肖特基二管的內部結構

時間：2021-11-15作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：396

肖特基二管的內部結構

肖特基（Schottky）二管也稱肖特基勢壘二管（簡稱SBD），是由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎制成的二管，



其主要特點是正向導通壓降小（約0.45V），反向恢復時間短和開關損耗小，是一種低功耗、高速半導體器件。肖特基二管在結構原理上與PN結二管有很大區(qū)別，

它的內部是由陽金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N+陰層及陰金屬等構成

在N型基片和陽金屬之間形成肖特基勢壘。

當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽金屬接電源正，N型基片接電源負）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小；

反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。

肖特基二管存在的問題是耐壓比較低，反向漏電流比較大。

目前應用在功率變換電路中的肖特基二管的大體水平是耐壓在150V以下，平均電流在100A以下，反向恢復時間在10～40ns。肖

特基二管應用在高頻低壓電路中，是比較理想的。

關鍵詞：  肖特基二管  AC-DC電源芯片  7812晶體管

編輯精選內容：

電源ic工作原理及特性

MOS場效應管檢測方法

揭秘電源IC的作用是什么

電源IC對封裝的要求

肖特基二管不同封裝的功能

淺析電源IC的發(fā)展趨勢和現(xiàn)狀


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