手機快充芯片的原理及快充芯片標準

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    ? ? ? ??國產手機增長迅猛,**話語權。隨著華為、OPPO、Vivo等國產手機廠商在**份額不斷擴大,中國廠商產業(yè)鏈整合能力提升,將可以**快速充電市場的主導權。相比高壓快充方式,低壓大電流在實現(xiàn)同樣功率下效率較高,充電器和手機發(fā)熱較少,將占據(jù)市場主流。

    常見快速充電技術可分為兩種:

    ? ? ? ? ?高壓快充:通過提高電源適配器輸出電壓來提高終端充電功率和速率。

    ? ? ? ? ?低壓快充:通過提高電源適配器輸出電流來提高終端充電功率和速率。


    ? ? ? ?現(xiàn)市面上使用的電池管理芯片,國外的主要是TI和Fairchild的產品。而國內深圳鉦銘科電子也推出幾款適用于智能手機的快充芯片。



    1.DK5V45R10 是一款簡單gaoxiao率的同步整流芯片,只有 A,K 兩個引腳,分別對應肖特基二極管的 A,K 引腳。芯片內部集成了 45V 功率 NMOS 管,可以大幅降低二極管導通損耗,提高整機效率,取代或替換目前市場上等規(guī)的肖特基整流二極管。產品特點:支持 DCM 和 QR 模式反激系統(tǒng)。 內置 10 mΩ 45V 功率 NMOS 管。特有的自供電技術,*外部供電電源。 自檢測開通關斷,*外部同步信號??芍苯犹鎿Q肖特基管, 對 EMC/I 有適當改善。


    2.DK5V45R15 是一款簡單gaoxiao率的同步整流芯片,只有 A,K 兩個引腳,分別對應肖特基二極管的 A,K 引腳。芯片內部集成了 45V 功率 NMOS 管,可以大幅降低二極管導通損耗,提高整機效率,取代或替換目前市場上等規(guī)的肖特基整流二極管。產品特點:支持 DCM 和 QR 模式反激系統(tǒng)。內置 15 mΩ 45V 功率 NMOS 管。特有的自供電技術,*外部供電電源。 自檢測開通關斷,*外部同步信號??芍苯犹鎿Q肖特基管,對 EMC/I 有適當改善。

    3.DK5V45R20 是一款簡單gaoxiao率的同步整流芯片,只有 A,K 兩個引腳,分別對應肖特基二極管的 A,K 引腳。芯片內部集成了 45V 功率 NMOS 管,可以大幅降低二極管導通損耗,提高整機效率,取代或替換目前市場上等規(guī)的肖特基整流二級管。產品特點:支持 DCM 和 QR 模式反激系統(tǒng)。內置 20 mΩ 45V 功率 NMOS 管。特有的自供電技術,*外部供電電源。自檢測開通關斷,*外部同步信號??芍苯犹鎿Q肖特基管,對 EMC/I 有適當改善。

    4.DK5V45R25 是同步二極管芯片。芯片內部集成了 45V 功率 NMOS 管,可以大幅降低二極管導通損耗,提高整機效率,取代或替換目前市場上等規(guī)的肖特基整流二級管。產品特點:支持 DCM 和 QR 模式反激系統(tǒng)。內置 25 mΩ 45V 功率 NMOS 管。特有的自供電技術,*外部供電電源。自檢測開通關斷,*外部同步信號??芍苯犹鎿Q肖特基管,對 EMC/I 有適當改善。

    5.DK5V100R25 是同步二極管芯片。芯片內部集成了 100V 功率 NMOS 管,可以大幅降低二極管導通損耗,提高整機效率,取代或替換目前市場上等規(guī)的肖特基整流二級管。產品特點:支持 DCM 和 QR 模式反激系統(tǒng)。內置 25 mΩ 100V 功率 NMOS 管。特有的自供電技術,*外部供電電源。自檢測開通關斷,*外部同步信號??芍苯犹鎿Q肖特基管,對 EMC/I 有適當改善。



    深圳市鉦銘科電子有限公司專注于高壓線性恒流ic,LED驅動電源芯片,同步整流芯片,等

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    詞條說明

  • 高壓線性恒流芯片方案的優(yōu)點與缺點對比分析

    隨著LED大規(guī)模照明企業(yè)的涌入,客戶對產品的性能與價格的要求越來越高,為了降低成本,多方*推出高壓線性恒流ic方案,部分方案*電解電容,成本大大降低,現(xiàn)在我們來說說它的優(yōu)缺點。 一、高壓線性恒流ic優(yōu)點 1、電路簡單,且有過溫和過壓保護,有利保護了電源。 2、電路穩(wěn)定性較高,壽命長。(由于都是采用切片電容電阻,整流橋等固態(tài)元件,比開 關電源壽命較長。) 3、效率和PF值較高。 4、制作成本低

  • 手機快充芯片的原理及快充芯片標準

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  • AC-DC適配器電源IC介紹及方案

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