晶圓減薄（晶圓拋光）GDM300_Hapoin衡鵬

時(shí)間：2021-03-17作者：上海衡鵬能源科技有限公司瀏覽：84

晶圓減薄（晶圓拋光）GDM300_Hapoin衡鵬




晶圓減?。ňA拋光）GDM300特長(zhǎng)：
·The process from back grinding to wafer mounting continuously by fully automatic system, Which enable to grind till 25um thickness.
·With 2 head polishing stage, throughput is almost double compared with 1 polish head system.
·Built in edge trimming system is available as an option for thin wafer process.
·Dual index system, which polishing stage and grinding stage is completely separated, satisfy the cleanness required for TSV and MEMS process.
·Less than Ra1A ultra luminance, ultra mirror surface is possible.



晶圓減?。ňA拋光）GDM300相關(guān)產(chǎn)品：
Hapoin衡鵬供應(yīng)
晶圓研磨/晶圓減薄/晶圓拋光/晶圓背拋/Wafer Grinding   GNX200BP


上海衡鵬能源科技有限公司專注于smt生產(chǎn)設(shè)備,smt維修設(shè)備,smt檢測(cè)設(shè)備,環(huán)境模擬設(shè)備,焊接材料,線纜切斷剝皮等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• SMT爐溫測(cè)試儀DS-03/DS-10通過(guò)預(yù)熱和過(guò)錫觀察溫度曲線

  SMT爐溫測(cè)試儀DS-03/DS-10通過(guò)預(yù)熱和過(guò)錫觀察溫度曲線 SMT爐溫測(cè)試儀DS-03規(guī)格： 冷接點(diǎn)補(bǔ)償 根據(jù)白金測(cè)溫電阻自動(dòng)補(bǔ)償 使用溫度 周圍120度,5分鐘以下OK 使用時(shí)間 連續(xù)10小時(shí)以上 預(yù)熱基板壽命 焊接溫度250度, 過(guò)錫時(shí)間5秒的情況下,5000次以上 外形尺寸 寬度94mm× 長(zhǎng)度230mm× 高度51mm 重量 840g（不含電池） SMT爐溫測(cè)試儀DS-10規(guī)格： 冷

• 晶圓切割膜貼膜機(jī)STK-7050可自動(dòng)撕膜，手動(dòng)取出晶圓

  晶圓切割膜貼膜機(jī)STK-7050可自動(dòng)撕膜，手動(dòng)取出晶圓 半自動(dòng)晶圓切割膜貼膜機(jī)STK-7050特點(diǎn)： 自動(dòng)滾軸貼膜技術(shù)； 手動(dòng)放置和取出晶圓/承載環(huán)； 自動(dòng)膠膜進(jìn)給和貼膜； 自動(dòng)收隔離紙，適用于 UV 膜和非 UV 膜； 自動(dòng)圓形切刀切割膜； 自動(dòng)撕膜，收廢膜 (選項(xiàng))； 晶圓臺(tái)盤(pán)溫度可編程控制，較高可達(dá) 120℃； 標(biāo)準(zhǔn) 12”晶圓臺(tái)盤(pán)用于 12”晶圓，可配置金屬臺(tái)盤(pán)或高密度陶瓷臺(tái)盤(pán)； PLC

• 半自動(dòng)晶圓研磨貼膜機(jī)AMW-08晶圓可手動(dòng)切割并取出

  半自動(dòng)晶圓研磨貼膜機(jī)AMW-08晶圓可手動(dòng)切割并取出 半自動(dòng)晶圓研磨貼膜機(jī)AMW-08規(guī)格參數(shù)： 晶圓直徑 4”&5”,6”&8”； 晶圓厚度 150~750微米； 膜種類 藍(lán)膜或者UV膜； 寬度：210~300毫米； 長(zhǎng)度：100米； 厚度：0.05~0.2毫米； 晶圓承載環(huán) 6”DISCO 或者 K&S 標(biāo)準(zhǔn)； 8”DISCO 或者 K&S 標(biāo)準(zhǔn)； 客戶制定標(biāo)準(zhǔn)； 貼膜原理 防靜電滾輪貼膜；

• 晶圓減?。ňA拋光）GDM300_Hapoin衡鵬

  晶圓減薄（晶圓拋光）GDM300_Hapoin衡鵬 晶圓減?。ňA拋光）GDM300特長(zhǎng)： ·The process from back grinding to wafer mounting continuously by fully automatic system, Which enable to grind till 25um thickness. ·With 2 head polishin