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。 產(chǎn)品描述 MR20H4

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