1GHz),并且在很大動態(tài)范圍內(nèi)具有很好的非線性。光電倍增管的缺點(diǎn)在于尺寸大(與光電二極管相比),成本高,需要高電壓,并且有些情況下**效率較低(通.." />
光電倍增管是一個真空管,其中光電陰極吸收光產(chǎn)生自由電子,然后在高電壓(幾百伏)下被加速,在另一電極產(chǎn)生二次電子,最后形成光電流。由于這一雪崩過程,光電流比光電二極管中的電流大好幾個數(shù)量級。因此,光電倍增管可以用于單光子計(jì)數(shù)。光電倍增管靈敏度很高,帶寬很大(>1GHz),并且在很大動態(tài)范圍內(nèi)具有很好的非線性。
光電倍增管的缺點(diǎn)在于尺寸大(與光電二極管相比),成本高,需要高電壓,并且有些情況下**效率較低(通常<25%,甚至有時<1%)。
一種尺寸很小的光電倍增管是微通道光電倍增管,其中在摻雜玻璃中具有單片的管子。由于尺寸很小,因此可以將多個通道集成一起形成二維的陣列來實(shí)現(xiàn)很大的探測帶寬。
有些情況下,可以用雪崩二極管代替光電倍增管,前者也是利用了放大機(jī)制,但是放大發(fā)生在固態(tài)材料中,而不是在真空管中。采用包含很多雪崩二極管的陣列可以得到很大的有源區(qū)面積;這一器件有時被稱為硅光電倍增管。與光電倍增管相比,硅光電倍增管較加*,成本較低,結(jié)構(gòu)較穩(wěn)固。并且通常具有較高的**效率,但是也具有較高的放大噪聲。
還有一種混合光電倍增管,其中電子從一個光電極產(chǎn)生然后在幾千伏的電壓下被加速到半導(dǎo)體芯片上,它類似于雪崩二極管。電子撞擊半導(dǎo)體會形成電子轟擊增益,然后形成雪崩放大。這一器件與普通的光電倍增管速度相似,并且脈沖振幅分辨率提高。并且,其響應(yīng)時間很短,尺寸小。它們可應(yīng)用在與光電倍增管相似的領(lǐng)域,包括光子計(jì)數(shù)。
在雪崩二極管中增大有源區(qū)面積可以將多個像素點(diǎn)緊密排列在同一個芯片上來實(shí)現(xiàn)。這一器件有時也被稱為固態(tài)光電倍增管或者硅光電倍增管。
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